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✅“AI 반도체 시대, 소재·부품·장비의 리서치 채널”✅ 채널이 다루는 핵심 영역 ① 소재 (Materials) ② 부품 (Components) ③ 장비 (Equipment) “복잡한 반도체 공급망을 쉽게 번역한다”
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💻 SK하이닉스 “HBM4 12단 양산·16단 인증 중”…하이브리드 본딩으로 20단 이상도 준비
https://biz.heraldcorp.com/article/10849575?ref=naver
📌 HBM4 12단 양산 정상 진행
SK하이닉스는 HBM4 12단 제품이 현재 양산 중이라고 공식 확인
2분기부터 주요 고객사에 공급 시작, 수율·품질도 HBM3E 수준에 근접
설계 변경·공급 지연 우려를 다시 한번 불식
📌 HBM4 16단도 퀄 단계 진입
16단 제품은 현재 고객 인증 단계까지 진척
CES 2026 시제품 공개 이후 양산 개발 단계가 구체화
향후 고용량 HBM 수요 확대 시 선제 대응 가능한 구조
📌 20단 이상은 하이브리드 본딩
기존 MR-MUF를 넘어 차세대 적층 기술로 하이브리드 본딩 제시
범프 없이 칩을 직접 연결해 동일 높이에서 D램 다이를 더 두껍게 유지
범프 간격도 18㎛ 이하로 줄여 성능·열효율 개선 기대
📌 차세대 HBM은 대역폭·전력효율 동시 강화
데이터 I/O 확대와 I/O당 속도 향상으로 전체 대역폭 확대 추진
로직 다이와 TSV 확대를 통해 전력 효율 개선도 병행
HBM4→16단→20단 이상으로 이어지는 패키징 기술 로드맵 선점
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💻반도체 실리콘 웨이퍼, 3년 만에 가격 인상 시작
https://money.udn.com/money/story/5612/9709531?from=edn_maintab_cate
📌 실리콘 웨이퍼 가격 인상 시작
반도체 실리콘 웨이퍼 가격이 코로나 이후 처음으로 본격적인 인상 국면 진입
6·8·12인치 전 규격에서 가격 인상이 논의되고 있으며 인상폭은 10% 이상 수준
12인치 일부 제품은 이미 두 자릿수 인상된 신규 가격이 적용되기 시작
📌 AI 수요가 소재단까지 확산
AI가 선단공정 수요를 끌어올리는 동시에 주변 반도체의 성숙공정 가동률까지 높이는 흐름
반도체 생산량이 늘어나면서 가장 상단에 위치한 실리콘 웨이퍼 수요도 함께 회복
업계 재고조정도 과거보다 건전해지면서 가격 인상이 가능한 환경이 만들어지는 모습
📌 내년까지 가격 상승 이어질 가능성
8인치 웨이퍼는 4분기 내년 가격 협상을 앞두고 두 자릿수 인상을 목표로 협의 중
6인치 제품 역시 고객사와 약 10% 수준의 가격 인상을 논의하는 상황
결국 웨이퍼 가격 상승이 실제로 정착된다면 물량 회복에 판가 상승까지 더해지는 구간으로 넘어갈 수 있음
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💻 “스냅드래곤 넘었다”…삼성 엑시노스 2700, 내부 테스트서 우위
https://mbiz.heraldcorp.com/article/10848937
📌 CPU·GPU 성능서 퀄컴 우위
긱벤치 멀티코어는 일반 모델 대비 19%, 프로 대비 9.5% 높게 측정
GPU 최대 성능도 퀄컴 프로 제품 대비 5% 우위
2.5W 저전력 조건에서는 일반 24%, 프로 22% 앞선 결과
📌 온디바이스 AI 성능도 개선
라마 3.1 8B 기준 답변 생성 속도는 퀄컴 프로 대비 18% 빠름
프롬프트 인식·처리 속도도 5% 높은 것으로 파악
AI 연산 경쟁력이 차세대 갤럭시 차별화 포인트로 부각
📌 전력효율 12.7% 개선
실사용 환경 전력 소모는 엑시노스2700 161mA
퀄컴 프로 제품 185mA 대비 약 12.7% 낮은 수준
삼성 파운드리 2나노 2세대 SF2P 적용으로 효율·발열 개선 기대
📌 자체 AP 확대 시 MX·파운드리 동시 수혜
상반기 외부 모바일 AP 매입액은 7조4,383억원
DX부문 전체 원재료 매입비의 17.9% 차지
S27 채택 비중 확대 시 원가 절감과 시스템LSI·파운드리 물량 증가 기대
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🖥 8월 3주차, 한 주간 반도체 소부장 섹터 핵심 정리
📌 AI 서버용 고사양 MLCC 납기 최대 10개월 수준…데이터센터 수요로 공급 부족 심화
📌 램리서치와 국내 소부장 간 특허전 확대…애프터마켓 성장 속 IP 경쟁 본격화
📌 삼성전자, 첨단 파운드리 가격 최대 15% 인상…4나노 라인 풀가동 지속
📌 AI 인프라 최대 병목으로 ‘발열’ 부상…CPO·STCO 등 차세대 패키징 기술 주목
📌 SK하이닉스, CPO 청사진 공개…메모리와 프로세서를 빛으로 연결하는 구조 제시
📌 코미코, 액면분할 후 거래 재개 첫날 장중 상한가…코스닥150 패시브 수급 주목
🔎 이번 주 포커스: 코미코, 액면분할이 단순 주식수 확대 이상의 의미를 갖는 이유
• 코미코는 반도체 장비 부품의 정밀세정·특수코팅과 세라믹 부품을 주력으로 하는 반도체 소재·부품 기업
• 2023년 미코세라믹스를 종속회사로 편입한 이후 세라믹 부품 매출이 빠르게 성장하며 전체 매출의 절반 이상을 차지
• 2026년 반기 해외 고객 비중이 62.8%까지 확대되며 삼성전자·SK하이닉스 중심 구조에서 Intel·TSMC·Micron 등 글로벌 고객으로 다변화
• 반면 판관비 증가와 비지배지분 이익 유출로 2분기 지배주주 순손익은 적자를 기록하며 연결 실적과 주주 귀속 이익 사이 괴리 발생
• 액면분할 후 거래 재개와 함께 코스닥150 지수 반영이 정상화되며 패시브 수급이 급격히 유입된 것이 주가 급등의 주요 배경
• 향후 핵심은 미코세라믹스 지분 구조 정리와 신규 해외법인 가동률 정상화가 실제 지배주주 이익 개선으로 이어지는지 여부
🔥 한 주 동안의 반도체 소부장 흐름과 함께 코미코의 액면분할이 단순 유동성 확대를 넘어 어떤 의미를 갖는지 자세히 정리해드립니다!
https://contents.premium.naver.com/growthresearch/growth/contents/260823161549792mh
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💻 "엔비디아, AI 서버 가격 15% 이상 인상"
https://n.news.naver.com/mnews/article/092/0002434759
📌 내년 초부터 AI 서버 가격 15%+ 인상
엔비디아, MS·구글·오라클 등 주요 고객사에 내년 출하 시스템 가격 인상 통보
인상폭은 15% 이상으로, AI 칩 세대와 메모리 구성에 따라 차등 적용
차세대 베라 루빈과 그레이스 블랙웰 기반 시스템도 인상 대상
📌 가격 인상의 핵심은 메모리 공급 부족
AI 가속기 핵심 부품인 HBM·D램 가격 급등이 서버 가격 인상의 주요 배경
삼성전자·SK하이닉스·마이크론이 생산을 확대하고 있지만 AI 수요 증가 속도가 공급 확대를 상회
엔비디아의 가격 전가는 메모리 업체의 높아진 가격 협상력을 보여주는 신호
📌 삼성전자·SK하이닉스 협상력 강화
글로벌 D램 시장은 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 3사가 과점하는 구조
AI 서버 가격이 15% 이상 오를 정도로 메모리 원가 부담이 확대되면서 HBM·D램 가격 상승 지속 가능성 부각
차세대 AI 가속기에서도 고용량·고성능 메모리 탑재량 증가가 예상돼 메모리 업체의 수혜 구조 강화
📌 빅테크 AI 투자비 상승에도 엔비디아 의존 지속
MS·구글·아마존·메타가 자체 AI 칩을 개발 중이지만 대규모 데이터센터 구축에는 엔비디아 GPU가 여전히 핵심
서버 가격 상승은 AI 데이터센터 투자비 부담을 키울 수 있으나, 동시에 AI 인프라 공급망의 가격 결정력이 GPU·메모리 업체에 집중되고 있음을 시사
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💻 라피더스 첨단패키징 로드맵, 600mm 패널 기반 초대형 인터포저로 AI 패키징 진화
📌 2030년 8-레티클 인터포저 목표
라피더스는 인터포저 크기를 4레티클 3,320㎟ → 6레티클 4,980㎟ → 8레티클 6,640㎟로 확대할 계획
2030년 유기기판 면적도 14,400㎟까지 확대해 대형 AI·HPC 패키지 수요 대응
향후 Sub-2nm 로직, HBM, 칩렛, 광인터커넥트 등을 하나의 패키지에 통합하는 방향
📌 600×600mm 패널로 생산성 차별화
8레티클 인터포저 기준 300mm 웨이퍼에서는 4개 생산 가능
300×300mm 패널 9개, 510×515mm 패널 36개, 600×600mm 패널에서는 49개 생산 가능
대형 인터포저로 갈수록 웨이퍼 대비 패널레벨패키징의 면적 효율과 생산성 우위가 확대
📌 2028년 양산 겨냥한 패널레벨패키징
라피더스는 600mm 정사각형 글라스 캐리어 위에 RDL을 형성하는 2.xD 패키징 기술 개발 중
Lam Research의 Kallisto 전해도금 장비를 핵심 공정에 활용
2025년 대형 글라스 인터포저 시제품을 공개했으며 2028년 양산을 목표로 추진
📌 TSMC와 다른 ‘초대형 패널’ 승부수
TSMC는 CoWoS 인터포저를 2026년 5.5레티클 → 2027년 9.5레티클 → 2028년 14레티클까지 확대 계획
라피더스는 크기 경쟁보다 600×600mm 패널 공정을 통한 원가·생산성 차별화에 초점
첨단 패키징 확대 과정에서 글라스·RDL·도금·본딩 등 패널레벨 장비·소재 생태계 수요 확대 가능성
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💻 한국 DRAM 수출가격, kg당 92달러 돌파 — 12배 급등에도 둔화 조짐 없음
📌 핵심 수치
・한국 DRAM 수출가격, kg당 92달러로 급등 — 이전 수준 대비 12배 상승, 8월 20일 시점까지도 상승 지속
・2022~2025년 중반까지는 횡보하던 가격이 2025년 말부터 거의 수직 상승 곡선으로 전환
・트렌드포스: 범용 DRAM 고정가격이 2026년 1분기 단독으로 90~95% 급등, 2분기 추가로 58~63% 상승
・삼성전자: 평균 메모리 판매가격이 2025년 전체 평균 대비 약 146% 상승했다고 보고
・DDR4 8Gb 칩 가격, 2025년 초 약 1.30달러에서 5월 20달러까지 급등 후 지속 상승 — 2016년 추적 시작 이래 최고가
📌 왜 한국 수출가격이 유의미한 지표인가
・삼성전자·SK하이닉스 본거지인 한국이 전 세계 메모리반도체의 상당 비중을 수출 — 이 수출데이터가 글로벌 DRAM 가격결정력의 실시간 대리지표 역할
📌 근본 원인 — 의도적 캐파 재배분
・삼성전자·SK하이닉스·마이크론 3사가 전 세계 DRAM 생산의 95% 이상을 지배
・3사 모두 신규 웨이퍼 캐파의 압도적 다수를 AI서버向 HBM으로 전환 — HBM이 휴대폰·노트북向 범용 DRAM보다 훨씬 높은 마진을 확보하기 때문
・데이터센터가 사상 처음으로 전체 DRAM·낸드 생산량의 절반 이상을 소비 — 수십 년간 소비자가전 중심이었던 시장 구조가 근본적으로 역전
📌 업계 리더들의 전망 — 단기 해소 기대 어려움
・최태원 SK그룹 회장: 글로벌 웨이퍼 부족이 2030년까지 지속될 가능성 — 캐파 확장을 결정해도 4~5년이 소요되기 때문
・산제이 메흐로트라(마이크론 CEO): 별도로 2027년 이후에도 타이트한 상황이 지속될 것으로 전망
・마이크론 아이다호, 삼성 텍사스, SK하이닉스 인디애나의 신규 팹은 빨라야 2027년 말 또는 2028년에나 본격 양산 예상 — 신규 공급이 도달하기 전까지 최소 1~2년은 더 이 곡선이 이어질 여지가 있음
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💻 HBM4 이후 기존 점유율 판도 변화 가능성
📌 7월 HBM 수출 프록시, 삼성 강세 지속
충남 지역 멀티칩 메모리 수출을 삼성전자 HBM 출하 흐름을 확인하는 지표로 활용
6월 급증 이후 7월 전체 수출은 감소했지만 여전히 높은 수준을 유지했고, 특히 말레이시아향 수출 강세가 지속
반면 SK하이닉스의 충북·이천 수출은 7월 전월 대비 둔화. 말레이시아향은 증가했지만 삼성 대비 규모가 작은 모습
📌 삼성 HBM4 생산 확대 신호
앞선 6월 데이터에서도 삼성의 수출 ‘중량당 가치’가 MoM +30% 상승한 배경으로 HBM4 비중 확대 가능성
삼성전자 역시 2Q26 HBM4 판매를 확대했다고 공식 발표했으며, 하반기에도 HBM4 중심의 고부가 제품 공급 확대를 계획
TrendForce도 삼성의 HBM4 인증·출하가 앞서면서 출하 전망을 상향하고 시장점유율 확대 가능성을 제시
📌 3Q26 점유율 1위 가능성은 ‘전망’
HBM4 램프업 흐름을 감안하면 삼성전자가 3Q26 HBM 점유율에서 SK하이닉스를 추격하거나 일부 기준에서 선두에 올라설 가능성을 점검할 필요
다만 아직 확정된 점유율이 아닌 수출 데이터 기반의 추정이며, 실제 고객별 출하량과 매출 확인 필요
SK하이닉스 역시 2분기 HBM4 양산 출하를 시작했고 하반기 생산 확대 계획을 공식적으로 밝힌 만큼 경쟁력 약화로 단정하기는 어려움
📌 체크포인트
삼성 HBM4 출하 증가세 지속 여부
26년 하반기 업체별 실제 HBM 매출·점유율
SK하이닉스 HBM4 생산 확대 속도
HBM4 이후 HBM4E에서도 삼성의 경쟁력 회복이 이어지는지 여부
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🔥안녕하세요 그로쓰리서치 입니다.🔥
저희가 다수의 텔레그램 채널을 운영하고 있는데요.
각각의 채널마다 성격이 다르며 채널별로 인사이트 있는 정보를 드리기 위해 노력하고 있습니다.
현재 저희 그로쓰리서치는 총 4개의 텔레그램 채널을 운영하고 있습니다.
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시장에 도움되는 부분들이 아주 많기 때문에 한번씩 들어오셔서 내용 받아보시기 바랍니다. 감사합니다!
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💻 DRAM·NAND 가격 강세 지속, 메모리 업황 가격 모멘텀 강화
📌 DRAM 현물 가격 예상보다 강세
4~5월 약세 이후 6~8월 가격 반등 지속
16Gb DDR5·8Gb DDR4 등 주요 제품 가격이 이번 주에도 한 자릿수 초반 상승
현재 흐름은 분기 기준 약 +30% 수준의 상승을 시사
📌 계약가격도 상승세
일반 DDR5 8월 계약가격은 QoQ +20%대 초중반 수준
9월 가격 상승이 이어질 경우 3Q 전체 ASP 상승률이 +30% 이상으로 확대될 가능성
장기 계약가격 역시 대부분 +20% 이상 상승한 것으로 추정
📌 NAND도 기존 기대치 상회
NAND 현물가격은 분기 초 대비 약 +20% 상승
기존 예상했던 20% 미만 상승보다 강한 흐름
512Gb TLC·256Gb TLC·1Tb QLC 웨이퍼 모두 8월 초부터 가격 반등
📌 수요도 단기적으로 강화
모듈 업체와 OEM이 9월 스마트폰·PC 출시와 4분기를 앞두고 주문 확대
중국 7월 메모리 반도체 수입액도 YoY +200% 증가
전체 반도체 수입액 +71%, 수입량 +9%로 금액 증가폭이 수량 증가를 크게 상회
📌 가격 강세 이유
DRAM 공급이 HBM과 서버용 DRAM으로 이동한 점이 일반 DRAM 공급이 제한되는 점을 주요 배경
장기 DRAM 현물가격에서도 16Gb DDR5·8Gb DDR4 등 주요 제품이 과거 고점을 크게 웃도는 수준까지 상승
📌 투자 관점 함의
현재 3Q ASP 가정은 DRAM +23%, NAND +15%로 유지
현물·계약가격 모두 강한 흐름을 보이고 있어 메모리 가격 환경은 기존 예상보다 우호적인 상황
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💻 삼성전자, AI 반도체 ‘배선 저항’ 45% 낮췄다…미세화 한계 돌파 기술 개발
https://www.dt.co.kr/article/12079400
📌 루테늄 선저항 45% 낮춰
삼성전자 종합기술원이 탄소 기반 촉진제를 활용한 배선 기술 개발
나노미터급 루테늄 배선에서 기존 대비 선저항 약 45% 절감
연구 결과는 세계적 학술지 ‘사이언스’ 본지에 게재
📌 결정 배열 99% 이상 정렬
미량의 탄소 촉진제로 금속 결정 방향과 결정립계를 제어
루테늄 결정의 99% 이상을 동일 방향으로 배열하는 데 성공
비정질 절연막 위에서도 고배향 박막 구현
📌 초미세 배선 병목 해결 가능성
배선 미세화 시 결정립계 충돌로 저항·발열·전력손실 증가
이번 기술은 소재 교체보다 결정구조 제어로 저항을 낮춘 방식
신호 지연 감소와 전력효율 개선에 직접 기여 가능
📌 AI·HPC 첨단공정 적용 기대
향후 실제 공정 적용 시 AI 가속기·HPC용 로직 반도체 성능 개선 기대
트랜지스터 미세화뿐 아니라 배선 기술이 첨단공정 경쟁력 핵심으로 부상
삼성전자의 차세대 로직 공정 원천기술 확보 측면에서 주목
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8 107
💻 하이퍼스케일러, 美 IG 채권시장의 새로운 ‘큰손’으로 부상 [BofA]
📌 하이퍼스케일러 부채 급증 전망
2025년 말 하이퍼스케일러 US IG 부채 약 2,880억 달러
2027년 말 약 6,590억 달러까지 증가 전망
불과 2년 만에 약 2.3배 확대되는 부채 규모
2026~2027년 각각 약 2,000억 달러의 신규 채권 공급을 전제로 한 전망
📌 다른 대형 섹터와의 비교
美 6대 은행의 약 9,000억 달러에 이어 두 번째로 큰 규모로 부상 가능성
약 3,800억 달러 수준에 머무는 대형 통신사 부채 규모의 큰 폭 상회 전망
약 3,000억 달러 수준의 비미국 6대 은행 대비 두 배 이상으로 확대되는 규모
기존 금융·통신 중심의 대형 IG 발행시장에 나타나는 섹터 구성 변화
📌 급증의 핵심 배경
AI 데이터센터 및 컴퓨팅 인프라 투자 확대에 따른 대규모 자본조달 수요
막대한 현금창출력에도 CAPEX 급증을 충당하기 위한 채권시장 활용 확대 가능성
AMZN·META·MSFT·GOOGL·ORCL 등 주요 빅테크 중심의 회사채 발행 증가 전망
📌 채권시장 시사점
하이퍼스케일러의 대규모 발행에 따른 US IG 시장 공급 부담 확대 가능성
빅테크 크레딧의 시장 내 비중 상승에 따른 IG 지수 구성 변화 가능성
투자자 입장에서 금융·통신에 이은 핵심 크레딧 섹터로의 하이퍼스케일러 부상
향후 AI 투자 사이클이 주식시장뿐 아니라 회사채 수급과 크레딧 스프레드에도 영향을 미칠 가능성
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💻 AI 단가는 내려가는데, 기업의 AI 지출은 오히려 가속
Ramp AI Index에서 주목할 부분은 단순한 AI 지출 증가가 아님.
최근 AI 모델의 토큰당 추론 비용은 지속적으로 하락하고 있음에도,
AI 활용도가 높은 기업들의 직원당 AI 지출은 오히려 가파르게 증가하고 있다는 점.
📌 AI 비용 하락 ≠ AI 시장 축소
모델 성능 개선과 경쟁 심화에 따른 토큰당 비용 하락
동일 비용으로 처리할 수 있는 AI 작업량의 지속적 증가
비용 하락에 따른 AI 적용 가능 업무 영역 확대
코딩 에이전트·API·LLM 등 기업 내 AI 사용 빈도 증가
단가 하락 속도를 상회하는 전체 AI 사용량 증가
📌 실제 기업 지출은 가속
2023~2024년 완만했던 상위 10% 기업의 직원당 AI 지출
2025년 중반 이후 나타나는 지출 증가 속도의 가속
2026년 7월 기준 월간 직원당 AI 지출 600달러 이상
최근 두 자릿수 수준까지 확대된 전월 대비 지출 증가율
AI 단가 하락에도 지속되는 기업 AI 예산 확대
📌 핵심은 Price가 아니라 Volume
AI 시장을 볼 때 중요한 변수는 토큰 가격 자체보다 사용량 증가 속도.
Token Price ↓ × Token/Compute Consumption ↑↑ = Total AI Spend ↑
AI가 저렴해질수록 기업들은 더 많은 업무에 AI를 적용하고, Agent는 사람이 직접 프롬프트를 입력하지 않아도 지속적으로 토큰과 Compute를 소비하는 구조.
즉, 단위 경제성 개선 → 사용 사례 확대 → 사용량 폭증 → 총지출 증가의 선순환 가능성.
📌 투자 관점의 시사점
AI 가격 하락을 상쇄하는 수요 탄력성
비용 절감이 새로운 수요를 창출하는 제번스 역설(Jevons Paradox)
AI Agent 확산에 따른 Inference Volume 증가
사용량 증가와 직결되는 GPU·HBM·Networking·전력 수요
AI 산업의 핵심 KPI로 부상하는 Price보다 Volume
👉 AI의 가격이 내려가는데도 AI 지출이 증가한다면, 이는 가격 상승이 아니라 ‘사용량 폭증’이 시장 성장을 주도하고 있다는 의미.
결국 AI 인프라 시장에서 중요한 질문은
“토큰 가격이 얼마나 내려가는가?”가 아니라 “가격 하락보다 사용량이 얼마나 더 빠르게 증가하는가?”
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💻 인텔, 2027년 '레이저 레이크' 일부에 TSMC N2X 도입 검토… 18A-P 수율·성능이 변수(TrendForce)
📌 레이저레이크에 TSMC N2X 채택 전망
인텔 차세대 레이저레이크가 TSMC 2나노 N2X 공정을 활용할 가능성
자체 18A-P 성과에 따라 TSMC와 듀얼소싱 전략을 택할 수 있다는 관측
고성능 CPU 출시 일정·수율·생산능력 리스크를 낮추는 전략
📌 TSMC 2나노 생산능력 경쟁 더 치열
인텔의 N2 계열 주문 확대 시 AMD의 추가 물량 확보 부담 가능성
TSMC N2X는 2027년 양산 로드맵으로 레이저레이크 일정과 부합
첨단 CPU 고객사 간 2나노 생산능력 선점 경쟁 심화 전망
📌 인텔 18A-P·14A도 자체 개발 지속
인텔 18A-P는 위험생산 단계에 진입
18A는 후면전력공급 PowerVia와 High-NA EUV를 적용
차세대 14A는 2028년 대량생산 목표로 TSMC A14와 정면 경쟁
📌 TSMC A16은 4분기 양산
A16은 N2P 대비 동일 전력에서 속도 8~10% 개선
동일 속도 기준 전력 15~20% 절감, 밀도도 8~10% 향상
TSMC는 A14 2028년, A13·A12는 2029년 양산 계획
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💻 [속보]반도체 수출 '역대 최대'…이달 20일까지 198.8% 늘어
https://view.asiae.co.kr/article/2026082109030269827
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💻 500억 달러 대단지 건설… 마이크론, '모태 도시' 보이시를 개조하다(CNBC)
https://www.cnbc.com/2026/08/20/micron-boise-chip-fab-expansion.html?__source=androidappshare
📌 美 DRAM 생산 비중 40% 목표
마이크론은 2035년까지 미국에 총 2,500억달러 투자 계획
보이시와 뉴욕 클레이에 대규모 메모리 생산거점 구축
장기적으로 전체 DRAM의 40%를 미국에서 생산 목표
📌 보이시 첫 첨단 메모리 팹 2027년 가동
보이시에 신규 팹 2개를 건설 중
첫 번째 팹은 2027년 가동 예정
미국 최초의 최첨단 메모리 전공정 생산시설이 될 전망
📌 AI가 DRAM·HBM 수요 구조 바꾼다
최근 분기 마이크론 매출의 76%가 DRAM에서 발생
HBM 확대가 전체 DRAM 공급을 흡수하며 메모리 가격 상승 견인
삼성전자·SK하이닉스와 글로벌 HBM CAPA 경쟁 본격화
📌 AI 메모리 R&D에 추가 100억달러
보이시에 ‘Micron Research Labs’ 신설
향후 10년간 100억달러를 투자해 차세대 메모리·AI 기술 연구
마이크론은 메모리를 단순 부품이 아닌 ‘AI 전략 인프라’로 재정의
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💻 엔비디아, '中 맞춤형 AI 칩' 출시설에…"계획 없다"
https://www.news1.kr/world/northeast-asia/6265105
📌 “중국 전용 LPU 로드맵 없다”
엔비디아가 중국 맞춤형 LPU 개발·출시설을 공식 부인
현재 중국에 LPU를 판매하지 않고 제품 로드맵에도 없다고 설명
그록 기술 기반 연내 출하설과 선을 그은 것
📌 추론용 LPU 기대감은 일단 제동
LPU는 LLM 추론을 고속 처리하는 전용 프로세서
엔비디아는 지난해 12월 Groq와 추론 기술 비독점 라이선스 체결
다만 해당 기술의 중국 전용 제품화는 현재 부인한 상황
📌 H200 중국 판매와는 별개
중국이 최근 H200의 제한적 본토 반입을 허용한 것으로 전해짐
바이트댄스·텐센트는 각각 약 1만개를 공급받은 것으로 보도
미국 수출 허가와 중국의 자국산 우선 정책이 동시에 변수
📌 차세대 CPU ‘Vera’로 우회 공략
엔비디아는 중국 AI칩 시장에서 화웨이에 점유율을 상당 부분 내준 상황
GPU보다 수출통제 부담이 낮은 Vera CPU 판매 확대를 추진
중국 사업 회복은 H200 반입 확대와 Vera 채택 여부가 핵심
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💻 AI 연산량 증가 속도, 이미 무어의 법칙을 상회
AI 발전을 이해할 때 중요한 지표 중 하나는 주요 AI 시스템 학습에 투입되는 연산량(Compute).
차트의 핵심은 2010년을 전후로 연산량 증가 속도가 구조적으로 달라졌다는 점.
📌 딥러닝 이전: 연산량 연평균 1.4배 증가
1950~2009년: AI 학습 연산량 연평균 약 1.4배 증가
장기간에 걸친 비교적 완만한 증가 추세
반도체 성능 개선과 전통적 컴퓨팅 기술 발전 중심의 성장
📌 딥러닝 시대: 연산량 연평균 4배 증가
2010년 이후: AI 학습 연산량 연평균 약 4배 증가
로그 스케일에서도 확인되는 추세선 기울기의 급격한 상승
대규모 딥러닝 모델 확산에 따른 Compute 수요 폭증
연간 4배 증가를 단순 복리로 환산할 경우,
5년 → 약 1,000배
10년 → 약 100만 배
수준의 연산량 확대 가능성.
📌 무어의 법칙보다 빠른 이유
전통적인 컴퓨팅 성능은 18~24개월마다 약 2배 향상되는 무어의 법칙 기반의 성장.
반면 AI는 단순한 반도체 성능 개선을 넘어 여러 기술 요소가 동시에 개선되는 구조.
• 대규모 GPU·AI 가속기 클러스터 확대
• HBM·메모리·네트워크 성능 향상
• 모델 아키텍처 및 학습 방식 등 알고리즘 효율 개선
• AI 데이터센터 중심의 자본투자 및 인프라 확대
• 시스템 단위 최적화를 통한 실질 연산 효율 상승
📌 투자 관점의 핵심 포인트
AI 성능 향상은 단순한 반도체 성능 개선의 함수가 아닌 전체 인프라 스택의 동시 발전 결과.
Chip → Memory → Networking → System → Data Center → Algorithm
• GPU뿐 아니라 메모리·네트워크·전력·냉각까지 확장되는 AI 인프라 수요
• 모델 대형화에 따른 데이터센터 규모 및 전력 소비 증가
• 연산량 확대 과정에서 부각되는 전력·HBM·네트워크·데이터센터 병목
• 단일 칩 성능보다 중요해지는 시스템 전체의 확장성 및 효율성
👉 AI가 무어의 법칙을 넘어서는 핵심 배경은 하나의 기술 혁신이 아니라
여러 기술 곡선의 동시 가속.
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💻 [단독] 'HBF 원팀' 나온다…주성엔지 등 소부장 60곳 참여
https://www.wowtv.co.kr/NewsCenter/News/Read?articleId=A202608200823&t=NNv
📌 삼성·SK 인프라 활용해 HBF 상용화 가속
삼성전자·SK하이닉스가 정부 주도 ‘K-문샷’ 프로젝트 참여
반도체 부문에 약 1조원 예산 투입, HBF 핵심 기술 선점 목표
양사의 선단공정·생산설비를 활용해 HBF 발열 등 핵심 기술 검증 추진
📌 주성엔지니어링 등 소부장 60곳 참여 타진
국내 반도체 소부장 약 60곳이 프로젝트 참여 의향서 제출
주성엔지니어링 등이 참여 의사를 밝혔으며 과제 공고 후 최종 기업 선발 예정
특히 HBF 패키징 분야에서 국내 소부장 역할이 커질 것으로 기대
📌 삼성·SK 핵심 인력까지 R&D 전진 배치
삼성전자·SK하이닉스 핵심 인력이 참여하는 별도 R&D 위원회 구성 추진
메모리 업체 개발 일정과 소부장 기술개발을 연계해 산업 현장 적용 속도 제고
HBM에 이어 차세대 AI 메모리 HBF 생태계까지 국내 공급망 선점 전략
📌 9월 로드맵 확정→내년 상반기 사업 착수
정부는 9월 HBF 연구개발 로드맵을 확정하고 2027년 상반기 사업 착수 계획
삼성·SK 인프라와 국내 소부장 기술력을 결합해 HBF 상용화 시점 단축 목표
향후 과제 선정 과정에서 장비·소재·패키징 관련 기업의 직접 수혜 여부가 핵심 관전 포인트
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💻 피에스케이·램리서치, 베벨에처 특허소송 핵심 쟁점 압축...9월 원본 도면 확인(TrendForce)
📌 핵심은 GDR 구조 침해 여부
램리서치는 피에스케이 장비가 자사 247 특허의 GDR 구조를 침해했다고 주장
PSK는 해당 부품이 링 형태가 아닌 중앙이 막힌 패널 구조라고 반박
구조 차이가 직접침해 판단의 핵심 쟁점
📌 9월 원본 설계도면 직접 확인
재판부는 피에스케이가 비공개 원본 도면을 다음 기일에 제출하도록 조정
램리서치가 문제 삼는 수치 정보를 재판부가 직접 확인할 예정
도면상 구조가 링인지 패널인지가 향후 판단에 중요
📌 피에스케이, 6개 특허 중 5개 무효화
피에스케이는 램리서치·참엔지니어링 관련 6개 특허에 무효심판 제기
이 가운데 5개는 무효화에 성공
현재 남은 247 특허는 2024년 대법원에서 유효성이 확정
📌 국산 장비 시장 진입과 특허 리스크 병존
피에스케이는 베벨에처 국산화 후 SK하이닉스 등 고객사에 공급
램리서치 독점 시장에 진입하며 경쟁구도 변화
9월 도면 검증과 이후 침해 판단이 사업 불확실성 해소의 핵심 촉매
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