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✅ 중국 메모리 성장에도 ‘빅3’ 기술 우위 지속 📌 메모리 빅3, 전 제품군에서 강력한 입지 삼성전자·SK하이닉스·마이크론은 HBM부터 서버·PC·모바일·소비자용 메모리까지 폭넓은 제품군 확보 삼성전자는 범용 DRAM과 PC·모바일·엔터프라이즈·소비자용 NAND에서 선두권 유지 SK하이닉스는 HBM 분야 선두, 마이크론은 전 제품군에서 경쟁력 확대 📌 CXMT, 범용 DRAM 중심으로 추격 CXMT는 DDR4 중심에서 DDR5·LPDDR5X로 제품군 확대 PC·모바일용 LPDDR 시장에서는 성장 중이지만 서버 DRAM은 아직 제한적인 위치 HBM은 개발 및 샘플링 단계로, 빅3와 비교하면 기술·고객 기반에서 격차가 존재 CXMT 공식 제품 기준 DDR5는 최대 8,000Mbps와 16Gb·24Gb 용량을 지원 📌 YMTC, 고부가 제품 시장은 과제 모건스탠리는 소비자용 NAND에서는 빠르게 성장하고 있지만 엔터프라이즈 NAND에서는 초기 단계로 평가 2026년 2분기 NAND 출하량 기준 점유율은 14%로 글로벌 3위까지 상승했지만, 출하량 확대가 곧바로 엔터프라이즈 SSD 경쟁력과 수익성 격차 해소를 의미 않음 📌 중국 업체의 한계 CXMT는 고부가 HBM과 서버 DRAM, YMTC는 글로벌 엔터프라이즈 NAND 시장에서 입지가 제한적 미국의 수출통제도 첨단 장비 확보와 글로벌 고객 확대에 부담으로 작용 중국 업체들은 범용 제품과 자국 시장에서 빠르게 성장하고 있지만, 첨단 제품·수율·고객 인증을 포함한 종합 경쟁력에서는 빅3와 격차 📌 투자 시사점 단기적으로 중국 메모리 증설은 범용 DRAM·NAND 공급 경쟁을 심화할 가능성 HBM·고성능 서버 DRAM·엔터프라이즈 SSD 등 고부가 제품은 빅3의 기술력과 고객 기반이 여전히 진입장벽 향후 CXMT의 HBM 양산 및 서버 DRAM 확대, YMTC의 엔터프라이즈 SSD 고객 확보 여부가 격차 축소의 핵심 지표 ✅ 독립리서치 그로쓰리서치 https://telegram.me/growthresearch

💻 [단독] 에스티아이, 대만 ASE 리플로우 장비 품질테스트 진행…SK하이닉스 넘어 공급처 다변화 https://biz.heraldcorp.com/article/10855183 📌 11월 ASE 퀄 결과가 핵심 촉매 대만 ASE에 리플로우 데모 장비 투입, 현재 품질인증 테스트 진행 중 테스트 결과는 오는 11월께 예상되며, 일정은 진행 상황에 따라 변동 가능 퀄 통과 후 양산 공급 시 약 60대, 400억원 규모 공급 가능성 거론 📌 PSK홀딩스 단독 공급망 이원화 기회 현재 ASE 리플로우 장비는 국내 업체 중 PSK홀딩스가 유일하게 공급 중인 것으로 파악 ASE가 공급망 이원화를 위해 에스티아이 장비 테스트를 진행하는 것으로 알려짐 에스티아이는 SK하이닉스 HBM 생산라인 공급을 통해 확보한 리플로우 레퍼런스를 기반으로 해외 고객사 진입 추진 📌 삼성·SK 매출 의존도 76% → 해외 고객 다변화 상반기 매출 비중 삼성전자 45%, SK하이닉스 31%로 양사 합산 76% 6월 말 수주잔고 2,143억원으로, ASE 예상 공급액 400억원은 기존 수주잔고의 약 19% 수준 리플로우가 포함된 Wet System 상반기 매출은 99억원·6.8%에 불과해 ASE 수주 현실화 시 사업 외형 확대 효과가 클 전망 📌 ASE 진입 넘어 TSMC 첨단 패키징 생태계로 ASE는 글로벌 OSAT 1위이자 TSMC ‘3DFabric 얼라이언스’ 공식 파트너 AI·HBM 수요 확대로 CoWoS 등 첨단 패키징 투자를 확대 중이며, 올해 설비투자 규모는 105억달러 ASE는 첨단 패키징 매출을 2027년까지 올해 대비 2배 수준으로 확대할 계획 ASE 공급 레퍼런스 확보 시 대만 및 글로벌 첨단 패키징 고객사 확장의 교두보가 될 가능성 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi

💻 모건스탠리: 글로벌 DRAM 증설 본격화, 중국 CXMT도 빠르게 확대 📌 글로벌 DRAM 증설 본격화 글로벌 DRAM 생산능력은 2025년 약 2,000K wpm에서 2028년 3,374K wpm까지 확대 전망 특히 2027~2028년 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 모두 생산능력을 크게 늘릴 것으로 예상 AI 서버와 HBM 수요 증가에 대응하기 위한 DRAM 업계의 증설이 본격화되는 모습 📌 CXMT 생산능력 빠르게 확대 CXMT는 2025년 약 200K wpm에서 2028년 약 500K wpm까지 생산능력을 확대할 전망 이에 따라 글로벌 DRAM 생산능력에서 CXMT가 차지하는 비중은 2028년 약 15%까지 상승 예상 중국이 DRAM 생산능력 측면에서는 기존 메모리 3사를 빠르게 추격하는 흐름 📌 결국 중요한 건 늘어난 공급의 방향 삼성전자·SK하이닉스 역시 2028년까지 큰 폭의 캐파 확대가 예상되는 상황 다만 전체 캐파 증가가 곧바로 범용 DRAM 공급 증가를 의미하는지는 별도로 봐야 함 결국 2027~2028년 증설 물량이 HBM·서버용에 얼마나 배정되고, CXMT가 범용 DRAM 공급을 얼마나 늘리는지가 향후 수급의 핵심 변수 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi

💻 삼성전기, MLCC 가격 최대 30% 인상…가격 상승세 본격화 https://www.newspim.com/news/view/20260827001058 📌 유통 넘어 OEM·ODM까지 가격 인상 확대 삼성전기, 4분기 주요 OEM·ODM 고객 대상 소비자용 X5R MLCC 가격 평균 25~30% 인상 전망 기존 유통업체 중심 가격 조정에서 주요 고객사까지 인상 범위 확대 주문 조절과 동시에 고부가 MLCC 생산능력 확보를 위한 조치로 분석 📌 AI 서버용 고사양 MLCC도 10~20% 인상 AI 서버에 사용되는 고사양 X6S 제품도 평균 10~20% 가격 인상 예상 AI 데이터센터 투자 확대와 광통신 모듈 공급 부족으로 관련 MLCC 수요 증가 범용 제품뿐 아니라 고부가 AI용 제품까지 가격 상승이 확산되는 흐름 📌 대만·중국 가동률 90% 근접, 공급 타이트 삼성전기가 소화하지 못한 중·고용량 MLCC 주문이 대만·중국 업체로 이동 대만·중국 업체 역시 4분기 가격을 평균 10~20% 인상할 전망 일부 업체 가동률은 이미 90%에 근접해 4분기 수급 타이트 현상 심화 예상 📌 MLCC 신규 가격 상승 사이클 진입 트렌드포스는 삼성전기 가격 인상을 MLCC 산업의 새로운 가격 상승 사이클 진입 신호로 평가 4분기 수급 격차 확대에 따른 추가 가격 상승 가능성 주목 향후 무라타·타이요유덴 등 일본 업체까지 가격 인상에 동참할 경우 업계 전반의 ASP 상승 모멘텀 강화 가능 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi

💻 차세대 후공정, 패널레벨패키징(PLP) 한번 주목해보시면 좋겠습니다. 파운드리 업체들이 패널레벨패키징(PLP)을 도입하려는 움직임이 점점 커지고 있는데요. • TSMC: PLP를 CoPoS로 명명. PLP 본격 양산 및 램프업 준비 → 현재 파일럿 라인 설치 중 • 삼성파운드리: '15년부터 웨어러블 중심으로 일부 PLP 채택 → 향후 AI·HPC용 패키징까지 적용 확대 추진 AI 반도체가 고성능화될수록 연산 다이와 HBM이 늘어나고, 그만큼 패키지 크기도 계속 커지고 있습니다. 그러다 보니 기존 원형 웨이퍼 기반 패키징의 면적 효율과 원가 측면에서 한계가 점점 부각되고 있고요. ⓐPLP가 무엇인지, ⓑ왜 지금 도입하려고 하는지, ⓒ실제로 어떤 업체들이 움직이고 있는지, 그리고 ⓓ밸류체인에서 어떤 기업들을 볼 수 있는지까지 저희가 이번 보고서에 정리해드렸습니다. 차세대 후공정 쪽 관심 있으신 분들은 한번 공부해보시면 좋을 것 같습니다. 🔥 패널레벨패키징 산업보고서 다시보기 https://contents.premium.naver.com/growthresearch/growth/contents/260629015728771id 📌 1. AI 패키지 대형화에 따른 PLP 전환 본격화 AI 가속기 고성능화에 따른 연산 다이·HBM 탑재량 및 패키지 면적 확대 300mm 원형 웨이퍼 기반 패키징의 면적 손실 및 생산·원가 효율성 저하 대형 사각 패널 기반 PLP의 차세대 첨단 패키징 기술 부상 📌 2. TSMC 진입에 따른 PLP 상용화 가시성 확대 사각 패널 적용에 따른 면적 활용도 개선 및 패키지당 비용 42~50% 절감 가능성 삼성전자의 FO-PLP 양산 레퍼런스 확보 및 AI·HPC 영역으로의 적용 확대 TSMC의 CoPoS 파일럿 투자 및 공급망 구축에 따른 PLP 시장 본격 진입 📌 3. PLP·유리기판 동반 상용화 및 밸류체인 수혜 기대 PLP의 면적 효율 개선과 유리기판의 휨·미세 배선 문제 개선이라는 상호보완적 역할 AI 패키지 대면적화 및 비용 상승 대응을 위한 두 기술의 동시 채택 가능성 확대 PLP 검사장비 기가비스, 공정장비 AP시스템 등 관련 장비업체의 수혜 가능성 부각 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi

💻 차세대 후공정, 패널레벨패키징(PLP) 한번 주목해보시면 좋겠습니다. 반도체 업체들이 패널레벨패키징(PLP)을 도입하려는 움직임이 점점 커지고 있는데요. 왜 PLP가 필요한지부터 주요 업체들의 진행 상황, 관련 밸류체인까지 이번 산업보고서에서 정리해봤습니다. TSMC: PLP를 CoPoS로 명명. PLP 본격 양산 및 램프업 준비 → 현재 파일럿 라인 설치 중 삼성파운드리: '15년부터 웨어러블 중심으로 일부 PLP 채택 → 향후 AI·HPC용 패키징까지 적용 확대 추진 AI 반도체가 고성능화될수록 연산 다이와 HBM이 늘어나고, 그만큼 패키지 크기도 계속 커지고 있습니다. 그러다 보니 기존 원형 웨이퍼 기반 패키징의 면적 효율과 원가 측면에서 한계가 점점 부각되고 있고요. 그래서 PLP가 무엇인지, 왜 지금 도입하려고 하는지, 실제로 어떤 업체들이 움직이고 있는지, 그리고 밸류체인에서 어떤 기업들을 볼 수 있는지까지 저희가 이번 보고서에 정리해드렸습니다. 차세대 후공정 쪽 관심 있으신 분들은 한번 공부해보시면 좋을 것 같습니다. 🔥 패널레벨패키징 산업보고서 다시보기 https://contents.premium.naver.com/growthresearch/growth/contents/260629015728771id 📌 1. AI 패키지 대형화에 따른 PLP 전환 본격화 AI 가속기 고성능화에 따른 연산 다이·HBM 탑재량 및 패키지 면적 확대 300mm 원형 웨이퍼 기반 패키징의 면적 손실 및 생산·원가 효율성 저하 대형 사각 패널 기반 PLP의 차세대 첨단 패키징 기술 부상 📌 2. TSMC 진입에 따른 PLP 상용화 가시성 확대 사각 패널 적용에 따른 면적 활용도 개선 및 패키지당 비용 42~50% 절감 가능성 삼성전자의 FO-PLP 양산 레퍼런스 확보 및 AI·HPC 영역으로의 적용 확대 TSMC의 CoPoS 파일럿 투자 및 공급망 구축에 따른 PLP 시장 본격 진입 📌 3. PLP·유리기판 동반 상용화 및 밸류체인 수혜 기대 PLP의 면적 효율 개선과 유리기판의 휨·미세 배선 문제 개선이라는 상호보완적 역할 AI 패키지 대면적화 및 비용 상승 대응을 위한 두 기술의 동시 채택 가능성 확대 PLP 검사장비 기가비스, 공정장비 AP시스템 등 관련 장비업체의 수혜 가능성 부각

💻 삼성전자 2028년 FOPLP 양산 목표, 첨단 패키징 경쟁 본격화 [DigiTimes] 📌 2028년 고성능 반도체까지 FOPLP 확대 삼성전자는 2028년 FOPLP(Fan-out Panel Level Packaging) 양산을 목표로 개발 추진 기존 성숙공정 칩 중심의 FOPLP 적용 범위를 고성능 반도체까지 확대할 계획 AI·HPC 시장 성장에 맞춰 첨단 패키징 경쟁력 강화에 나서는 구도 📌 디스플레이 패널 노하우가 차별화 포인트 삼성은 수십 년간 축적한 디스플레이 대면적 패널 제조 경험을 반도체 패키징에 활용 415×510mm 직사각형 패널 포맷을 채택해 웨이퍼 기반 패키징 대비 생산성·원가 경쟁력 개선을 추진 원형 웨이퍼가 아닌 대면적 직사각형 패널에서 다수 칩을 동시에 패키징하는 것이 핵심 📌 TSMC와 '직사각형 패널' 경쟁 TSMC 역시 CoPoS(Chip-on-Panel-on-Substrate)를 통해 패널 기반 첨단 패키징 개발 중 TSMC는 310×310mm 포맷으로 GPU·커스텀 ASIC·HPC 등 고성능 칩 시장을 타깃 삼성 415×510mm vs TSMC 310×310mm로 패널 규격과 제조 접근 방식에서 차별화 📌 AI 패키징 시장의 새로운 경쟁축 AI 가속기 대형화로 첨단 패키징의 면적·생산성·비용 문제가 중요해지면서 패널레벨 패키징이 대안으로 부상 삼성은 파운드리·메모리·패키징을 동시에 보유해 향후 HBM과 AI ASIC을 결합한 턴키 경쟁력 강화 가능 2028년 고성능 FOPLP 양산 현실화 여부가 TSMC 중심 첨단 패키징 시장의 경쟁 구도를 바꿀 핵심 변수 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi

💻 “삼성전자, 중국 반도체 국산화 수혜주라고?”…증권가 분석 이유는 https://n.news.naver.com/mnews/article/009/0005726999 📌 중국산 AI 가속기의 역설, 메모리는 더 필요 KB증권은 중국의 반도체 국산화가 삼성전자 메모리 수요 감소가 아닌 추가 수요 창출로 이어질 것으로 전망 중국산 AI 가속기는 엔비디아 GPU 대비 연산 효율이 낮아 동일 연산량을 처리하려면 더 많은 가속기와 메모리가 필요 중국 AI 인프라 투자가 확대될수록 삼성전자 메모리 수요가 동반 증가하는 구조 📌 中 빅테크 4곳, 삼성에 메모리 LTA 요청 바이두·알리바바·텐센트·바이트댄스 등 중국 4대 CSP가 삼성전자에 다년간 메모리 장기공급계약(LTA)을 요청한 것으로 분석 자체 개발 AI 가속기 생산을 위한 파운드리 외주 협력도 동시에 요청 메모리 공급을 넘어 중국 빅테크의 자체 AI 칩 생태계까지 삼성전자의 사업 기회가 확대될 가능성 📌 CXMT 추격에도 고성능 서버 D램 격차 유지 중국 CXMT가 D램 기술력을 빠르게 끌어올리고 있지만 고성능 서버 D램에서는 삼성전자와 기술·제품 경쟁력 격차가 여전히 존재 AI 서버용 고성능 메모리 시장에서는 중국의 국산화만으로 단기간 내 삼성전자 제품을 대체하기 어렵다는 판단 📌 미·중 AI 데이터센터에 5조달러 투자 KB증권은 2026~2030년 미국·중국 AI 데이터센터 누적 투자 규모를 약 5조달러로 추정 연평균 투자 규모만 1,800조원을 웃돌 전망으로 AI 인프라 투자 사이클은 아직 초기 단계라는 평가 AI 모델 고도화·추론 수요 확대·자체 AI 가속기 확산으로 서버 증설과 함께 서버당 메모리 탑재량 증가도 동시에 진행될 전망 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi

💻SK하이닉스, 구형 낸드플래시 설비 생산성에 고심… “176단 비중 축소가 관건” https://n.news.naver.com/mnews/article/366/0001188831 📌적층세대 비교 ・SK하이닉스: 2분기 기준 176단 비중 약 50% — 구형 공정 의존도 여전히 높음 ・삼성전자: 236단 비중 60% 이상으로 이미 주력세대 전환 완료 ・마이크론: 232단 53%, 차세대 276단은 이미 33%까지 확대 ・YMTC(중국): 232단 비중 68%로 이미 첨단공정 중심 체제 구축 ・키옥시아·샌디스크: 162단(BiCS6) 37%·112단(BiCS5) 34%로 구세대 비중 70% 수준이나, 최신 218단(BiCS8) 비중이 작년 4분기 9%→올 2분기 24%로 2개 분기 만에 3배 가까이 급증 — 전환 '속도'는 빠른 편 📌 왜 적층단수가 중요한가 ・낸드는 셀을 수직으로 쌓는 적층 방식으로 용량·원가효율 동시 개선 — 적층단수가 높을수록 웨이퍼 1장당 데이터 저장량 증가, 원가경쟁력도 함께 향상 ・신세대 전환이 늦은 업체는 동일 물량 생산에도 더 많은 웨이퍼·라인 가동시간이 필요해 수익성에서 불리 ・업계 관계자: "삼성전자는 특정 세대에 물량을 집중시켜 수율·원가를 동시에 잡는 전략, SK하이닉스는 여러 세대가 병존해 라인 운영효율이 상대적으로 떨어질 수밖에 없는 구조" 📌CAPA 기준 vs 실제 비트생산량 괴리 ・SK하이닉스는 지난달 실적발표콜에서 321단 제품이 1분기 낸드 생산 내 최대 비중을 차지했다고 발표 ・다만 이는 생산능력(CAPA) 기준 수치 — 옴디아 등 시장조사업체가 집계하는 실제 비트 생산량 통계와는 상당한 차이 존재 ・일각에서는 SK하이닉스가 기술로드맵상 진전(300단대 비중 확대)을 강조하고 있지만, 실제 매출 성과로는 아직 뚜렷하게 반영되지 않았다는 분석 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi

💻 SK하이닉스 곽노정 "메모리 공급부족 2030년 말까지…이후도 우려안해" https://mobile.newsis.com/view/NISX20260828_0003766114#_across 📌 메모리 쇼티지, 2030년까지 장기화 전망 곽노정 CEO는 현재 메모리 시장에서 하강 국면을 알리는 뚜렷한 신호가 보이지 않는다고 평가 SK하이닉스는 메모리 공급 부족이 2030년 말까지 지속될 것으로 전망 AI 인프라 투자 확대에 따른 HBM·고성능 메모리 수요의 구조적 증가가 장기 업사이클의 핵심 배경 📌 다음 다운사이클은 과거와 다르다 AI 메모리 사업모델이 범용 표준제품에서 부분·완전 맞춤형 제품 중심으로 빠르게 전환 고객 수요에 맞춰 공급하는 비중이 높아지면서 과거 메모리 사이클처럼 공급과잉이 급격하게 발생할 가능성이 낮아졌다는 판단 다운사이클이 오더라도 수요 급감보다는 성장세 둔화 또는 계획 수준 유지에 그칠 것으로 예상 📌 2030년 이후에도 수요 급락 우려 제한적 곽 사장은 "2030년 이후도 우려하지 않는다"며 장기 AI 메모리 수요에 자신감 표명 메모리 산업이 범용제품 중심의 가격·재고 사이클에서 고객 맞춤형 공급 구조로 변화할 경우 실적 변동성 완화 가능성 HBM 중심의 제품 믹스 변화가 SK하이닉스의 중장기 수익성 및 밸류에이션을 지지할 핵심 포인트 📌 미국 추가 투자도 가능성 열어둬 미국 내 추가 반도체 생산시설 투자에 대해 전력·재원·보조금 등 충분한 인센티브가 제공되는 지역이라면 어디든 열려 있다ㅜ고 언급 인디애나 AI 메모리 패키징 기지를 시작으로 미국 내 생산 거점 추가 확대 가능성도 주목 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi

💻 SK하이닉스 美 인디애나 HBM 공장, 2029년 3분기 HBM4E 양산 시작...연간 수십만장 생산 https://www.financialpost.co.kr/news/articleView.html?idxno=272466 📌 2029년 HBM4E 미국 현지 양산 인디애나주 웨스트라피엣에 미국 최초 HBM 어드밴스드 패키징 생산시설 구축 2028년 10월 클린룸 완공 → 2029년 3분기 HBM4E 양산 계획 생산능력은 연간 웨이퍼 수십만 장 규모로, 2030년 미국 핵심 HBM 생산기지로 육성 📌 연간 수십만 장 규모, 미국 HBM 공급망 핵심 거점 곽노정 대표는 인디애나 공장에서 연간 수십만 장의 웨이퍼 생산이 가능할 것이라고 전망 미국 고객사에 현지 생산 HBM을 직접 공급하며 공급망 안정성과 고객 대응력 강화 한국 생산기지와 인디애나를 연계한 한·미 통합 HBM 생산체제 구축 📌 생산 넘어 첨단 패키징·R&D까지 결합 HBM 생산라인과 함께 어드밴스드 패키징 테스트베드 구축 AI 로직칩과 메모리를 하나의 시스템으로 최적화하는 패키징 역량 강화 제조·엔지니어링·R&D 인력 약 1,000명이 협업하는 통합 거점으로 운영 📌 HBM4E 선점과 미국 AI 고객 확대 포석 2013년 세계 최초 HBM 개발 이후 차세대 HBM에서도 기술 리더십 유지 전략 미국 현지 생산을 통해 AI 가속기 고객사의 맞춤형 메모리 수요에 대응 공장 투자로 산업 전반에서 약 7,000개 직·간접 일자리 창출 예상 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi

💻 [속보] SK하이닉스, 'Made in USA' HBM 첫 생산 기지 美 인디애나 낙점 https://www.newsian.co.kr/news/articleView.html?idxno=94354 📌 미국에서 완성하는 ‘Made in USA’ HBM SK하이닉스, 인디애나주 웨스트라피엣에서 어드밴스드 패키징 생산기지 착공 2024년 4월 투자계획 발표 이후 약 2년 4개월 만에 본격적인 건설 단계 진입 SK하이닉스의 미국 내 첫 HBM 생산 인프라로 구축 📌 40억달러 투자, HBM 후공정 현지화 약 40억달러를 투자해 HBM 패키징·테스트 등 첨단 후공정 생산능력 확보 국내에서 생산한 최첨단 웨이퍼를 미국으로 가져와 현지에서 최종 HBM 제품으로 완성 미국 주요 IT·AI 기업에 직접 공급하는 현지 공급망 구축이 핵심 📌 美 정부도 9.6억달러 규모 지원 미국 CHIPS Act에 따라 최대 4.58억달러의 직접 보조금 지원 확정 여기에 5억달러 규모 정부 대출까지 더해져 총 9.58억달러 규모 정책 지원 AI 반도체 핵심 공급망인 HBM의 미국 내 생산 기반 확보라는 전략적 의미 📌 AI 고객사 밀착 대응력 강화 HBM 생산의 핵심 후공정을 미국에 배치하면서 현지 빅테크 고객과의 공급망 거리가 단축 AI 가속기용 HBM 수요 확대에 맞춰 미국 내 공급 안정성과 고객 대응력을 동시에 강화 향후 미국 AI 반도체 생태계 확대 과정에서 SK하이닉스의 HBM 시장 지배력 유지에 중요한 생산 거점으로 활용될 전망 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi

💻 키옥시아·샌디스크, 日 메모리 팹에 310억달러 투자 📌 키옥시아가 샌디스크와 함께 일본 내 메모리 반도체 생산능력 확대를 위해 💥 향후 6년간 5조엔 이상(약 310억달러)​을 투자할 계획이라고 밝힘 📌 구체적인 투자규모 • 기타카미 신규 공장에 1.8조엔 투자 • 신규 공장 첫 제품 출하는 2030년 초 예상 • 키옥시아·샌디스크가 공동으로 증설 추진 • 오타 히로오 CEO는 전체 투자액의 약 1/3을 일본 정부 보조금으로 지원받기를 희망 → AI·데이터센터 중심의 NAND 수요 확대를 염두에 둔 💥중장기 생산능력 선제 확충으로 해석. 일본 정부의 보조금 규모가 실제 투자 집행 속도와 CAPEX 부담을 좌우할 전망. 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi

💻 中 CXMT, 고유전율 D램 소재 양산 적용...삼성·SK '맹추격' https://zdnet.co.kr/view/?no=20260827105351 📌 선두업체 전유물 ‘High-k’ 양산 적용 테크인사이츠 분석 결과, CXMT는 16나노급 G4 공정 기반 LPDDR5X에 HKMG(High-k Metal Gate) 기술을 성공적으로 도입 High-k는 미세공정에서 누설전류를 줄이고 전력 효율·성능을 높이는 핵심 소재로, 삼성전자·SK하이닉스·마이크론이 4~5년 전부터 적용 CXMT가 단순 범용 D램 증설을 넘어 소재·공정 기술에서도 글로벌 3강을 빠르게 추격하고 있다는 점에 주목 📌 HBM2E 초도생산·HBM3 샘플링 진입 CXMT는 18나노급 G3 공정 기반 HBM2E 리스크 양산 단계에 진입한 것으로 파악 16나노급 G4 기반 HBM3는 현재 샘플링 진행 중이며, 15나노급 G5 D램 공정도 개발 중 테크인사이츠는 CXMT의 기술력이 선두업체 대비 약 2세대 뒤처진 것으로 평가했으나 HBM까지 제품군을 빠르게 확대 중 📌 삼성·SK, 다음 승부처는 ‘4F스퀘어’ 삼성전자·SK하이닉스는 10나노 미만 차차세대 D램 D0A에서 기존 6F²보다 셀 면적을 줄인 4F² 구조를 추진할 가능성이 높은 것으로 분석 4F²는 셀 구조를 수직화해 동일 면적 내 집적도를 높이는 방식으로, 성능과 전력 효율 개선이 핵심 마이크론은 4F²보다 셀을 수직 적층하는 3D D램으로 바로 전환할 가능성이 높은 것으로 평가 📌 中 추격 빨라질수록 ‘구조 혁신’ 중요성 확대 CXMT의 High-k 적용은 중국 D램이 단순 생산능력 확대에서 첨단 공정 경쟁 단계로 진입하고 있음을 보여주는 신호 삼성전자·SK하이닉스 입장에서는 미세화만으로 격차를 유지하기 어려워지면서 4F²·3D D램 등 구조적 기술 전환의 중요성이 확대 향후 투자 포인트는 CXMT의 G5·HBM3 양산 진척과 국내 업체의 D0A·4F² 상용화 속도 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi

💻 삼성전자 자체 AI칩용 HBM4 빅테크 공급 잇달아, 전영현 내년 HBM 출하량 2배 늘린다 https://businesspost.co.kr/BP?command=mobile_view&idxno=445760 📌 오픈AI ASIC에 HBM4 독점 공급 오픈AI·브로드컴 공동개발 AI칩 ‘할라페뇨’에 삼성 HBM4 탑재 가속기당 232GB, HBM4 12단 기준 6개 적용 엔비디아 중심이던 HBM 공급처를 빅테크 자체칩으로 다변화 📌 자체 AI칩 성능 경쟁력도 부각 초기 벤치마크에서 할라페뇨는 GB200·GB300 대비 전력당 처리량 1.5~1.9배 지연시간은 1.7~3.6배 낮은 것으로 분석 ASIC 성능 경쟁력 확대 시 삼성 HBM4 수요도 동반 증가 가능 📌 구글·앤트로픽까지 고객 확장 삼성전자는 구글 TPU에도 HBM 공급 중 앤트로픽과는 HBM뿐 아니라 자체 AI칩 파운드리 협력까지 논의 중 2028년 AI 서버용 ASIC 출하량이 GPU를 넘어설 것이란 전망도 제기 📌 2027년 HBM 출하량 2배 전망 키움증권은 삼성 HBM 출하량이 2027년 233억Gb로 전년 대비 109% 증가 전망 UBS는 2027년 HBM 점유율 삼성 41%, SK하이닉스 39% 예상 HBM4E·HBM5까지 이어지는 제품 로드맵으로 점유율 확대 추진 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi

💻 퀄컴 "삼성·SK하이닉스 HBC에 적극적...HBM과 병행 개발" https://www.thelec.kr/news/articleView.html?idxno=61428 📌 HBM과 병행하는 차세대 메모리 전략 삼성전자와 SK하이닉스가 기존 HBM 로드맵을 유지하면서 퀄컴의 HBC 개발에 동참 HBC는 LPDDR을 수직 적층해 가속기 칩 위에 배치하는 메모리 근접 컴퓨팅 구조 양사는 D램 적층을 담당하고 퀄컴은 연산 다이·TSV 설계, TSMC는 통합·패키징을 맡을 전망 📌 HBM 대비 전력 효율·대역폭 대폭 개선 HBC의 데이터 전송 대역폭은 초당 수백 TB/s로, 최신 AI 가속기의 전체 HBM 대역폭 21~24TB/s를 크게 상회 동일 전력 기준 HBM보다 대역폭과 토큰 처리 효율이 각각 6배 높은 것으로 제시 기존 GPU 시스템 대비 동일 전력에서 토큰 처리량을 최대 8배까지 확대 가능 📌 2027년 AI250부터 상용화 1세대 HBC는 퀄컴 AI 가속기 ‘AI250’에 탑재돼 2027년 출하 예정 현재 퀄컴 연구실에서 1세대 제품을 검증 중이며, 양사는 상용화에 필요한 D램 물량을 협의 2028년에는 연산 다이 성능을 높인 2세대 HBC 기반 ‘AI300’ 출시 계획 📌 서버에서 온디바이스 AI까지 시장 확장 하이퍼스케일러가 HBC만 구매해 자체 AI 칩과 결합할 수 있어 독립형 메모리 제품으로 판매 가능 데이터센터 CPU ‘드래곤플라이 C1000’에도 HBC 적용 가능 스마트폰·PC·XR·자동차 등 소비자용 규격도 개발 중으로, 약 3년 후 온디바이스 AI 시장 진입 가능성 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi

💻 엔비디아 실적 발표 이후 Goldman Sachs 엔비디아 추정치 상향 📌 중장기 매출 추정치 대폭 상향 2026E 매출: $412.7B, 기존 대비 +0.5% 2027E 매출: $718.3B, 기존 $635.1B 대비 +13.1% 2028E 매출: $955.0B, 기존 $790.0B 대비 +20.9% 2028년 매출 추정치의 $1조 근접 📌 EPS 추정치도 동반 상향 2027E EPS: $16.70, 기존 대비 +9.5% 2028E EPS: $23.00, 기존 대비 +17.9% 2028E Operating Income 역시 +17.9% 상향 📌 마진 가정은 오히려 하향 2027E Non-GAAP Gross Margin: 75.1% → 72.8% 2028E Non-GAAP Gross Margin: 75.2% → 72.9% 매출 성장률 상향에도 불구하고 보수적인 마진 가정 유지 📌 이번 추정치 변경의 핵심 마진 개선보다 매출 규모 확대에 기반한 실적 상향 2028E 매출 추정치 $165B 상향 기존 추정치 대비 약 21% 상향 엔비디아의 중장기 AI 수요에 대한 Goldman Sachs의 시각 변화 확인 → 실적 발표 직후 2028년 매출 전망을 거의 $1조까지 끌어올린 점이 가장 눈에 띄는 변화 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi

💻 구글 TPU 인텔 EMIB 채택 확대, AI 첨단패키징 다변화 본격화 [DigiTimes] 📌 Google TPU, EMIB 첫 적용 성과 확인 첫 EMIB 적용 TPU가 수율 목표를 달성하며 양산 가능성 확인 기술·비용·생산능력 측면에서도 Google 요구 수준을 충족 향후 세대 TPU에서도 EMIB를 계속 사용할 가능성이 크게 높아진 상황 📌 미디어텍, Google ASIC 수주 경쟁력 강화 미디어텍은 TPU 프로젝트를 통해 인텔 EMIB 협업 레퍼런스를 확보 TSMC 중심 구조를 유지하면서도 복수 패키징 옵션 제시 가능 향후 Google 후속 프로젝트와 다른 CSP ASIC 수주에도 경쟁력 강화 📌 CoWoS 부족이 패키징 다변화 촉진 TSMC CoWoS 공급 부족이 장기화되며 고객사들의 대체 공급망 확보 필요성 확대 EMIB 등 다른 첨단패키징 기술의 채택 가능성이 자연스럽게 높아지는 구조 AI ASIC 시장에서 패키징 공급망 확보가 수주 경쟁의 핵심 변수로 부상 📌 인텔 생태계 확장도 주목 Google TPU를 시작으로 인텔의 외부 첨단패키징 고객 확대 가능성 인텔 자체 CPU 물량까지 더해질 경우 후공정 생태계 성장 여지 존재 테스트 장비·인터페이스 등 관련 공급망 업체에도 신규 기회 가능 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi

💻 [단독] 최태원 5.5조 베팅에 美도 움직였다…인프라 깔고 30년 세수 7천억 https://www.dailian.co.kr/news/view/1683026/%EB%8B%A8%EB%8F%85-%EC%B5%9C%ED%83%9C%EC%9B%90-55%EC%A1%B0-%EB%B2%A0%ED%8C%85-%E7%BE%8E%EB%8F%84-%EC%9B%80%EC%A7%81%EC%98%80-2026 📌 2028년 美 첫 HBM 첨단패키징 거점 가동 SK하이닉스, 인디애나 웨스트라피엣에 38.7억달러(약 5.5조원) 투자 HBM 첨단패키징 생산시설과 R&D 시설 구축, 2028년 하반기 가동 목표 8월 27일 공식 착공식 개최, 기초공사에서 본격적인 구조물 공사 단계로 전환 📌 5.5조 투자에 美 정부도 대규모 지원 美 연방정부, CHIPS Act를 통해 최대 4.58억달러 직접 보조금 + 5억달러 대출 지원 인디애나주는 장기 IDD 지원계약을 통해 최대 약 7.12억달러 규모 세제지원 한도 설정 도로·상하수도 등 주변 인프라 개선에도 최대 4,500만달러 지원 📌 전력·가스·용수까지 HBM 공장 맞춤형 인프라 구축 듀크에너지, 약 2,030만달러를 투입해 신규 송전선로·스위칭스테이션 구축 에어리퀴드는 1.7억달러 이상 투자해 질소·산소·아르곤·수소 등 산업가스 생산설비 2기 건설 하루 평균 약 1,060만ℓ 용수 공급 필요, 폐수처리능력도 하루 1,050만→1,500만 갤런으로 확대 예정 약 2.1㎞ 고압 가스관까지 신설되며 공장 가동을 위한 핵심 인프라가 동시에 구축 📌 美 HBM 공급망 현지화 속도 SK하이닉스 단일 사업장을 중심으로 연방·주정부·지방정부와 현지 유틸리티 업체가 동시에 투자 지원 향후 30년간 발생하는 지역 재산세는 약 5억달러(약 7,000억원)로 추산 미국 내 첫 HBM 첨단패키징 생산거점이라는 점에서 향후 AI 반도체 공급망 현지화의 핵심 생산기지로 자리잡을 전망 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi

💻 中 2027년 성숙공정 장비 국산화율 70% 목표... 장비업체 중국 특수 종료 가능성 📌 신규 팹 장비 절반 이상 ‘중국산’ 의무화 중국 제15차 5개년 계획의 핵심은 미국 제재에 영향받지 않는 독자 반도체 공급망 구축 중국 반도체 업체는 신규 증설 시 국산 장비를 50% 이상 도입하도록 요구받는 상황 2027년에는 성숙공정 기준 장비 국산화율 70%가 목표 SMIC·YMTC·하이실리콘 등 10개 선도기업을 중심으로 각각 50~100개 중소기업과 생태계 구축 📌 28nm 넘어 14nm 장비까지 국산화 확대 SMEE의 28nm용 ArF 액침 노광장비가 검증 단계 진입 NAURA는 28nm용 식각장비 양산을 시작했고, AMEC의 14nm용 식각장비도 SMIC에서 검증 진행 중국산 장비는 현지 반도체 업체 지원 아래 약 1년 만에 검증을 완료하는 등 빠르게 상용화되는 추세 📌 세정·식각부터 일본 장비와 직접 경쟁 특히 세정장비에서는 중국 로컬 업체의 점유율 상승이 뚜렷해 기존 해외 장비사의 사업 환경 변화 국산화 영역도 장비뿐 아니라 EDA·첨단 소재까지 확대될 전망 성숙공정에서 시작된 국산화가 14nm까지 확산될 경우 일본이 강점을 가진 반도체 제조장비 시장의 경쟁 심화 가능성 📌 중국 매출 40% 의존 日 장비사, ‘특수’ 종료 일부 일본계 장비업체는 매출의 약 40%를 중국 시장에 의존 중국의 공격적인 장비 구매로 누렸던 ‘중국 특수’는 종료 국면이라는 인식 향후 중국 반도체 투자 확대 자체보다 중국 투자 중 해외 장비가 차지하는 비중이 얼마나 빠르게 낮아지는지가 글로벌 장비업체 실적의 핵심 변수 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi