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💻 삼성전자, 2분기 eSSD 시장 1위 수성…마이크론 매출 126%↑ https://n.news.naver.com/mnews/article/001/0016283371 📌 삼성전자 35.1% 점유율로 1위 수성 삼성전자 2Q eSSD 매출 143.5억달러, 전분기 대비 103.6% 증가 176단 QLC 및 고성능 PCIe 5.0 제품 출하 확대가 성장 견인 📌 마이크론 126% 성장, 가장 가파른 추격 마이크론 매출 69.8억달러로 126.3% 급증, 점유율도 15.4%→17.1% 상승 232단 QLC 고용량 제품 확대와 PCIe 6.0 개발·인증 선두권 확보 📌 SK하이닉스 2위 유지에도 점유율 하락 솔리다임 포함 매출 86.3억달러 이상으로 85.9% 증가 점유율은 23.1%→21.1%로 2%p 하락하며 경쟁 심화 📌 3분기도 AI발 eSSD 강한 수요 지속 상위 5개사 2Q 총매출 375.9억달러로 전분기 대비 103.6% 증가 AI 에이전트·CSP 투자·엔비디아 GB 시리즈 서버 랙 출하가 수요 견인 전망 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻 삼성전자, HBM5 성능 2배·zHBM 최대 8배로…차세대 AI 메모리 승부수 https://www.etnews.com/20260901000219 📌 HBM5, HBM4E 대비 성능 2배 삼성전자는 HBM5 성능을 HBM4E 대비 2배 높이는 것을 목표 와트당 성능은 20% 개선, 열 저항은 20% 낮출 계획 AI 가속기의 고성능·저전력·발열 요구에 동시 대응 📌 zHBM은 성능 8배·전성비 3배 HBM5 이후 차세대 제품으로 ‘zHBM’ 개발 방향 제시 HBM4E 대비 성능 8배, 와트당 성능 3배 목표 열 저항도 75~90% 낮춰 3D 구조 혁신 극대화 📌 zNAND-O, 2028년 샘플링 LLM 대용량 메모리 수요 대응용 ‘zNAND-O’ 개발 추진 D램 대비 비트 밀도 10배, 낸드 대비 읽기 대역폭·전력효율 각각 7배 목표 2028년 샘플링 시작 계획 📌 AI 메모리 ‘CUBE’ 전략 본격화 Capacity·Utilization·Bandwidth·Efficiency를 핵심 축으로 제시 단순 적층을 넘어 용량·대역폭·전력·열 효율을 동시에 개선 HBM부터 zHBM·zNAND-O까지 차세대 AI 메모리 주도권 확보 전략 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻 램리서치, 대만 법인에 98억대만달러 증자, 첨단 반도체 장비 R&D 강화 https://ec.ltn.com.tw/article/breakingnews/5558277 📌 대만 투자 98.35억대만달러 승인 램리서치가 대만 자회사에 약 98.35억대만달러 규모 증자 대만 경제부 투자심의위원회가 8월 31일 투자안 승인 📌 첨단 반도체 장비 R&D 역량 확대 투자금은 첨단 반도체 공정용 핵심 제조장비 기술 연구개발·설계에 활용 단순 생산능력 증설보다 대만 내 기술개발 거점 강화에 초점 📌 TSMC 중심 첨단공정 투자 대응 대만은 글로벌 첨단공정·AI 반도체 생산의 핵심 거점 램리서치의 현지 R&D 확대는 고객사 차세대 공정 대응력 강화 측면에서 주목 📌 장비업체 투자 확대 지속 AI·첨단공정 투자 확대에 맞춰 글로벌 장비사의 대만 현지화도 강화되는 흐름 차세대 공정 전환이 식각·증착 등 핵심 전공정 장비 수요를 견인할 가능성 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻 TSMC, 전 공정 10~15% 가격 인상 전망...AI 수요에 가격 결정력 강화 https://news.cnyes.com/news/id/6591949 📌 N2·N3 공급 부족, 선단공정 가격 인상 본격화 하반기 일부 N3 가격 최대 15% 인상 N2·N3는 애플·엔비디아 중심 사실상 풀부킹 2027년 N2·N3·N5 추가 5~10% 인상 전망 📌 성숙공정까지 확산되는 가격 인상 사이클 N12·N16·N28도 최대 10% 인상 가능성 N2 웨이퍼 약 3만달러, N3 대비 10~20% 높음 AI/HPC 수요로 높은 가동률 지속 전망 📌 2027년 CAPEX 800억달러 전망, 공급망 낙수효과 확대 올해 CAPEX 520억~560억달러로 사상 최대 2027년 800억달러·2028년 900억달러 전망 장비·소재·클린룸 수요도 2027년 이후까지 기대 📌 삼성도 4·5나노 10~15% 인상, 업계 전반 가격 정상화 삼성 SF4·SF5 신규 주문가 10~15% 인상 2026년 1Q 점유율 TSMC 73%·삼성 7% AI 수요 확대로 파운드리 가격 결정력 회복 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻 SK하이닉스, 2분기 웨이퍼 구매액 삼성전자 추월 https://www.thelec.kr/news/articleView.html?idxno=61536 📌 웨이퍼 구매액 6,706억원으로 2배 2분기 웨이퍼 투입액은 6,706억원으로 전분기 대비 104.0% 증가 생산실적은 10.5% 증가에 그쳐 원재료 확보 속도가 생산 확대를 크게 상회 삼성전자는 같은 기간 웨이퍼 매입액이 3.1% 증가에 그침 📌 300mm 웨이퍼 가격 인상 대비 글로벌웨이퍼스·실트로닉·섬코 등 주요 업체가 가격 인상 필요성 언급 스팟 시장에서는 이미 300mm 웨이퍼 가격 반등 조짐 내년 상반기 제품별 웨이퍼 가격이 약 10~20% 오를 것이란 전망 📌 HBM 추가 주문 대응 위한 선제 비축 가능성 AI·HBM 수요 확대로 고객사의 추가 주문에 즉시 대응할 필요성 확대 기존 계약 물량 외 추가 수요를 대비해 원재료를 미리 확보했을 가능성 2분기 D램 출하량은 한 자릿수 후반 증가에 그쳐 구매 증가폭과 큰 차이 📌 원재료 재고도 6개월 만에 61.9% 증가 2분기 말 원재료 재고는 2조4,109억원으로 전분기 대비 23.8% 증가 지난해 말 1조4,893억원 대비 반년 만에 61.9% 확대 웨이퍼 가격 상승 전 선제 확보와 HBM 생산 확대 준비 여부가 핵심 포인트 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻 "일본에 반도체 공장 검토" 최태원 발언에 SK는 '부인' https://biz.sbs.co.kr/article/20000331881 📌 일본 반도체 생산 거점 검토 논란 최태원 회장이 일본 내 메모리 반도체 생산시설 가능성을 언급하면서 투자 검토설 부각 블룸버그는 AI 메모리 수요 대응과 생산비 절감을 위해 일본 합작공장 타당성을 검토 중이라고 보도 SK 측은 “합자공장 설립을 검토하고 있다는 보도는 사실과 다르다”며 확대 해석을 경계 최 회장의 실제 발언은 “일본 투자 관련 스터디를 진행 중이며 결과가 나오면 알리겠다”는 취지라고 설명 📌 일본 반도체 생태계 활용 가능성 일본에는 도쿄일렉트론, 나믹스 등 SK하이닉스의 주요 협력사가 위치 소니·닌텐도 등 글로벌 IT 기업과의 협력 확대를 위한 전략적 거점 가능성 부각 AI 메모리 수요 증가에 대응해 글로벌 생산 네트워크 다변화 전략으로 해석 📌 AI 메모리 공급망 경쟁 심화 HBM 등 AI 메모리 수요 급증으로 안정적인 전력·용수 확보와 생산능력 확대가 핵심 과제로 부상 SK하이닉스는 미국 인디애나 HBM 생산기지 구축 등 글로벌 공급망 확대를 추진 중 일본 생산 거점 검토 여부와 별개로 AI 반도체 시장 선점을 위한 투자 확대 기조 지속 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻 400단 낸드 쌓은 삼성전자 “칩 사이즈 극한 축소 위해 ‘풀 캡핑’ 설계 달성” https://biz.heraldcorp.com/article/10857933? 📌 AI 데이터 폭증 대응하는 차세대 낸드 삼성전자가 400단 이상 초고적층 구조의 V10(10세대) BV-낸드 개발 비화 공개 AI 추론 확산으로 LLM의 KV 캐시 등 대용량 데이터 저장 수요 증가 데이터센터뿐 아니라 PC·모바일·엣지 AI까지 대응 가능한 고성능 낸드 목표 📌 400단 적층·비트밀도 58% 개선 3D 본딩 기술 기반으로 기존 한계를 넘어 400단 이상 적층 구현 전 세대 대비 비트 밀도 58% 이상 향상 3-스택 HARC 머지 기술과 웨이퍼 본딩 공정을 결합해 초고집적 구조 확보 📌 속도 33%↑·전력 25%↓ 고효율 구현 4.8Gbps 이상의 I/O 속도로 이전 세대 대비 성능 33% 이상 개선 전력 소비는 25% 이상 절감해 AI 데이터센터 효율성 강화 고용량·고성능·저전력을 동시에 요구하는 AI 인프라 시장 공략 📌 차세대 낸드 경쟁력 강화 FMS 2026에서 ‘3D&낸드 이노베이션상’ 수상 HARC 식각과 웨이퍼 본딩 기술 내재화를 통해 초고층 낸드 기술 경쟁력 확보 AI 데이터센터용 고용량 스토리지 수요 확대에 따른 성장 동력 기대 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻 SK, 일본에 반도체 공장 검토… 최태원 "전력·물 되면 어디든" https://n.news.naver.com/mnews/article/029/0003045345 📌 일본 공장 가능성 재차 공식 언급 최태원 SK그룹 회장, 일본 내 반도체 공장 설립에 대해 “검토 중”이라고 언급 지난 6월 일본, 7월 미국에서도 글로벌 생산시설 후보지를 물색 중이라는 입장을 지속적으로 제시 특정 지역보다 전력·용수·부지·인력·공급망 등 인프라 경쟁력을 최우선 조건으로 강조 📌 일본, 소부장 생태계가 핵심 경쟁력 일본은 반도체 소재·장비 기업이 밀집해 있어 공급망 측면에서 생산거점 경쟁력이 높은 지역 현지 언론에서는 미야기현 공장 설립 가능성과 일본 기업 인수·합작투자 가능성까지 거론 다만 SK 측은 “합작공장 설립을 검토하고 있다는 보도는 사실과 다르다”며 구체적인 투자 방식에는 선을 그음 📌 미국 이어 일본까지 생산거점 다변화 SK하이닉스는 미국 인디애나 HBM 첨단 패키징 생산기지에 이어 글로벌 생산 네트워크 확대 추진 AI·HBM 중심의 중장기 메모리 수요 확대에 대응해 추가 CAPA 확보 후보지를 폭넓게 검토하는 흐름 향후 일본 투자가 구체화될 경우 생산거점 다변화와 현지 소부장 공급망 활용 측면에서 주목 📌 국내 클러스터도 결국 전력·용수가 관건 삼성전자·SK하이닉스의 호남권 투자 계획은 약 800조원 규모로 거론 정부는 용수 공급망 구축 사업 예타 면제에 이어 전력·부지 인프라 지원도 추진 전남 태양광 설비·계통 접속 대기 물량은 14.251GW지만 송전망 제약이 변수로 지적돼 인프라 구축 속도가 실제 투자 결정의 핵심 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻 美 어플라이드 "메모리 병목 해법은 3D 스케일링"⋯韓 협력 강화 https://www.inews24.com/view/2000175 📌 AI 반도체 핵심 과제는 전력효율 AI 연산량 증가로 성능보다 데이터 이동에 쓰이는 전력 절감이 중요해지는 구조 어플라이드는 로직·메모리·패키징 전반의 3D 스케일링을 핵심 해법으로 제시 GAA·HBM·2.5D·3D 패키징이 대표적 기술 축 📌 HBM, 마이크로범프→하이브리드 본딩 HBM 고단화가 이어질수록 기존 마이크로범프 방식의 한계 확대 하이브리드 본딩은 구리 직접 접합으로 다이 간 거리를 줄이는 구조 I/O 밀도·열효율·전력효율 개선 가능성이 핵심 📌 D램도 로직 기술 적극 흡수 에피택시·배선·트랜지스터 등 선단 로직 기술을 D램 주변회로에 적용 속도와 전력효율을 동시에 개선하는 방향으로 진화 장기적으로 4F² 수직 트랜지스터·3D D램 구조까지 거론 📌 삼성·SK하이닉스와 공동개발 확대 어플라이드 EPIC 센터는 현재 11개 고객·파트너와 협력 진행 삼성전자·SK하이닉스도 창립 파트너로 참여 AI 경쟁이 미세화에서 HBM·3D 패키징 중심의 시스템 전력효율 경쟁으로 확장 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻 [단독] SK하이닉스, 차세대 HBM ‘베이스 다이’ 인텔에 맡긴다 https://biz.heraldcorp.com/article/10857004? 마침 SK하이닉스도 인텔과의 협력을 발표했습니다. 앞으로도 반도체 산업에서 인텔의 역할 강화에 대해 주목할 만 할 것 같습니다. 📌 HBM4E부터 인텔 공급망 진입 가능성 SK하이닉스가 HBM4E 베이스다이를 TSMC뿐 아니라 인텔에도 맡기는 방안 검토 현재 HBM4 베이스다이는 TSMC 12나노급 공정으로 생산 멀티벤더 체제로 공급 안정성과 가격 협상력 강화 추진 📌 베이스다이 원가 부담이 핵심 HBM4용 TSMC 베이스다이는 SK하이닉스 1b 코어다이보다 3~4배 비싼 것으로 알려짐 HBM4E로 갈수록 로직 기능 고도화로 원가 부담 추가 확대 예상 LTA 비중이 높아 파운드리 비용 상승을 즉시 판가에 전가하기도 어려운 구조 📌 커스텀 HBM 시대 대응 HBM4부터 고객별 AI 가속기 구조에 맞춘 베이스다이 설계 중요성 확대 복수 파운드리 활용 시 다양한 AI칩 고객 요구에 대응할 선택지 증가 특정 고객·TSMC에 집중된 생태계 의존도 완화 가능 📌 인텔 EMIB까지 협력 확대 가능성 SK하이닉스는 TSMC CoWoS와 인텔 EMIB 등 첨단 패키징 방식도 비교·검토 베이스다이 생산 협력이 패키징 분야로 확장될 가능성 거론 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻 [단독] SK하이닉스, 차세대 HBM ‘베이스 다이’ 인텔에 맡긴다 https://biz.heraldcorp.com/article/10857004? 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻 인텔 "1.4나노 '14A' 순항... 결함밀도 개선 속도 빨라" https://zdnet.co.kr/view/?no=20260829224936 📌 22나노 이후 가장 빠른 결함 감소 14A 결함밀도 개선 속도가 자체 목표를 웃돌며 역대 주요 공정 중 가장 빠른 수준 동일 개발 단계의 18A보다 결함밀도와 트랜지스터 성능이 앞선다는 설명 다만 결함밀도 개선이 최종 수율 확보를 의미하는 것은 아님 📌 High-NA EUV 기반 2027년 말 리스크 생산 14A는 2세대 리본펫과 후면 전력전달 기술 ‘파워다이렉트’ 적용 오리건 D1X 팹에서 ASML High-NA EUV ‘EXE:5000’을 활용해 기술 개발 중 📌 외부 고객 관심, 공정 검증에서 생산능력으로 이동 고객사 논의가 공정 데이터 검토를 넘어 생산능력과 공급계획을 확인하는 단계로 진전 내부 제품그룹도 14A 기반 제품을 설계하며 공정에 대한 신뢰를 나타냄 📌 파운드리 재건 & 테라팹 성패 가를 수주 확보 대규모 투자가 필요한 14A는 자체 제품만으로 경제성 확보가 어려워 외부 물량이 상용화의 핵심 인텔은 개발 초기부터 외부 파운드리 고객을 염두에 두고 공정을 설계 인텔 14A가 자체 파운드리 역량보다도, 테라팹 활용에서 굉장히 중요하다는 점을 테라팹 산업보고서에서 전달드렸습니다. 인텔과 스페이스X의 협력 관계 분석과 국내 수혜주를 아래 보고서를 참조해보셔도 도움이 될 것 같습니다. 📌 [산업보고서] 머스크의 반도체 왕국, 175조 베팅의 수혜주[26.07.27] https://contents.premium.naver.com/growthresearch/growth/contents/260727015831464ro 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻 SK하이닉스: 하이브리드본딩, "고급 옵션"에서 차세대 HBM 핵심기술로 격상 📌 HBM I/O — 데이터 입출력 밀도 혁신 ・HBM3: I/O 수 1,024개 ・HBM4 이후: I/O 수 2,048개로 확대 ・I/O가 2,048개로 늘어나면서: 속도 11.9배 향상 / 집적밀도 15배 증가 📌 HBM 적층 높이 — 하이브리드본딩 적용 효과 ・동일한 다이 수를 적층해도 하이브리드본딩 적용 시 스택 높이가 크게 줄어드는 구조 ・결과: 적층 높이 감소 / 방열(열발산) 성능 100배 향상 ・기존 마이크로범프 방식과 달리, 하이브리드본딩은 구리-구리(Cu-to-Cu) 직접본딩을 통해 칩 간 상호연결 거리를 단축 — 대역폭·전력소비·방열 성능을 모두 개선 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻 UBS: 2027년 HBM 공급부족 심화 — "매우 혹독한 해" 전망 📌 차트 핵심 데이터 (UBS 조정 HBM 수급전망) ・2025년: 공급(비트출하) 약 21,000백만Gb, 수요(비트소비) 약 21,000백만Gb 내외 재고(빨간 점선박스)는 약 17,000~22,000 구간에서 형성, 수급이 비교적 균형에 가까움 ・2026E: 공급 약 36,500백만Gb, 수요 약 26,000~32,000백만Gb 구간 공급이 수요를 상당폭 상회하며 재고가 쌓이는 그림 ・2027E: 공급 약 53,500백만Gb, 수요(재고 상단 기준) 약 76,500백만Gb까지 확대 수요가 공급을 크게 초과하는 급격한 역전 발생, 재고 박스가 59,000~76,500 구간으로 크게 확대되며 공급부족 심화 📌 핵심 시사점 ・2025~2026년까지는 공급이 수요를 앞서며 재고가 축적되는 구간이었으나, 2027년에는 이 흐름이 급격히 역전되며 실제소비(end-consumption)가 출하량(shipment)을 크게 상회 즉 누적됐던 재고를 소진하고도 부족한 상황으로 전환 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻 "中 군사기업 아니다"…세계 4위 D램 제조사 CXMT, 美 국방부에 맞소송 https://m.ddaily.co.kr/page/view/2026083011112279667 📌 “군사기업 아니다”…블랙리스트 지정 취소 요구 • CXMT가 미국 워싱턴DC 연방법원에 행정소송을 제기, 피트 헤그세스 미 국방장관을 피고로 적시 • 자사 반도체는 군사용이 아닌 민간·상업용이며 중국군과 어떠한 제휴 관계도 없다고 주장 • 블랙리스트 지정으로 기업 평판과 상업적 이익에 피해를 입었다며 지정 취소 요구 📌 2025년 첫 지정→제외→올해 6월 재지정 • CXMT는 2025년 1월 미 국방부 1260H 블랙리스트에 처음 등재 • 올해 2월 일시 제외됐지만 6월 개정 명단에서 YMTC와 함께 다시 지정 • 1260H 등재 자체가 즉각적인 전면 거래금지는 아니지만 미국 군수계약·연구지원 제한과 투자 리스크로 작용 📌 향후 추가 제재로 번질 가능성이 핵심 • 1260H 지정은 미국 투자자에게 경고 신호로 작용하며 향후 고강도 무역·금융 제재로 확대될 가능성 존재 • CXMT는 현재 일상적인 경영활동에는 직접적 영향이 없다는 입장 • 이번 소송은 향후 미국의 대중국 메모리 규제 강도를 가늠할 주요 이벤트 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

🖥 8월 4주차, 한 주간 반도체 소부장 섹터 핵심 정리 📌 케이씨텍, 앱솔릭스 유리기판 라인에 CMP 장비·슬러리 공급…유리기판 밸류체인 진입 📌 티에스이, 차세대 HBM 적층 D램 검사 위한 KGSD 다이캐리어 개발…검사 구간 확대 📌 유리기판 경쟁, 기술 구현에서 양산성 확보로 이동…TGV 비용·시간·불량 개선 경쟁 본격화 📌 리노공업 파업 장기화…일본·대만 경쟁사로 일부 고객 물량 이탈 가능성 📌 SK하이닉스 HBM4 웨이퍼 테스터 공급망에 디지털프론티어·유니테스트 진입…일본 중심 구조 다변화 🔎 이번 주 포커스: 디아이·유니테스트, HBM4 웨이퍼 테스터 국산화가 중요한 이유 • HBM은 여러 개의 D램을 쌓는 구조라 적층 전 불량 다이를 제대로 걸러내지 못하면 정상 다이와 공정 비용까지 함께 손실 • HBM4로 넘어가면서 검사 항목과 테스트 시간이 증가해 생산량 증가보다 테스트 장비 수요가 더 빠르게 늘어날 수 있는 구조 • 디아이 자회사 디지털프론티어는 낸드→DDR5→HBM3·3E를 거쳐 HBM4까지 진입한 장비 국산화의 축적형 사례 • 유니테스트는 기존 메모리 컴포넌트·번인 테스터에서 HBM4 웨이퍼 테스트 영역으로 사업 범위를 확대 • 업계 파악 기준 두 업체의 올해 SK하이닉스 HBM4 웨이퍼 테스터 누적 수주는 약 2,839억원 규모로 확대 • 향후 HBM4E로 갈수록 검사 난도가 더 높아질 가능성이 있어 추가 수주와 삼성전자·해외 고객사로의 확장 여부가 핵심 관전 포인트 🔥 한 주 동안의 반도체 소부장 흐름과 함께 HBM4 전환이 왜 웨이퍼 테스트 장비 수요를 키우고 있는지, 일본 업체가 주도하던 시장에 국내 장비사가 어떻게 진입하고 있는지 자세히 정리해드립니다! https://contents.premium.naver.com/growthresearch/growth/contents/260830122042285wp 🖥반도체 소부장🖥[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi

💻 [단독] 삼성, HBM4 이어 엔비디아 ‘NVHBM’ 선점 https://www.sedaily.com/article/20084484?ref=naver 📌 엔비디아 요청으로 HBM4E 8단 개발 삼성전자가 엔비디아 요구에 맞춰 HBM4E 8단 제품을 개발 중 기존에 준비하던 12단·16단보다 적층 수를 낮춘 제품 엔비디아가 제시한 속도는 17~18Gbps로 삼성 초기 샘플 14.4Gbps보다 약 20% 높은 수준 📌 고적층보다 속도·공급량에 집중 8단 제품은 12단·16단보다 후공정 난이도와 수율 부담이 낮아 공급량 확대에 유리 엔비디아는 GPU당 메모리 용량보다 HBM 속도와 전체 시스템 확장성을 높이는 전략 NVHBM은 내년 출시 예정인 차세대 AI GPU ‘루빈 울트라’부터 적용될 가능성 📌 루빈 울트라, GPU 연결 규모 8배 확대 루빈 울트라는 GPU 간 연결 규모를 기존 72개에서 최대 576개로 확대 적층 수를 낮추더라도 빠른 HBM을 탑재한 GPU 수백 개를 연결해 전체 연산 성능을 높이는 구조 NVHBM은 엔비디아의 독자 연결 기술 규격인 NV링크에 최적화될 예정 📌 삼성의 턴키 경쟁력 부각 NVHBM은 D램뿐 아니라 로직 기반 베이스다이의 설계·생산 역량이 필요 삼성전자는 메모리와 파운드리 역량을 모두 보유해 베이스다이부터 HBM까지 일괄 대응 가능 HBM 경쟁이 고적층 중심에서 속도·공급능력·커스텀 설계 역량으로 확대될 경우 삼성의 강점이 부각될 전망 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi

💻 파나소닉, CCL 등 PCB 핵심 소재 가격 최대 30% 인상...9월부터 적용 📌 주요 PCB 소재 최대 30% 인상 일반 다층기판용 동박적층판(CCL)·프리프레그 각각 +30% 반도체 패키지 기판 소재도 CCL·프리프레그 각각 +30% 저손실 다층기판 소재 MEGTRON·XPEDION은 각각 +15% 📌 고부가 소재까지 가격 인상 확산 CEM-3 유리복합기판 소재 +30%, 연성회로기판(FCCL) 소재 +15% AI 서버·반도체용 고사양 PCB 소재 가격 상승 압력 확대 여부 주목 📌 9월 1일 출하분부터 적용 2026년 9월 1일 출하분부터 공장출하가(Ex-Factory) 기준 인상 대상 공장은 일본·중국·대만 등 주요 생산거점으로 광범위 ✅ 독립리서치 그로쓰리서치 https://telegram.me/growthresearch

💻 AI 서버 확산에 전통 패키징까지 공급 부족...와이어 본더 병목 부각 [DigiTimes] 📌 전통 패키징도 쇼티지 AI 서버 출하 증가로 첨단 패키징뿐 아니라 전통 패키징 생산능력까지 공급 부족 가능성 확대 특히 핵심 장비인 와이어 본더 공급이 빠르게 타이트해지는 상황 📌 K&S·ASMPT 과점 구조 K&S와 ASMPT가 글로벌 와이어 본딩 장비 시장 대부분을 차지 K&S는 성숙공정·후공정 장비 전반에서 생산능력 배분이 빠듯한 상황 📌 대체 어려운 장비 특성 와이어 본딩은 성숙 기술이지만 장비는 범용 제품이 아니어서 공급업체 변경이 쉽지 않음 기존 공정 최적화와 고객 인증 문제로 K&S 장비의 단기 대체가 어려운 구조 📌 장비 확보 선점 경쟁 전통 패키징 증설도 선결제와 기존 거래관계가 중요해지는 국면 AI 투자 사이클이 HBM·첨단 패키징에서 범용 후공정 장비까지 확산되는 흐름 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi

💻 TSMC 파운드리 점유율 73%…삼성전자 7% 유지 📌 2분기 파운드리 시장 29% 성장 AI 반도체 관련 주문 급증과 생산능력 재배치 영향 글로벌 파운드리 시장은 전년 동기 대비 29% 성장 첨단 공정과 성숙 공정 모두 수급 불균형 지속 📌 TSMC 점유율 73%로 독주 TSMC는 2분기 시장점유율 73%로 압도적 1위 기록 2나노 공정 양산과 3나노 생산 확대가 성장 견인 8·12인치 성숙 공정과 첨단 패키징 공급 부족도 점유율 상승에 영향 📌 삼성전자 점유율 7% 유지 삼성전자는 전 분기와 동일한 7%로 2위 유지 TSMC와의 점유율 격차는 66%p 중국 SMIC는 내수 수요와 해외 주문 증가로 사상 최대 매출을 기록하며 3위 유지 📌 하반기에도 가격·가동률 강세 전망 카운터포인트리서치는 하반기 파운드리 웨이퍼 ASP의 추가 상승을 전망 순수 파운드리 업체들의 가동률도 비교적 높은 수준을 유지할 것으로 예상 📌 투자 시사점 AI 반도체 수요가 첨단 공정뿐만 아니라 성숙 공정과 첨단 패키징까지 공급 부족을 확산시키는 모습 TSMC의 첨단 공정 지배력이 더욱 강화되는 가운데 삼성전자는 점유율 반등을 위한 2나노 수율 안정화와 신규 고객 확보가 핵심 하반기 ASP 상승과 높은 가동률이 이어질 경우 파운드리 장비·소재와 첨단 패키징 밸류체인의 수요 환경도 우호적일 전망 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi