Новости электроники
Open in Telegram
Новости электронной отрасли, производство электроники, технологии, события, аналитика, рынок
Show more699
Subscribers
+124 hours
+17 days
+330 days
Posts Archive
Правительство утвердило балльную систему для оборудования по производству чипов. Требования начнут действовать с сентября 2026 г.
Постановление вводит балльную систему для восьми категорий оборудования: установки для эпитаксиального выращивания полупроводниковых структур, литографы, установки ионной имплантации, оборудование для производства полупроводниковых слитков, для термической обработки пластин (осаждения, диффузии и пр.), для формирования тонкопленочных структур, лазерное оборудование для обработки и полировки полупроводниковых пластин.
Например, производителям литографов будут давать по 30 баллов за российские источники излучения, катодные узлы, объективы, оптические тракты, электронно-оптические системы, вакуумные насосы, модули совмещения и высоковольтные источники питания, по 20 баллов — за использование отечественных механизмов перемещения пластин, контроллеров и устройств сопряжения, по 10 — за детекторы электронов, механизмы загрузки, ИБП, электротехнику и каркас.
Для каждого вида оборудования установлены минимальные пороги баллов с поэтапным ужесточением. Для эпитаксиального оборудования минимальный порог вырастет с 130 до 250 баллов, для литографического — с 80 до 170 баллов, для установок ионной имплантации — с 180 до 210 баллов (требования вступят в силу только с 2029 г.). Для оборудования термической обработки пластин порог повысится с 80 до 170 баллов, для установок формирования тонкопленочных структур — с 90 до 250 баллов, для лазерного оборудования — с 70 до 160 баллов, а для полировальных и шлифовальных машин — с 90 до 210 баллов.
Подробнее: https://www.cnews.ru/news/top/2026-06-16_pravitelstvo_utverdilo
#новостиэлектроники
Разработана новая высокоэффективная технология жидкостного охлаждения чипов
Исследователи успешно поддерживали температуру чипа ниже 100 °C даже в условиях экстремального тепловыделения, превышающего 2000 Вт на квадратный сантиметр (Вт/см2).
Центры обработки данных с искусственным интеллектом потребляют много энергии. Вычисления, выполняемые с помощью искусственного интеллекта, не только потребляют огромное количество электроэнергии, но и требуют значительного количества энергии для охлаждения полупроводниковых чипов, которые нагреваются во время работы. По мере того как чипы для искусственного интеллекта становятся все более производительными, количество выделяемого ими тепла стремительно увеличивается. В результате обычное воздушное охлаждение и внешние медные теплоотводы приближаются к пределу своих возможностей. Чтобы решить эту проблему, исследовательская группа Корейского института передовых технологий разработала сверхэффективную технологию жидкостного охлаждения, которая позволяет охлаждать полупроводниковые чипы изнутри.
Статья опубликована в журнале Energy Conversion and Management.
Исследователи сосредоточились на структуре микроканалов, встроенных непосредственно в кремниевый чип. При микроканальном охлаждении тепло отводится через микроскопические каналы для жидкости, которые меньше человеческого волоса. В традиционных конструкциях охлаждающая жидкость должна проходить через множество микроканалов от одного конца чипа к другому. Такой длинный путь потока увеличивает сопротивление потоку и требует большей мощности насоса для циркуляции охлаждающей жидкости.
Разработанная исследовательской группой конструкция коллектора распределяет охлаждающую жидкость по нескольким входным каналам, а затем собирает ее через несколько выходных каналов. Можно провести аналогию с логистической сетью: вместо того чтобы доставлять все товары из одного пункта в отдаленный пункт назначения, можно стратегически разместить несколько распределительных центров, чтобы сократить расстояние транспортировки.
Поскольку охлаждающая жидкость проходит по каждому каналу лишь небольшое расстояние, сопротивление потоку снижается, а требуемое давление насоса становится намного меньше. В то же время охлаждающая жидкость распределяется по чипу более равномерно, что способствует равномерному распределению температуры по всему устройству.
Ключевое новшество этой работы заключается не просто в уменьшении размеров микроканалов. Исследователи систематически оптимизировали ширину, высоту, количество, расположение каналов и скорость потока охлаждающей жидкости, чтобы добиться максимальной эффективности охлаждения при минимальных потерях энергии. Для этого они использовали систему многоуровневой оптимизации: сначала с помощью быстрой одномерной модели исследовали широкий диапазон возможных вариантов, а затем дорабатывали выбранные проекты с помощью высокоточного моделирования.
Подробнее: https://russianelectronics.ru/razrabotana-novaya-vysokoeffektivnaya-tehnologiya-zhidkostnogo-ohlazhdeniya-chipov/
#новостиэлектроники
Высокопроизводительные серверы компанииНИЦЭВТ, (входит в «Росэл») для задач искусственного интеллекта включены в Единый реестр российской радиоэлектронной продукции Минпромторга России
Оборудование предназначено для построения ИТ-инфраструктуры предприятий, госучреждений, центров обработки данных и высоконагруженных вычислительных комплексов, также может применяться в системах компьютерного зрения. Разработки холдинга позволят импортозаместить зарубежные аналоги на промышленных предприятиях и в дата-центрах.
Оборудование обеспечивает быструю передачу данных, одновременное выполнение множества операций и круглосуточную бесперебойную работу в условиях дата-центров с высокой температурой и плотной компоновкой. Такие характеристики оборудования критически важны для задач искусственного интеллекта и эффективного обучения нейросетей. Устройство может работать как в корпоративных контурах, так и в составе специализированных вычислительных комплексов.
Новости электроники MAX I VK
#новостиэлектроники
Ученые Университета МИСИС, РУДН и РХТУ разработали новый подход к переносу сверхтонкого графена на пластины для гибкой электроники и высокоскоростных вычислительных устройств.
Эксперименты показали, что сопротивление перенесенного графена снижается почти в 18 раз по сравнению с традиционным методом.
Традиционно для переноса графена в качестве поддерживающей пленки применяют полиметилметакрилат. Однако, как отмечают исследователи, этот полимер не растворяется полностью, может оставаться на поверхности материала и вступать с ним в химическую реакцию. Это приводит к появлению дефектов, трещин и загрязнений, которые снижают качество графена и влияют на работу устройств.
Новый подход предполагает использование другого полимера - полибутилметилакрилата. Он слабее взаимодействует с графеном и меньше повреждает его при переносе, что помогает сохранить высокую электропроводность материала. Кроме того, такой полимер легче синтезировать в лаборатории благодаря более доступному исходному веществу - бутилметакрилату.
Подробнее: https://tass.ru/nauka/27768583
#новостиэлектроники
ИИ поможет работодателям РФ моментально «браковать» соискателей «по морде лица»
Разработчики моментального определения профпригодности россиян по лицу выходят на государственный уровень. Cколковский стартап «Ньювижн-Эмоции» подал заявку в Минцифры на включение своей системы в области биометрического профайлинга «Профотбор будущего».
Это позволит разработчику продавать решение в области почти моментальной профориентации граждан по фотографиям через госзакупки для госорганов, госструктур и госкомпаний. Один из главных аргументов в пользу выбора системы — экономия средств. Если психологи тестируют профпригодность россиян по цене 2000 руб. за каждого, то стартап утверждает, что его система обойдется всего в 10 руб. за одного человека. Тестирование уже началось в одном из российских регионов.
Как выяснил CNews, резидент «Сколково» — ООО «Ньювижн-Эмоции» — подал заявку в Минцифры о включении в реестр российского ПО адаптированной версии интеллектуальной системы профдиагностики «Профотбор будущего», созданной на основе технологии биометрического профайлинга. Заявка была подана 15 июня 2026 г., а теперь готовится ее экспертная оценка.
Биометрический профайлинг — это технология, которая анализирует уникальные биологические и поведенческие признаки человека (мимика, движения глаз, жесты, голос) для автоматического построения его психологического портрета, оценки эмоционального состояния и прогнозирования поведения. В отличие от биометрии, которая отвечает на вопрос «тот ли это человек», профайлинг указывает: «что это за человек и что он будет делать».
Для использования ПО «Профотбор будущего» достаточно наличия веб-камеры, доступа в интернет и ОС Windows. Система позволяет выявлять профессиональные склонности человека за пару минут по его фотографии, загруженной в систему. Одно из главных требований к изображению — высокий уровень детализации лица, естественно открытые глаза, спокойное выражение, открытый лоб, строго прямой взгляд.
После обработки фотографии будет составлен аналитический портрет человека, призванный помочь его профориентации. Например, по типу взаимодействия человек может быть классифицирован как «Человек-Техника», что говорит о его способности преобразовывать детали или ремонтировать механизмы. Еще один вариант — «Человек-Знаковая система», что говорит о способности работать почтальоном или бухгалтером. По еще одной шкале обследуемый может получить такие характеристики, как «Ожидающий блага извне», «Берущий целенаправленно», «Стремящийся к обмену», «Методично сберегающий». Эти характеристики направлены на выявление способа получения кандидатом ресурсов у окружающего мира. В свою очередь характеристики «Деятельный», «Доброжелательный», «Сознательный» отражают запас позитивного потенциала кандидата, возвращаемого обществу в целом и ближайшему окружению в частности.
Подробнее: https://russianelectronics.ru/2026-06-16-po-morde-litsa/
#искусственныйинтеллект
Разработка и внедрение АПАК для поиска дефектов изделий микроэлектроники с помощью искусственного интеллекта. Часть 15. Автоматизация оптической инспекции печатных плат
Статья Дарьи Дормидошинной, Юрия Евстифеева, Юрий Рубцова, АО «ЦКБ «Дейтон», в журнале "Электронные компоненты №5/2025
В этой части статьи рассматриваются последние достижения в поиске дефектов покрытий, охватывающие методы контроля на основе физических свойств и подходы на основе глубокого обучения (ГО).
Статья по ссылке: https://russianelectronics.ru/razrabotka-i-vnedrenie-apak-dlya-poiska-defektov-izdelij-mikroelektroniki-s-pomoshhyu-iskusstvennogo-intellekta-chast-15/
Подписка на журнал
Реклама в журнале
Верховный народный суд Китая подтвердил запрет на продажу чипов из нитрида галлия (GaN) Infineon Technologies в Китае
Суд установил, что Infineon нарушила два основных патента GaN, принадлежащих Innoscience, и постановил немедленно прекратить все китайские продажи и импорт нарушающих товаров и выплатить компенсацию в размере 10 миллионов юаней (1,47 миллиона долларов США), говорится в заявлении.
Решение вызвало рост акций китайских производителей чипов.
Акции Innoscience, котирующиеся в Гонконге, выросли на 16,6 процента. Silan Microelectronics и Sanan Optoelectronics, выросли на 10 процентов, а производитель силовых полупроводников China Resources Microelectronics вырос более чем на 13 процентов.
#новостиэлектроники
Repost from Современная светотехника
Исследование зависимости световых характеристик от концентрации люминофора бескорпусных светодиодов
Статья Мелентьевой Ольги и Хотненка Юрия (АО «НИИПП»), в журнале "Современная светотехника" №2/2026
Востребованность светодиодов объясняется их долговечностью и экономичностью. Высокая стоимость традиционных корпусов и монтажа привела к созданию светодиодов WICOP, где размер корпуса соответствует размеру кристалла , а монтаж сводится к заливке компаундом . Однако обеспечение нужной мощности излучения в бескорпусной конструкции требует точного подбора толщины [3]
и концентрации люминофора. В связи с этим целью работы является исследование зависимости световых характеристик от люминофорной композиции бескорпусного светодиода.
В исследовании использовалось три люминофорных композиции (белого, красного, желтого и зеленого цветов) и зарубежные «flip-chip» кристаллы синего цвета свечения (450 нм) с размерами: длина
890 мкм; ширина 890 мкм; толщина 300 мкм.
Статья по ссылке: https://lightingmedia.ru/light_systems/issledovanie-zavisimosti-svetovyh-harakteristik-ot-konczentraczii-lyuminofora-beskorpusnyh-svetodiodov-2/
Подписка на журнал
Реклама в журнале
В Саратове разработали уникальный прибор для систем радиолокации и навигации
Специалисты саратовского предприятия "Миг трейдинг" разработали и запустили в производство генератор СВЧ сигналов, который станет высокотехнологичной заменой импортным образцам.
Созданный прибор будет востребован при исследованиях, разработке и производстве перспективных радиоэлектронных систем с частотным диапазоном до 40 гигагерц, а также при создании систем радиолокации, радионавигации, связи, спутниковых систем, в медицине
Подробнее: https://tass.ru/nauka/27756473
#новостиэлектроники
Разработан транзистор, объединяющий в себе память, обработку сигналов и излучение света
Исследователи из Сеульского национального университета разработали сверхнизковольтный электрохимический органический светоизлучающий транзистор, который может одновременно выполнять обработку сигналов, хранение данных и излучать свет в рамках одного полупроводникового устройства.
В результате устройство сохранило простую структуру с одним активным слоем, , обеспечив при этом работу при низком напряжении, широкое пространственно локализованное световое излучение, а также нейроморфную функциональность обработки сигналов.
Работа опубликована в журнале Nature Materials.
Носимая электроника стремительно развивается, превращаясь из умных часов и смарт-очков в удобные для пользователей платформы нового поколения, которые в будущем будут дополнены наносными и имплантируемыми устройствами. В частности, носимые на коже устройства, а также интегрированные полупроводниковые технологии, объединяющие функции датчиков, обработки сигналов, памяти и дисплея на одной платформе, считаются ключевыми технологиями для здравоохранения нового поколения и будущей электронной промышленности. В последнее время носимая электроника вышла за рамки простого распознавания биосигналов и перешла к их обработке и визуализации в режиме реального времени.
Однако до недавнего времени эти функции обычно реализовывались с помощью отдельных подключенных устройств, что приводило к созданию сложных структур, использованию громоздких и жестких компонентов и высокому энергопотреблению. Поэтому интеграция множества функций в простую архитектуру устройства стала серьезной проблемой.
Органические светоизлучающие транзисторы привлекают внимание как перспективные кандидаты для носимой электроники следующего поколения, поскольку они могут сочетать в одном устройстве функции транзистора и светодиода. Однако обычные органические транзисторы с латеральным расположением электродов требуют высокого рабочего напряжения от 80 до 180 В из-за большого расстояния между электродами и высокого барьера для инжекции электронов. Даже при использовании электрохимического ионного легирования для снижения рабочего напряжения оно все равно должно составлять более 3,5 В, а зона эмиссии остается узкой и нестабильной, что ограничивает практическое применение таких устройств в реальных дисплеях и интеллектуальных носимых электронных системах.
Исследовательская группа разработала сверхнизковольтный электрохимический органический светоизлучающий транзистор, который объединяет в одном органическом транзисторе функции обработки сигналов, хранения данных и светоизлучения. Введя в активный слой вещество, усиливающее ионный транспорт, чтобы вызвать образование двойного электрического слоя на границе раздела электродов, команда исследователей предложила новый механизм эффективной инжекции электронов, не требующий высокого напряжения или нестабильного легирования, как в традиционных подходах. Это позволило добиться свечения даже при напряжении менее 3,5 В, которое ранее считалось слишком низким для работы, при сохранении широкой и стабильной зоны свечения.
Устройство также продемонстрировало способность к обработке сигналов и запоминанию: реакции накапливались при повторении стимулов и сохранялись в течение длительного времени. Кроме того, оно было использовано в системе гибкого носимого дисплея, работающей всего от двух батареек по 1,5 В.
Источники питания для КИИ. Что даст двухуровневая модель рынку — кейс разбор на серверных БП, АСУ ТП и телекоме
Доклад Александра Чершнева, директора по развитию ООО «КВ Системы», на конференции "Силовая электроника - 2026"
https://vkvideo.ru/video-177228143_456239483?list=ln-ap9IaiZlPxDpAVr2aP
#силоваяэлектроника
Источники питания для КИИ. Что даст двухуровневая модель рынку — кейс разбор на серверных БП, АСУ ТП и телекоме
Доклад Александра Чершнева, директора по развитию ООО «КВ Системы», на конференции "Силовая электроника - 2026"
https://vkvideo.ru/video-177228143_456239483?list=ln-ap9IaiZlPxDpAVr2aP
#силоваяэлектроника
Японский GlobalSign — один из крупнейших центров сертификации в мире — утром 13 июня начал процедуру принудительного отзыва ранее выпущенных SSL-сертификатов у компаний из России
Об этом говорится в письме гендиректора российского юрлица «Джи-Эм-О Глобал Сайн Раша» Дмитрия Рыжикова в адрес партнеров компании в стране.
SSL-сертификат — это цифровой «паспорт» сайта, подтверждает подлинность сайта, гарантируя, что пользователь подключился именно к тому ресурсу, к которому хотел, а не к поддельному, и шифрует трафик между браузером и сервером, делая его недоступным для перехвата (именно он отвечает за значок замка в адресной строке и протокол HTTPS). Без действующего сертификата зарубежные браузеры — Google Chrome, Safari, Firefox — отказываются открывать сайт или выводят предупреждение о небезопасном соединении (отзывая сертификат, центр вносит его серийный номер в специальный публичный список Certificate Revocation List, который браузеры проверяют при каждом подключении к сайту и, если сертификат найден в списке, блокируют соединение).
В письме Рыжикова говорится, что Международный консорциум CA/Browser Forum (глобальный регулятор, в который входят все крупнейшие центры сертификации мира и разработчики браузеров — Google, Apple, Microsoft, Mozilla — и который устанавливает единые правила выпуска и отзыва цифровых сертификатов) утвердил обновленные требования к проверке организаций. «К нашему глубокому сожалению, текущие жесткие регламенты этого консорциума напрямую подразумевают исполнение международных санкционных ограничений, — указано в письме. — В связи с этим глобальный удостоверяющий центр начал процедуру принудительного отзыва части ранее выпущенных сертификатов для компаний из России». «Джи-Эм-О Глобал Сайн Раша», как пишет Рыжиков, «не имеет правовых или технических рычагов влияния на решения данного консорциума». Отзыв будет проходить поэтапно начиная с 13 июня в 02:10 по британскому летнему времени (04:10 мск)
Разработан высокоэффективный прозрачный органический светоизлучающий диод (OLED)
Прозрачные OLED привлекают большое внимание разработчиков приложений нового поколения, в том числе усовершенствованных дисплеев, устройств дополненной реальности (AR), автомобильных дисплеев и «умных» окон. Однако, несмотря на высокую оптическую прозрачность и отличные электрические характеристики, традиционные прозрачные электроды часто не подходят для непосредственной интеграции в OLED-устройства, поскольку в процессе их изготовления могут быть повреждены лежащие в их основе органические слои.
Инженерный колледж Сеульского национального университета объявил, что исследовательская группа под руководством профессора Ёнтэка Хонга с кафедры электротехники и вычислительной техники разработала высокоэффективный прозрачный органический светоизлучающий диод (OLED) с токопроводящими прозрачными металлическими сетчатыми верхними электродами, изготовленными с помощью метода селективного осаждения металлов. Исследование было опубликовано в журнале Materials Horizons.
Чтобы решить эту проблему, исследовательская группа разработала технологию нанесения металлических узоров на основе процесса трансферной печати с высоким разрешением с использованием слоя, нанесенного методом испарения и десорбции металла (Metal Vapour Deposition Layer, MVDL). Этот подход позволяет создавать высокопроводящие прозрачные металлические сетки с микрометровым разрешением без необходимости химической промывки или удаления. Таким образом, высококачественные металлические узоры, нанесенные методом испарения, можно формировать непосредственно на органических многослойных структурах, сводя к минимуму повреждение нижележащих органических слоев устройства.
Изготовленные электроды из металлической сетки одновременно обладали высокой оптической прозрачностью — 93–99 % — и низким поверхностным сопротивлением — 1,1–4,0 Ом/кв. Кроме того, электроды имели показатель качества (определяемый как отношение электропроводности к оптической проводимости), превышающий 10 000, что является одним из самых высоких показателей для прозрачных электродов субмикрометрового размера.
Подробнее: https://russianelectronics.ru/razrabotan-vysokoeffektivnyj-prozrachnyj-organicheskij-svetoizluchayushhij-diod-oled/
#OLED #светодиодныетехнологии
В Европе впервые реализован комплексный процесс суверенного производства критически важных оборонных микросхем
Усилия Европы по усилению контроля над цепочкой поставок полупроводников достигли важной вехи. Компания GlobalFoundries и нидерландский разработчик микросхем Qualinx завершили то, что они называют первым в Европе комплексным производством полупроводников.
Это достижение показывает, что производство чипов, чувствительных к вопросам безопасности, может осуществляться полностью в Европе — от проектирования до изготовления. Такой подход ориентирован на сферы, где контроль цепочки поставок имеет стратегическое значение, в том числе на аэрокосмическую отрасль, оборонную промышленность и критически важную инфраструктуру.
Компания Qualinx стала первым заказчиком, подтвердившим эффективность производственного процесса с использованием одного из своих передовых чипов для спутниковой навигации, разработанных для обеспечения точности синхронизации и позиционирования.
В основе проекта лежит однокристальная система QLX3xx компании Qualinx для глобальной навигационной спутниковой системы, разработанная для систем позиционирования, навигации и синхронизации. Эти технологии поддерживают системы, требующие точной синхронизации и надежных навигационных возможностей.
Потенциальные области применения включают военные платформы, критически важные коммуникационные сети и периферийные устройства со сверхнизким энергопотреблением. Чип был изготовлен на платформе FDX компании GlobalFoundries на заводе в Дрездене, Германия.
В рамках производственной цепочки конфиденциальные проектные файлы и производственные материалы остаются в пределах Европы на протяжении всего процесса. Инициатива также поддерживается в рамках Закона о европейских чипах, направленного на укрепление полупроводникового потенциала региона и снижение зависимости от зарубежных поставщиков.
#новостиэлектроники
В смартфоне Трампа начинка от HTC
Компания iFixit получила в свое распоряжение смартфон Trump Mobile T1 после того, как он поступил в продажу в мае. В ходе разбора выяснилось, что по сути это HTC U24 Pro с косметическими изменениями и золотистой отделкой в стиле Трампа.
Разработчики iFixit поместили телефон Trump Phone в компьютерный томограф вместе с HTC U24 Pro, чтобы убедиться, что внутренние компоненты этих двух устройств практически идентичны.
Они даже заменили основную плату T1 на плату от телефона HTC и показали, что она не только подходит по размеру, но и позволяет телефону работать.
Одно из отличий, отмеченных iFixit, заключается в том, что многочиповый модуль, содержащий 12 ГБ памяти LPDDR5 и 512 ГБ встроенной памяти, произведён компанией Micron, в то время как соответствующий модуль в телефоне HTC изготовлен SK hynix.
HTC U24 Pro — смартфон среднего класса, выпущенный почти ровно два года назад, в июне 2024 года. Он работает на платформе Qualcomm Snapdragon 7 Gen 3, оснащен 6,8-дюймовым дисплеем и при запуске работал на Android 14, в то время как в телефоне Трампа установлена Android 15.
Однако, как поясняет iFixit, устройство может быть собрано во Флориде, но разработано в Китае, и подавляющее большинство его деталей также произведены в Китае.
Разработан материал для магнитной памяти, который можно перезаписывать с помощью лазерного импульса
Новый материал позволяет переключать магнитную информацию с помощью одного сверхкороткого лазерного импульса. Поскольку свет может менять магнитные состояния гораздо быстрее, чем электрический ток, этот подход может обеспечить скорость переключения примерно в 1000 раз выше, чем у обычной магнитной памяти с электрическим приводом, а также снизить тепловыделение и потери энергии.
По словам исследователей, эта разработка приведет к появлению нового класса маломощной магнитной памяти для аппаратного обеспечения искусственного интеллекта, периферийных устройств и будущих оптоэлектронных платформ.
В магнитной памяти информация хранится за счет изменения направления намагниченности материала. В существующих технологиях магнитной памяти для записи данных обычно используется электрический ток.
Такой подход привлекателен тем, что позволяет сохранять информацию даже при отключении питания, но у него есть серьезные ограничения: скорость записи ограничена, а ток нагревает устройство, что увеличивает энергопотребление. Эти проблемы становятся все более серьезными по мере того, как искусственный интеллект и крупномасштабная цифровая инфраструктура продолжают повышать энергопотребление.
Чтобы решить эту проблему, исследователи сосредоточились на полностью оптическом переключении — явлении, при котором свет меняет магнитную ориентацию без использования тока. Ранее этот эффект наблюдался в ферримагнитных материалах, но они не подходили для использования в качестве памяти, поскольку их магнитные свойства были слишком слабыми для стабильной цифровой работы.
Исследователи преодолели этот барьер, разработав новый искусственный ферримагнетик, состоящий из слоев кобальта, гадолиния и CoFeB с антиферромагнитной обменной связью. Регулируя толщину каждого слоя с точностью до атомного масштаба и оптимизируя всю многослойную структуру, они создали материал, в котором магнитные состояния можно воспроизвести с помощью одного фемтосекундного лазерного импульса.
Команда также продемонстрировала, что операцию записи и перезаписи можно выполнять стабильно, что является базовым функционалом, необходимым для работы с памятью.
Подробнее: https://russianelectronics.ru/razrabotan-material-dlya-magnitnoj-pamyati-kotoryj-mozhno-perezapisyvat-s-pomoshhyu-lazernogo-impulsa/
#память #новостиэлектроники
Выручка полупроводниковых компаний в первом квартале 2026 года выросла на 27% по сравнению с четвертым кварталом 2025 года и достигла 319 млрд долларов
Рост обеспечила выручка от продажи памяти, которая в первом квартале 2026 года по сравнению с четвертым кварталом 2025 года увеличилась более чем на 80%.
С тех пор как в 1-м квартале 2002 года компания Omdia начала ежеквартально отслеживать ситуацию на рынке полупроводников, этот рост на 27 % по сравнению с предыдущим кварталом (QoQ) стал самым высоким за всю историю. В течение трех кварталов подряд выручка на рынке росла двузначными темпами, и ожидается, что во 2-м квартале 2026 года эта тенденция сохранится. Таким образом, выручка от продажи полупроводников в первой половине 2026 года может превысить 700 миллиардов долларов. Спрос на продукцию, связанную с искусственным интеллектом, остается высоким, а дисбаланс между спросом и предложением на рынке памяти по-прежнему является одной из основных тенденций на рынке полупроводников.
Выручка от продажи динамической оперативной памяти (DRAM) и флэш-памяти NAND (NAND) продолжала стремительно расти, увеличившись почти вдвое за один квартал. Высокий спрос на искусственный интеллект повлиял на рынки DRAM и NAND, поскольку средние цены продажи (ASP) резко выросли. В результате в первом квартале 2026 года на эти два компонента приходилось более 40% всей выручки от продажи полупроводников, что намного выше среднего показателя за последние годы, составлявшего около 20%.
На рынке памяти особенно сильно вырос сегмент NAND. Выручка от продажи чипов NAND в первом квартале 2026 года составила чуть менее 48 миллиардов долларов, увеличившись на 96 % по сравнению с предыдущим кварталом на фоне роста цен на рынке. Последовательный рост цен на чипы NAND составил 95 % благодаря устойчивому спросу со стороны искусственного интеллекта и центров обработки данных, а также сохраняющимся проблемам с поставками. Учитывая, что коэффициент использования остается высоким, а восстановление поставок ограничено технологическими переходами, повышением урожайности и проблемами с ассортиментом, ожидается, что динамика рынка NAND сохранится до второго квартала 2026 года, что будет способствовать дальнейшему росту выручки и цен.
В то время как рынок памяти отошел от исторических закономерностей, этого нельзя сказать об остальных сегментах полупроводникового рынка. Если исключить выручку от продажи микросхем памяти, то окажется, что в первом квартале 2026 года полупроводниковый рынок вырос, но гораздо скромнее. Выручка от продажи полупроводников, не связанных с памятью, в первом квартале 2026 года выросла чуть более чем на 2% по сравнению с предыдущим кварталом. Исторически сложилось так, что выручка как на всем полупроводниковом рынке, так и в сегменте, не связанном с памятью, в первом квартале снижается примерно на 4%. По некоторым компонентам наблюдалась типичная сезонная динамика: в первом квартале 2023 года на рынках микроконтроллеров (МК), дискретных компонентов и оптики наблюдалось незначительное снижение или снижение в пределах одного-двух процентов по сравнению с предыдущим кварталом. Однако другие компоненты, особенно те, что используются в экосистемах искусственного интеллекта и центров обработки данных, показали более высокие результаты, чем в первом квартале, когда обычно наблюдался спад. Это обеспечило скромный рост рынка полупроводников, не связанного с памятью.
Ожидается, что во втором квартале 2026 года темпы роста сохранятся, поскольку доходы от производства памяти продолжают стимулировать развитие рынка полупроводников. Ожидается, что квартальный рост будет ниже, чем в первом квартале, но все же составит более 20 % в годовом исчислении.
#рынокэлектроники #аналитика
Минпромторг выделил 1,9 млрд руб. на освоение производства материалов для электронно-лучевой и взрывной литографии
Электронно-лучевая литография — метод создания рисунка на пластине с помощью сфокусированного пучка электронов вместо света. Используется для производства фотошаблонов, СВЧ-приборов и прототипов микросхем, где нужна высокая точность (разрешение до единиц нанометров).
Взрывная литография — метод, при котором сначала на пластину наносят специальный резист (например, LOR), формируют рисунок, затем осаждают металл, а после удаляют резист вместе с лишним металлом («взрывают»).
Первый конкурс — на разработку материалов для электронно-лучевой литографии (шифр «СВЧ Резист-1») с начальной ценой 1,017 млрд руб. Второй — на материалы для взрывной литографии (шифр «СВЧ Резист-2») за 889,5 млн руб. Заявки принимаются до 26 июня 2026 г.
Оба контракта предполагают полный цикл работ — от теоретических исследований до освоения серийного производства. Завершить ОКР необходимо до ноября 2029 г.
По контракту «СВЧ Резист-1» разработают 12 типов материалов для электронно-лучевой литографии: резистов серий ПММА 950, ПММА 495, ЭЛРП и ММА. Они должны стать функциональными аналогами продукции немецких Allresist GmbH, Microresist technology GmbH, японской ZEON и американской MicroChem Corporation.
По контракту «СВЧ Резист-2» разработают 7 типов материалов для взрывной литографии (серия ВЛ), которые заменят продукцию американской MicroChem Corporation — серии LOR 5B, LOR 10B, LOR 20B, PMGI SF6, PMGI SF9, PMGI SF11, LOR 5A.
Материалы используются при производстве изделий электронной техники, в том числе работающих в СВЧ-диапазоне. «В Российской Федерации отсутствует производство материалов для электронно-лучевой литографии», — прямо указано в документации. Потребности науки и промышленности ранее удовлетворялись за счет импорта из недружественных государств, который сейчас прекращен.
Подробнее: https://www.cnews.ru/news/top/2026-06-11_minpromtorg_vydelil_pochti
#фотолитография
Микрон открыл прием заявок на целевое обучение в бакалавриате и магистратуре в 8 профильных российских вузах
Целевой набор проводится в сотрудничестве с Московским институтом электронной техники (НИУ МИЭТ), МИРЭА – Российским технологическим университетом (РТУ МИРЭА), Московским государственным технологическим университетом «Станкин» (МГТУ «Станкин»), Российским химико-технологическим университетом имени Д.И. Менделеева (РХТУ им. Д.И Менделеева), Ивановским государственным химико-технологическим университетом (ИГХТУ), Национальным исследовательским технологическим университетом «МИСиС» (НИТУ «МИСиС»), Казанским национальным исследовательским техническим университетом им. А.Н. Туполева (КНИТУ–КАИ) и Казанским государственным энергетическим университетом (КГЭУ) по следующим направлениям подготовки: «Конструирование и технология электронных средств», «Электроника и наноэлектроника», «Мехатроника и робототехника», «Автоматизация технологических процессов и производств», «Материаловедение и технологии материалов», «Прикладная информатика», «Программная инженерия», «Информационные системы и технологии», «Наноинженерия».
«Всего в этом году выделено 34 места: 17 по программам бакалавриата и 17 – магистратуры. Целевое обучение – это отличная возможность поступить в лучшие профильные вузы страны, реализовать инженерный талант и пополнить ряды высококвалифицированных специалистов микроэлектронной отрасли», – сообщила Евгения Хомутская, заместитель генерального директора по управлению персоналом и организационному развитию АО «Микрон».
Обучение осуществляется на бюджетной основе и гарантирует трудоустройство на Микроне. Заявки принимаются до 20 июля.
Для участия в целевом наборе абитуриентам необходимо заполнить анкету. Кандидаты должны иметь не ниже минимальных проходных баллов ЕГЭ, установленных в 2026 году в выбранном вузе по предметам, необходимым для поступления на определенную программу. Средний балл успеваемости за год по математике и физике должен быть не менее 4.0. Кроме того, учитываются индивидуальные достижения, в том числе диплом победителя или призера олимпиад по профильным предметам. Для поступающих в магистратуру оценка за ВКР должна быть не менее 4 баллов. Также кандидатам необходимо написать мотивационное письмо на тему «Почему я хочу работать на Микроне».
Для студентов целевой программы предусмотрена дополнительная ежемесячная стипендия от работодателя, повышенная стипендия за отличную учебу, единоразовая выплата после окончания вуза за диплом с отличием, оказание консультативной и методической помощи. К учебному процессу привлечены наставники и эксперты предприятия для формирования индивидуальной профессиональной траектории молодых специалистов.
#новостиэлектроники
Available now! Telegram Research 2025 — the year's key insights 
