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💻 "일본에 반도체 공장 검토" 최태원 발언에 SK는 '부인' https://biz.sbs.co.kr/article/20000331881 📌 일본 반도체 생산 거점 검토 논란 최태원 회장이 일본 내 메모리 반도체 생산시설 가능성을 언급하면서 투자 검토설 부각 블룸버그는 AI 메모리 수요 대응과 생산비 절감을 위해 일본 합작공장 타당성을 검토 중이라고 보도 SK 측은 “합자공장 설립을 검토하고 있다는 보도는 사실과 다르다”며 확대 해석을 경계 최 회장의 실제 발언은 “일본 투자 관련 스터디를 진행 중이며 결과가 나오면 알리겠다”는 취지라고 설명 📌 일본 반도체 생태계 활용 가능성 일본에는 도쿄일렉트론, 나믹스 등 SK하이닉스의 주요 협력사가 위치 소니·닌텐도 등 글로벌 IT 기업과의 협력 확대를 위한 전략적 거점 가능성 부각 AI 메모리 수요 증가에 대응해 글로벌 생산 네트워크 다변화 전략으로 해석 📌 AI 메모리 공급망 경쟁 심화 HBM 등 AI 메모리 수요 급증으로 안정적인 전력·용수 확보와 생산능력 확대가 핵심 과제로 부상 SK하이닉스는 미국 인디애나 HBM 생산기지 구축 등 글로벌 공급망 확대를 추진 중 일본 생산 거점 검토 여부와 별개로 AI 반도체 시장 선점을 위한 투자 확대 기조 지속 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻 400단 낸드 쌓은 삼성전자 “칩 사이즈 극한 축소 위해 ‘풀 캡핑’ 설계 달성” https://biz.heraldcorp.com/article/10857933? 📌 AI 데이터 폭증 대응하는 차세대 낸드 삼성전자가 400단 이상 초고적층 구조의 V10(10세대) BV-낸드 개발 비화 공개 AI 추론 확산으로 LLM의 KV 캐시 등 대용량 데이터 저장 수요 증가 데이터센터뿐 아니라 PC·모바일·엣지 AI까지 대응 가능한 고성능 낸드 목표 📌 400단 적층·비트밀도 58% 개선 3D 본딩 기술 기반으로 기존 한계를 넘어 400단 이상 적층 구현 전 세대 대비 비트 밀도 58% 이상 향상 3-스택 HARC 머지 기술과 웨이퍼 본딩 공정을 결합해 초고집적 구조 확보 📌 속도 33%↑·전력 25%↓ 고효율 구현 4.8Gbps 이상의 I/O 속도로 이전 세대 대비 성능 33% 이상 개선 전력 소비는 25% 이상 절감해 AI 데이터센터 효율성 강화 고용량·고성능·저전력을 동시에 요구하는 AI 인프라 시장 공략 📌 차세대 낸드 경쟁력 강화 FMS 2026에서 ‘3D&낸드 이노베이션상’ 수상 HARC 식각과 웨이퍼 본딩 기술 내재화를 통해 초고층 낸드 기술 경쟁력 확보 AI 데이터센터용 고용량 스토리지 수요 확대에 따른 성장 동력 기대 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻 SK, 일본에 반도체 공장 검토… 최태원 "전력·물 되면 어디든" https://n.news.naver.com/mnews/article/029/0003045345 📌 일본 공장 가능성 재차 공식 언급 최태원 SK그룹 회장, 일본 내 반도체 공장 설립에 대해 “검토 중”이라고 언급 지난 6월 일본, 7월 미국에서도 글로벌 생산시설 후보지를 물색 중이라는 입장을 지속적으로 제시 특정 지역보다 전력·용수·부지·인력·공급망 등 인프라 경쟁력을 최우선 조건으로 강조 📌 일본, 소부장 생태계가 핵심 경쟁력 일본은 반도체 소재·장비 기업이 밀집해 있어 공급망 측면에서 생산거점 경쟁력이 높은 지역 현지 언론에서는 미야기현 공장 설립 가능성과 일본 기업 인수·합작투자 가능성까지 거론 다만 SK 측은 “합작공장 설립을 검토하고 있다는 보도는 사실과 다르다”며 구체적인 투자 방식에는 선을 그음 📌 미국 이어 일본까지 생산거점 다변화 SK하이닉스는 미국 인디애나 HBM 첨단 패키징 생산기지에 이어 글로벌 생산 네트워크 확대 추진 AI·HBM 중심의 중장기 메모리 수요 확대에 대응해 추가 CAPA 확보 후보지를 폭넓게 검토하는 흐름 향후 일본 투자가 구체화될 경우 생산거점 다변화와 현지 소부장 공급망 활용 측면에서 주목 📌 국내 클러스터도 결국 전력·용수가 관건 삼성전자·SK하이닉스의 호남권 투자 계획은 약 800조원 규모로 거론 정부는 용수 공급망 구축 사업 예타 면제에 이어 전력·부지 인프라 지원도 추진 전남 태양광 설비·계통 접속 대기 물량은 14.251GW지만 송전망 제약이 변수로 지적돼 인프라 구축 속도가 실제 투자 결정의 핵심 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻 美 어플라이드 "메모리 병목 해법은 3D 스케일링"⋯韓 협력 강화 https://www.inews24.com/view/2000175 📌 AI 반도체 핵심 과제는 전력효율 AI 연산량 증가로 성능보다 데이터 이동에 쓰이는 전력 절감이 중요해지는 구조 어플라이드는 로직·메모리·패키징 전반의 3D 스케일링을 핵심 해법으로 제시 GAA·HBM·2.5D·3D 패키징이 대표적 기술 축 📌 HBM, 마이크로범프→하이브리드 본딩 HBM 고단화가 이어질수록 기존 마이크로범프 방식의 한계 확대 하이브리드 본딩은 구리 직접 접합으로 다이 간 거리를 줄이는 구조 I/O 밀도·열효율·전력효율 개선 가능성이 핵심 📌 D램도 로직 기술 적극 흡수 에피택시·배선·트랜지스터 등 선단 로직 기술을 D램 주변회로에 적용 속도와 전력효율을 동시에 개선하는 방향으로 진화 장기적으로 4F² 수직 트랜지스터·3D D램 구조까지 거론 📌 삼성·SK하이닉스와 공동개발 확대 어플라이드 EPIC 센터는 현재 11개 고객·파트너와 협력 진행 삼성전자·SK하이닉스도 창립 파트너로 참여 AI 경쟁이 미세화에서 HBM·3D 패키징 중심의 시스템 전력효율 경쟁으로 확장 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻 [단독] SK하이닉스, 차세대 HBM ‘베이스 다이’ 인텔에 맡긴다 https://biz.heraldcorp.com/article/10857004? 마침 SK하이닉스도 인텔과의 협력을 발표했습니다. 앞으로도 반도체 산업에서 인텔의 역할 강화에 대해 주목할 만 할 것 같습니다. 📌 HBM4E부터 인텔 공급망 진입 가능성 SK하이닉스가 HBM4E 베이스다이를 TSMC뿐 아니라 인텔에도 맡기는 방안 검토 현재 HBM4 베이스다이는 TSMC 12나노급 공정으로 생산 멀티벤더 체제로 공급 안정성과 가격 협상력 강화 추진 📌 베이스다이 원가 부담이 핵심 HBM4용 TSMC 베이스다이는 SK하이닉스 1b 코어다이보다 3~4배 비싼 것으로 알려짐 HBM4E로 갈수록 로직 기능 고도화로 원가 부담 추가 확대 예상 LTA 비중이 높아 파운드리 비용 상승을 즉시 판가에 전가하기도 어려운 구조 📌 커스텀 HBM 시대 대응 HBM4부터 고객별 AI 가속기 구조에 맞춘 베이스다이 설계 중요성 확대 복수 파운드리 활용 시 다양한 AI칩 고객 요구에 대응할 선택지 증가 특정 고객·TSMC에 집중된 생태계 의존도 완화 가능 📌 인텔 EMIB까지 협력 확대 가능성 SK하이닉스는 TSMC CoWoS와 인텔 EMIB 등 첨단 패키징 방식도 비교·검토 베이스다이 생산 협력이 패키징 분야로 확장될 가능성 거론 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻 [단독] SK하이닉스, 차세대 HBM ‘베이스 다이’ 인텔에 맡긴다 https://biz.heraldcorp.com/article/10857004? 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻 인텔 "1.4나노 '14A' 순항... 결함밀도 개선 속도 빨라" https://zdnet.co.kr/view/?no=20260829224936 📌 22나노 이후 가장 빠른 결함 감소 14A 결함밀도 개선 속도가 자체 목표를 웃돌며 역대 주요 공정 중 가장 빠른 수준 동일 개발 단계의 18A보다 결함밀도와 트랜지스터 성능이 앞선다는 설명 다만 결함밀도 개선이 최종 수율 확보를 의미하는 것은 아님 📌 High-NA EUV 기반 2027년 말 리스크 생산 14A는 2세대 리본펫과 후면 전력전달 기술 ‘파워다이렉트’ 적용 오리건 D1X 팹에서 ASML High-NA EUV ‘EXE:5000’을 활용해 기술 개발 중 📌 외부 고객 관심, 공정 검증에서 생산능력으로 이동 고객사 논의가 공정 데이터 검토를 넘어 생산능력과 공급계획을 확인하는 단계로 진전 내부 제품그룹도 14A 기반 제품을 설계하며 공정에 대한 신뢰를 나타냄 📌 파운드리 재건 & 테라팹 성패 가를 수주 확보 대규모 투자가 필요한 14A는 자체 제품만으로 경제성 확보가 어려워 외부 물량이 상용화의 핵심 인텔은 개발 초기부터 외부 파운드리 고객을 염두에 두고 공정을 설계 인텔 14A가 자체 파운드리 역량보다도, 테라팹 활용에서 굉장히 중요하다는 점을 테라팹 산업보고서에서 전달드렸습니다. 인텔과 스페이스X의 협력 관계 분석과 국내 수혜주를 아래 보고서를 참조해보셔도 도움이 될 것 같습니다. 📌 [산업보고서] 머스크의 반도체 왕국, 175조 베팅의 수혜주[26.07.27] https://contents.premium.naver.com/growthresearch/growth/contents/260727015831464ro 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻 SK하이닉스: 하이브리드본딩, "고급 옵션"에서 차세대 HBM 핵심기술로 격상 📌 HBM I/O — 데이터 입출력 밀도 혁신 ・HBM3: I/O 수 1,024개 ・HBM4 이후: I/O 수 2,048개로 확대 ・I/O가 2,048개로 늘어나면서: 속도 11.9배 향상 / 집적밀도 15배 증가 📌 HBM 적층 높이 — 하이브리드본딩 적용 효과 ・동일한 다이 수를 적층해도 하이브리드본딩 적용 시 스택 높이가 크게 줄어드는 구조 ・결과: 적층 높이 감소 / 방열(열발산) 성능 100배 향상 ・기존 마이크로범프 방식과 달리, 하이브리드본딩은 구리-구리(Cu-to-Cu) 직접본딩을 통해 칩 간 상호연결 거리를 단축 — 대역폭·전력소비·방열 성능을 모두 개선 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻 UBS: 2027년 HBM 공급부족 심화 — "매우 혹독한 해" 전망 📌 차트 핵심 데이터 (UBS 조정 HBM 수급전망) ・2025년: 공급(비트출하) 약 21,000백만Gb, 수요(비트소비) 약 21,000백만Gb 내외 재고(빨간 점선박스)는 약 17,000~22,000 구간에서 형성, 수급이 비교적 균형에 가까움 ・2026E: 공급 약 36,500백만Gb, 수요 약 26,000~32,000백만Gb 구간 공급이 수요를 상당폭 상회하며 재고가 쌓이는 그림 ・2027E: 공급 약 53,500백만Gb, 수요(재고 상단 기준) 약 76,500백만Gb까지 확대 수요가 공급을 크게 초과하는 급격한 역전 발생, 재고 박스가 59,000~76,500 구간으로 크게 확대되며 공급부족 심화 📌 핵심 시사점 ・2025~2026년까지는 공급이 수요를 앞서며 재고가 축적되는 구간이었으나, 2027년에는 이 흐름이 급격히 역전되며 실제소비(end-consumption)가 출하량(shipment)을 크게 상회 즉 누적됐던 재고를 소진하고도 부족한 상황으로 전환 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻 "中 군사기업 아니다"…세계 4위 D램 제조사 CXMT, 美 국방부에 맞소송 https://m.ddaily.co.kr/page/view/2026083011112279667 📌 “군사기업 아니다”…블랙리스트 지정 취소 요구 • CXMT가 미국 워싱턴DC 연방법원에 행정소송을 제기, 피트 헤그세스 미 국방장관을 피고로 적시 • 자사 반도체는 군사용이 아닌 민간·상업용이며 중국군과 어떠한 제휴 관계도 없다고 주장 • 블랙리스트 지정으로 기업 평판과 상업적 이익에 피해를 입었다며 지정 취소 요구 📌 2025년 첫 지정→제외→올해 6월 재지정 • CXMT는 2025년 1월 미 국방부 1260H 블랙리스트에 처음 등재 • 올해 2월 일시 제외됐지만 6월 개정 명단에서 YMTC와 함께 다시 지정 • 1260H 등재 자체가 즉각적인 전면 거래금지는 아니지만 미국 군수계약·연구지원 제한과 투자 리스크로 작용 📌 향후 추가 제재로 번질 가능성이 핵심 • 1260H 지정은 미국 투자자에게 경고 신호로 작용하며 향후 고강도 무역·금융 제재로 확대될 가능성 존재 • CXMT는 현재 일상적인 경영활동에는 직접적 영향이 없다는 입장 • 이번 소송은 향후 미국의 대중국 메모리 규제 강도를 가늠할 주요 이벤트 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

🖥 8월 4주차, 한 주간 반도체 소부장 섹터 핵심 정리 📌 케이씨텍, 앱솔릭스 유리기판 라인에 CMP 장비·슬러리 공급…유리기판 밸류체인 진입 📌 티에스이, 차세대 HBM 적층 D램 검사 위한 KGSD 다이캐리어 개발…검사 구간 확대 📌 유리기판 경쟁, 기술 구현에서 양산성 확보로 이동…TGV 비용·시간·불량 개선 경쟁 본격화 📌 리노공업 파업 장기화…일본·대만 경쟁사로 일부 고객 물량 이탈 가능성 📌 SK하이닉스 HBM4 웨이퍼 테스터 공급망에 디지털프론티어·유니테스트 진입…일본 중심 구조 다변화 🔎 이번 주 포커스: 디아이·유니테스트, HBM4 웨이퍼 테스터 국산화가 중요한 이유 • HBM은 여러 개의 D램을 쌓는 구조라 적층 전 불량 다이를 제대로 걸러내지 못하면 정상 다이와 공정 비용까지 함께 손실 • HBM4로 넘어가면서 검사 항목과 테스트 시간이 증가해 생산량 증가보다 테스트 장비 수요가 더 빠르게 늘어날 수 있는 구조 • 디아이 자회사 디지털프론티어는 낸드→DDR5→HBM3·3E를 거쳐 HBM4까지 진입한 장비 국산화의 축적형 사례 • 유니테스트는 기존 메모리 컴포넌트·번인 테스터에서 HBM4 웨이퍼 테스트 영역으로 사업 범위를 확대 • 업계 파악 기준 두 업체의 올해 SK하이닉스 HBM4 웨이퍼 테스터 누적 수주는 약 2,839억원 규모로 확대 • 향후 HBM4E로 갈수록 검사 난도가 더 높아질 가능성이 있어 추가 수주와 삼성전자·해외 고객사로의 확장 여부가 핵심 관전 포인트 🔥 한 주 동안의 반도체 소부장 흐름과 함께 HBM4 전환이 왜 웨이퍼 테스트 장비 수요를 키우고 있는지, 일본 업체가 주도하던 시장에 국내 장비사가 어떻게 진입하고 있는지 자세히 정리해드립니다! https://contents.premium.naver.com/growthresearch/growth/contents/260830122042285wp 🖥반도체 소부장🖥[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi

💻 [단독] 삼성, HBM4 이어 엔비디아 ‘NVHBM’ 선점 https://www.sedaily.com/article/20084484?ref=naver 📌 엔비디아 요청으로 HBM4E 8단 개발 삼성전자가 엔비디아 요구에 맞춰 HBM4E 8단 제품을 개발 중 기존에 준비하던 12단·16단보다 적층 수를 낮춘 제품 엔비디아가 제시한 속도는 17~18Gbps로 삼성 초기 샘플 14.4Gbps보다 약 20% 높은 수준 📌 고적층보다 속도·공급량에 집중 8단 제품은 12단·16단보다 후공정 난이도와 수율 부담이 낮아 공급량 확대에 유리 엔비디아는 GPU당 메모리 용량보다 HBM 속도와 전체 시스템 확장성을 높이는 전략 NVHBM은 내년 출시 예정인 차세대 AI GPU ‘루빈 울트라’부터 적용될 가능성 📌 루빈 울트라, GPU 연결 규모 8배 확대 루빈 울트라는 GPU 간 연결 규모를 기존 72개에서 최대 576개로 확대 적층 수를 낮추더라도 빠른 HBM을 탑재한 GPU 수백 개를 연결해 전체 연산 성능을 높이는 구조 NVHBM은 엔비디아의 독자 연결 기술 규격인 NV링크에 최적화될 예정 📌 삼성의 턴키 경쟁력 부각 NVHBM은 D램뿐 아니라 로직 기반 베이스다이의 설계·생산 역량이 필요 삼성전자는 메모리와 파운드리 역량을 모두 보유해 베이스다이부터 HBM까지 일괄 대응 가능 HBM 경쟁이 고적층 중심에서 속도·공급능력·커스텀 설계 역량으로 확대될 경우 삼성의 강점이 부각될 전망 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi

💻 파나소닉, CCL 등 PCB 핵심 소재 가격 최대 30% 인상...9월부터 적용 📌 주요 PCB 소재 최대 30% 인상 일반 다층기판용 동박적층판(CCL)·프리프레그 각각 +30% 반도체 패키지 기판 소재도 CCL·프리프레그 각각 +30% 저손실 다층기판 소재 MEGTRON·XPEDION은 각각 +15% 📌 고부가 소재까지 가격 인상 확산 CEM-3 유리복합기판 소재 +30%, 연성회로기판(FCCL) 소재 +15% AI 서버·반도체용 고사양 PCB 소재 가격 상승 압력 확대 여부 주목 📌 9월 1일 출하분부터 적용 2026년 9월 1일 출하분부터 공장출하가(Ex-Factory) 기준 인상 대상 공장은 일본·중국·대만 등 주요 생산거점으로 광범위 ✅ 독립리서치 그로쓰리서치 https://telegram.me/growthresearch

💻 AI 서버 확산에 전통 패키징까지 공급 부족...와이어 본더 병목 부각 [DigiTimes] 📌 전통 패키징도 쇼티지 AI 서버 출하 증가로 첨단 패키징뿐 아니라 전통 패키징 생산능력까지 공급 부족 가능성 확대 특히 핵심 장비인 와이어 본더 공급이 빠르게 타이트해지는 상황 📌 K&S·ASMPT 과점 구조 K&S와 ASMPT가 글로벌 와이어 본딩 장비 시장 대부분을 차지 K&S는 성숙공정·후공정 장비 전반에서 생산능력 배분이 빠듯한 상황 📌 대체 어려운 장비 특성 와이어 본딩은 성숙 기술이지만 장비는 범용 제품이 아니어서 공급업체 변경이 쉽지 않음 기존 공정 최적화와 고객 인증 문제로 K&S 장비의 단기 대체가 어려운 구조 📌 장비 확보 선점 경쟁 전통 패키징 증설도 선결제와 기존 거래관계가 중요해지는 국면 AI 투자 사이클이 HBM·첨단 패키징에서 범용 후공정 장비까지 확산되는 흐름 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi

💻 TSMC 파운드리 점유율 73%…삼성전자 7% 유지 📌 2분기 파운드리 시장 29% 성장 AI 반도체 관련 주문 급증과 생산능력 재배치 영향 글로벌 파운드리 시장은 전년 동기 대비 29% 성장 첨단 공정과 성숙 공정 모두 수급 불균형 지속 📌 TSMC 점유율 73%로 독주 TSMC는 2분기 시장점유율 73%로 압도적 1위 기록 2나노 공정 양산과 3나노 생산 확대가 성장 견인 8·12인치 성숙 공정과 첨단 패키징 공급 부족도 점유율 상승에 영향 📌 삼성전자 점유율 7% 유지 삼성전자는 전 분기와 동일한 7%로 2위 유지 TSMC와의 점유율 격차는 66%p 중국 SMIC는 내수 수요와 해외 주문 증가로 사상 최대 매출을 기록하며 3위 유지 📌 하반기에도 가격·가동률 강세 전망 카운터포인트리서치는 하반기 파운드리 웨이퍼 ASP의 추가 상승을 전망 순수 파운드리 업체들의 가동률도 비교적 높은 수준을 유지할 것으로 예상 📌 투자 시사점 AI 반도체 수요가 첨단 공정뿐만 아니라 성숙 공정과 첨단 패키징까지 공급 부족을 확산시키는 모습 TSMC의 첨단 공정 지배력이 더욱 강화되는 가운데 삼성전자는 점유율 반등을 위한 2나노 수율 안정화와 신규 고객 확보가 핵심 하반기 ASP 상승과 높은 가동률이 이어질 경우 파운드리 장비·소재와 첨단 패키징 밸류체인의 수요 환경도 우호적일 전망 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi

✅ 중국 메모리 성장에도 ‘빅3’ 기술 우위 지속 📌 메모리 빅3, 전 제품군에서 강력한 입지 삼성전자·SK하이닉스·마이크론은 HBM부터 서버·PC·모바일·소비자용 메모리까지 폭넓은 제품군 확보 삼성전자는 범용 DRAM과 PC·모바일·엔터프라이즈·소비자용 NAND에서 선두권 유지 SK하이닉스는 HBM 분야 선두, 마이크론은 전 제품군에서 경쟁력 확대 📌 CXMT, 범용 DRAM 중심으로 추격 CXMT는 DDR4 중심에서 DDR5·LPDDR5X로 제품군 확대 PC·모바일용 LPDDR 시장에서는 성장 중이지만 서버 DRAM은 아직 제한적인 위치 HBM은 개발 및 샘플링 단계로, 빅3와 비교하면 기술·고객 기반에서 격차가 존재 CXMT 공식 제품 기준 DDR5는 최대 8,000Mbps와 16Gb·24Gb 용량을 지원 📌 YMTC, 고부가 제품 시장은 과제 모건스탠리는 소비자용 NAND에서는 빠르게 성장하고 있지만 엔터프라이즈 NAND에서는 초기 단계로 평가 2026년 2분기 NAND 출하량 기준 점유율은 14%로 글로벌 3위까지 상승했지만, 출하량 확대가 곧바로 엔터프라이즈 SSD 경쟁력과 수익성 격차 해소를 의미 않음 📌 중국 업체의 한계 CXMT는 고부가 HBM과 서버 DRAM, YMTC는 글로벌 엔터프라이즈 NAND 시장에서 입지가 제한적 미국의 수출통제도 첨단 장비 확보와 글로벌 고객 확대에 부담으로 작용 중국 업체들은 범용 제품과 자국 시장에서 빠르게 성장하고 있지만, 첨단 제품·수율·고객 인증을 포함한 종합 경쟁력에서는 빅3와 격차 📌 투자 시사점 단기적으로 중국 메모리 증설은 범용 DRAM·NAND 공급 경쟁을 심화할 가능성 HBM·고성능 서버 DRAM·엔터프라이즈 SSD 등 고부가 제품은 빅3의 기술력과 고객 기반이 여전히 진입장벽 향후 CXMT의 HBM 양산 및 서버 DRAM 확대, YMTC의 엔터프라이즈 SSD 고객 확보 여부가 격차 축소의 핵심 지표 ✅ 독립리서치 그로쓰리서치 https://telegram.me/growthresearch

💻 [단독] 에스티아이, 대만 ASE 리플로우 장비 품질테스트 진행…SK하이닉스 넘어 공급처 다변화 https://biz.heraldcorp.com/article/10855183 📌 11월 ASE 퀄 결과가 핵심 촉매 대만 ASE에 리플로우 데모 장비 투입, 현재 품질인증 테스트 진행 중 테스트 결과는 오는 11월께 예상되며, 일정은 진행 상황에 따라 변동 가능 퀄 통과 후 양산 공급 시 약 60대, 400억원 규모 공급 가능성 거론 📌 PSK홀딩스 단독 공급망 이원화 기회 현재 ASE 리플로우 장비는 국내 업체 중 PSK홀딩스가 유일하게 공급 중인 것으로 파악 ASE가 공급망 이원화를 위해 에스티아이 장비 테스트를 진행하는 것으로 알려짐 에스티아이는 SK하이닉스 HBM 생산라인 공급을 통해 확보한 리플로우 레퍼런스를 기반으로 해외 고객사 진입 추진 📌 삼성·SK 매출 의존도 76% → 해외 고객 다변화 상반기 매출 비중 삼성전자 45%, SK하이닉스 31%로 양사 합산 76% 6월 말 수주잔고 2,143억원으로, ASE 예상 공급액 400억원은 기존 수주잔고의 약 19% 수준 리플로우가 포함된 Wet System 상반기 매출은 99억원·6.8%에 불과해 ASE 수주 현실화 시 사업 외형 확대 효과가 클 전망 📌 ASE 진입 넘어 TSMC 첨단 패키징 생태계로 ASE는 글로벌 OSAT 1위이자 TSMC ‘3DFabric 얼라이언스’ 공식 파트너 AI·HBM 수요 확대로 CoWoS 등 첨단 패키징 투자를 확대 중이며, 올해 설비투자 규모는 105억달러 ASE는 첨단 패키징 매출을 2027년까지 올해 대비 2배 수준으로 확대할 계획 ASE 공급 레퍼런스 확보 시 대만 및 글로벌 첨단 패키징 고객사 확장의 교두보가 될 가능성 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi

💻 모건스탠리: 글로벌 DRAM 증설 본격화, 중국 CXMT도 빠르게 확대 📌 글로벌 DRAM 증설 본격화 글로벌 DRAM 생산능력은 2025년 약 2,000K wpm에서 2028년 3,374K wpm까지 확대 전망 특히 2027~2028년 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 모두 생산능력을 크게 늘릴 것으로 예상 AI 서버와 HBM 수요 증가에 대응하기 위한 DRAM 업계의 증설이 본격화되는 모습 📌 CXMT 생산능력 빠르게 확대 CXMT는 2025년 약 200K wpm에서 2028년 약 500K wpm까지 생산능력을 확대할 전망 이에 따라 글로벌 DRAM 생산능력에서 CXMT가 차지하는 비중은 2028년 약 15%까지 상승 예상 중국이 DRAM 생산능력 측면에서는 기존 메모리 3사를 빠르게 추격하는 흐름 📌 결국 중요한 건 늘어난 공급의 방향 삼성전자·SK하이닉스 역시 2028년까지 큰 폭의 캐파 확대가 예상되는 상황 다만 전체 캐파 증가가 곧바로 범용 DRAM 공급 증가를 의미하는지는 별도로 봐야 함 결국 2027~2028년 증설 물량이 HBM·서버용에 얼마나 배정되고, CXMT가 범용 DRAM 공급을 얼마나 늘리는지가 향후 수급의 핵심 변수 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi

💻 삼성전기, MLCC 가격 최대 30% 인상…가격 상승세 본격화 https://www.newspim.com/news/view/20260827001058 📌 유통 넘어 OEM·ODM까지 가격 인상 확대 삼성전기, 4분기 주요 OEM·ODM 고객 대상 소비자용 X5R MLCC 가격 평균 25~30% 인상 전망 기존 유통업체 중심 가격 조정에서 주요 고객사까지 인상 범위 확대 주문 조절과 동시에 고부가 MLCC 생산능력 확보를 위한 조치로 분석 📌 AI 서버용 고사양 MLCC도 10~20% 인상 AI 서버에 사용되는 고사양 X6S 제품도 평균 10~20% 가격 인상 예상 AI 데이터센터 투자 확대와 광통신 모듈 공급 부족으로 관련 MLCC 수요 증가 범용 제품뿐 아니라 고부가 AI용 제품까지 가격 상승이 확산되는 흐름 📌 대만·중국 가동률 90% 근접, 공급 타이트 삼성전기가 소화하지 못한 중·고용량 MLCC 주문이 대만·중국 업체로 이동 대만·중국 업체 역시 4분기 가격을 평균 10~20% 인상할 전망 일부 업체 가동률은 이미 90%에 근접해 4분기 수급 타이트 현상 심화 예상 📌 MLCC 신규 가격 상승 사이클 진입 트렌드포스는 삼성전기 가격 인상을 MLCC 산업의 새로운 가격 상승 사이클 진입 신호로 평가 4분기 수급 격차 확대에 따른 추가 가격 상승 가능성 주목 향후 무라타·타이요유덴 등 일본 업체까지 가격 인상에 동참할 경우 업계 전반의 ASP 상승 모멘텀 강화 가능 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi

💻 차세대 후공정, 패널레벨패키징(PLP) 한번 주목해보시면 좋겠습니다. 파운드리 업체들이 패널레벨패키징(PLP)을 도입하려는 움직임이 점점 커지고 있는데요. • TSMC: PLP를 CoPoS로 명명. PLP 본격 양산 및 램프업 준비 → 현재 파일럿 라인 설치 중 • 삼성파운드리: '15년부터 웨어러블 중심으로 일부 PLP 채택 → 향후 AI·HPC용 패키징까지 적용 확대 추진 AI 반도체가 고성능화될수록 연산 다이와 HBM이 늘어나고, 그만큼 패키지 크기도 계속 커지고 있습니다. 그러다 보니 기존 원형 웨이퍼 기반 패키징의 면적 효율과 원가 측면에서 한계가 점점 부각되고 있고요. ⓐPLP가 무엇인지, ⓑ왜 지금 도입하려고 하는지, ⓒ실제로 어떤 업체들이 움직이고 있는지, 그리고 ⓓ밸류체인에서 어떤 기업들을 볼 수 있는지까지 저희가 이번 보고서에 정리해드렸습니다. 차세대 후공정 쪽 관심 있으신 분들은 한번 공부해보시면 좋을 것 같습니다. 🔥 패널레벨패키징 산업보고서 다시보기 https://contents.premium.naver.com/growthresearch/growth/contents/260629015728771id 📌 1. AI 패키지 대형화에 따른 PLP 전환 본격화 AI 가속기 고성능화에 따른 연산 다이·HBM 탑재량 및 패키지 면적 확대 300mm 원형 웨이퍼 기반 패키징의 면적 손실 및 생산·원가 효율성 저하 대형 사각 패널 기반 PLP의 차세대 첨단 패키징 기술 부상 📌 2. TSMC 진입에 따른 PLP 상용화 가시성 확대 사각 패널 적용에 따른 면적 활용도 개선 및 패키지당 비용 42~50% 절감 가능성 삼성전자의 FO-PLP 양산 레퍼런스 확보 및 AI·HPC 영역으로의 적용 확대 TSMC의 CoPoS 파일럿 투자 및 공급망 구축에 따른 PLP 시장 본격 진입 📌 3. PLP·유리기판 동반 상용화 및 밸류체인 수혜 기대 PLP의 면적 효율 개선과 유리기판의 휨·미세 배선 문제 개선이라는 상호보완적 역할 AI 패키지 대면적화 및 비용 상승 대응을 위한 두 기술의 동시 채택 가능성 확대 PLP 검사장비 기가비스, 공정장비 AP시스템 등 관련 장비업체의 수혜 가능성 부각 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi