Новости электроники

IBM и исследователи из Чикагского университета продемонстрировали квантовые вычисления, которые соответствуют фундаментальным критериям квантового превосходства Квантовое превосходство - это способность квантовых вычислительных устройств выполнять вычисления, недоступные для ведущих классических методов моделирования, которая при этом дает уверенность в том, что вычисления дали точные результаты. В своей новой статье «Выборка сложных схем с достоверно высокой точностью» исследователи показали, что этих двух целей можно достичь одновременно с помощью новой конструкции закодированных квантовых схем, что позволило провести одну из крупнейших на сегодняшний день демонстраций логических квантовых вычислений. Эти схемы и их результаты теперь также находятся в открытом доступе на платформе Quantum Advantage Tracker. В течение многих лет исследователи использовали бенчмарк, известный как выборка из случайных схем (random circuit sampling, RCS), чтобы проверить, смогут ли квантовые компьютеры превзойти классические системы. Если говорить простыми словами, RCS предлагает квантовому компьютеру генерировать настолько сложные паттерны, что классический компьютер не сможет эффективно их воспроизвести. Сложность заключалась в верификации: по мере усложнения задачи становится все труднее, а затем и вовсе невозможно доказать правильность ответа квантового компьютера, не делая серьезных предположений о его внутренней работе. В своем эксперименте исследователи из IBM и Чикагского университета устранили это препятствие с помощью структурированной альтернативы RCS. Команда смогла доказать, что эта альтернатива сохраняет те же критерии сложности, что и RCS, но, что особенно важно, новая структура может использоваться для обнаружения ошибок в ходе вычислений. В одной из крупнейших в мире известных демонстраций исправления ошибок команда выполнила 70 логических кубитов, защитив их от ошибок, для выполнения 2415 логических двухкубитных операций и 468 логических «Т-элементов” — показателей, количественно оценивающих сложность квантовой схемы. Благодаря кодированию схемы логические вычисления позволили добиться эффективной частоты логических ошибок, которая была в 10 раз ниже частоты физических ошибок, что обеспечило удивительно высокую точность схемы даже при большом количестве логических элементов. Исследователи продемонстрировали, что многие ведущие классические подходы к моделированию требуют слишком много времени для выполнения задачи, в то время как квантовому компьютеру IBM потребовалось около 15 минут. Исправление ошибок и доверие к результатам вычислений — важнейшие этапы на пути к масштабированию квантовых вычислений, и эта работа знаменует собой значительный шаг вперед. #квантовыетехнологии

Минпромторг ищет подрядчика для полной перезагрузки системы стандартизации химических материалов для электронной компонентной базы Действующие документы разработаны еще в СССР и не отвечают современным требованиям. Подрядчику предстоит изучить мировой опыт сертификации химической продукции для радиоэлектроники, определить оптимальную институциональную модель управления системой сертификации, разработать полный пакет документов: от положения о руководящем органе до правил функционирования и порядка применения знака соответствия. Отдельное требование — промоделировать как минимум три сценария введения системы, просчитав экономические, бюджетные и технологические эффекты для участников процесса. Также исполнитель должен будет составить реестры испытательных лабораторий, оценить потребность в аналитическом оборудовании и сформировать перечень отечественного оборудования, пригодного для сертификационных испытаний. Подробнее: https://www.cnews.ru/news/top/2026-07-28_sovetskie_gosty_uhodyat_v

Представлен полностью оптический фотонный кристалл времени Фотонный кристалл времени — это материал, который обладает временной, а не пространственной структурой. Он остаётся однородным в пространстве, но периодически изменяется во времени, что создаёт уникальные условия для распространения света. Изменение свойств света при его взаимодействии с материалами лежит в основе многих открытий и технологических достижений, будь то оптические волокна в телекоммуникациях, лазеры в качестве источников света или датчики для химии и биологии. Международная группа исследователей из Политехнической школы, Колледж де Франс и Центра имени Гельмгольца в Дрездене-Россендорфе (HZDR) совершила первую в мире подобную разработку: экспериментально реализовала полностью оптический фотонный кристалл времени (ФКВ) — материал, оптические свойства которого могут сильно и периодически модулироваться во времени на сверхбыстрых масштабах. В этом прорыве, опубликованном в Nature, используется сверхизлучающий терагерцовый источник TELBE от HZDR, который переводит систему в новый режим взаимодействия света и материи в терагерцовом диапазоне. Это открытие открывает путь к сверхбыстрым оптическим вычислениям, новым телекоммуникационным системам и, в конечном итоге, новым типам терагерцовых лазеров. Терагерцовый диапазон представляет собой границу между электронными и фотонными технологиями. Этот диапазон открывает множество возможностей как для науки, так и для общества, но он все еще недостаточно развит в технологическом плане по сравнению с электрическими и фотонными аналогами. Создание фотонных кристаллов может помочь преодолеть этот разрыв. Исследователи представили первые фотонные временные кристаллы, в которых оптические свойства материала (например, отражательная способность, резонансная частота) динамически модулируются в пикосекундном диапазоне, что сопоставимо с периодом собственных колебаний света. Разработка может изменить представление об использовании света в технологиях, особенно в терагерцовом диапазоне. Благодаря возможности модулировать свет в течение столь коротких промежутков времени эти фотонные временные кристаллы приближают нас к созданию новых типов сверхбыстрых лазеров для медицинской визуализации и связи, а также позволяют по требованию настраивать свойства света, например мгновенно менять его «цвет» или интенсивность, для создания более умных и адаптивных оптических систем. Подробнее: https://russianelectronics.ru/predstavlen-polnostyu-opticheskij-fotonnyj-kristall-vremeni/  

Микро в схему: в РФ создали технологию производства компонентов сверхкомпактных чипов Специалисты МФТИ первыми в России предложили методику создания транзисторов из дисульфида молибдена, которые можно внедрить в промышленное производство. Этот материал сможет заменить применяемый сейчас в электронике кремний, чипы из которого достигли предела компактности, и снижать далее их размеры нельзя даже теоретически. Молибденовый транзистор будет как минимум втрое меньше своего кремниевого аналога и в несколько сотен раз энергоэффективнее. При этом устройства из него совместимы с классическими вычислительными системами. Сегодня основным материалом для производства электронной компонентной базы остается кремний. Однако возможности его дальнейшей миниатюризации практически исчерпаны: при уменьшении размеров транзисторов начинают проявляться квантовые эффекты, возрастают утечки тока и тепловыделение, что ограничивает дальнейший рост производительности. В поисках альтернативы специалисты по всему миру исследуют новые материалы. Одним из наиболее перспективных считается дисульфид молибдена — двумерный полупроводник толщиной всего в несколько атомов. Лабораторные исследования в этой области активно ведутся в США и Европе, а в Китае в начале года сообщили о запуске первой экспериментальной линии по производству процессоров на основе этого материала. Структура на основе дисульфида молибдена обеспечивает идеальный электростатический контроль и позволяет подавить токи утечки. Однако ее практическому применению долгое время препятствовала одна из ключевых технологических проблем: при вакуумном напылении металлических электродов хрупкая структура материала повреждается. Атомы металла выбивают атомы серы с поверхности, образуя дефекты и нарушая электрический контакт. Ученые МФТИ предложили решение этой проблемы. Они сформировали между электродом и полупроводником ультратонкую изолирующую прослойку из диоксида титана толщиной всего в несколько атомов, используя метод атомно-слоевого осаждения. Этот подход универсален и применим к целому классу других двумерных материалов — дисульфиду вольфрама, селенидам молибдена и вольфрама. Его можно внедрять на реальных производствах без радикальной перестройки процессов, так как атомно-слоевое осаждение давно освоено промышленностью. Технология в перспективе позволит создавать транзисторы компактнее самых передовых современных кремниевых аналогов, а также гибкие и прозрачные электронные устройства. Подробнее: https://iz.ru/2141209/denis-gritcenko/v-rf-sozdali-tekhnologiyu-proizvodstva-komponentov-sverhkompaktnyh-chipov Новости электроники МАХ I VK

Эта стратегия сокращает разрыв в цене между моделями среднего и премиум-класса, побуждая потребителей переходить на более дорогие устройства.

Omdia повысила прогноз выручки от продажи полупроводников на 2026 год Omdia повысила прогноз выручки от продажи полупроводников на 2026 год до 94,1 % в годовом исчислении (YoY) благодаря исключительному росту продаж DRAM и NAND, поскольку спрос на искусственный интеллект продолжает опережать глобальное предложение. Ожидается, что в 2026 году на микросхемы памяти будет приходиться более 50 % от общего дохода от продажи полупроводников. Спрос на искусственный интеллект превысил текущие возможности отрасли по производству и упаковке чипов, при этом узкие места в области памяти с высокой пропускной способностью (HBM), усовершенствованной упаковки и пропускной способности узлов, как ожидается, сохранятся как минимум до 2027 года. Поставки HBM остаются существенно ограниченными, поскольку производство значительно сложнее стандартной DRAM и зависит всего от трех поставщиков, способных производить в больших масштабах: SK Hynix, Samsung и Micron. Ускорители искусственного интеллекта от таких компаний, как NVIDIA, AMD, Intel и Google, требуют использования стеков HBM, что еще больше повышает спрос. Еще одним серьезным узким местом стала усовершенствованная упаковка: специализированные производственные линии TSMC работают на полную мощность. Производственные мощности не могут быть увеличены достаточно быстро из-за длительных сроков поставки специализированного оборудования, в то время как такие поставщики, как ASML и Tokyo Electron, продолжают сталкиваться с собственными производственными ограничениями. Ведущие технологические узлы испытывают аналогичное давление. 2- и 3-нанометровые техпроцессы TSMC в значительной степени зарезервированы такими компаниями, как NVIDIA, AMD, Broadcom и Apple. В то же время вычислительные требования для моделей искусственного интеллекта растут гораздо быстрее, чем производственные мощности. По мере того как рост доходов от полупроводников все больше зависит от приложений, связанных с искусственным интеллектом, другие рынки сталкиваются со значительным ценовым давлением. Стоимость компонентов для смартфонов, ПК и бытовой электроники растет, в то время как рынки автомобильной и промышленной электроники также вынуждены конкурировать со спросом на упаковку и микросхемы памяти для искусственного интеллекта. В микросхемах памяти поставщики DRAM отдают приоритет HBM и другим высокомаржинальным продуктам, из-за чего цены на обычную память и сроки поставки становятся все более нестабильными. Что касается упаковки, то это в меньшей степени касается старых продуктов и продуктов среднего ценового сегмента, но продукты, для которых требуется 2,5D- или 3D-упаковка, должны конкурировать за ту же емкость, что и графические процессоры для искусственного интеллекта и другие высокоприоритетные чипы. Аналогичная тенденция наблюдается в отношении передовых технологических процессов, где приоритет отдается процессорам для искусственного интеллекта, а не чипам для ПК и смартфонов. В результате процессоры и однокристальные системы могут столкнуться с задержками и более высокими средними ценами продажи (ASP) или оставаться на старых технологических узлах дольше, чем ожидалось, что замедлит повышение производительности и энергоэффективности. Вычислительная техника и системы хранения данных будут лидировать по темпам роста доходов от производства полупроводников на всех рынках приложений, увеличившись более чем на 150 % в годовом исчислении в 2026 году и приблизившись к отметке в 1 триллион долларов. Этот рост будет обусловлен высоким спросом на серверы для центров обработки данных и другие приложения, требующие большого объема памяти, а также повышением цен на микросхемы памяти. Потребительская электроника и беспроводные технологии также демонстрируют относительно высокие темпы роста доходов от производства полупроводников в 2026 году. Рост цен на смартфоны начался в четвертом квартале 2025 года, и сейчас они продолжают расти, особенно в сегменте премиум-класса, где более высокая маржинальность позволяет компенсировать возросшую стоимость памяти.

Производители электроники просят ужесточить контроль за локализацией продукции Торгово-промышленная палата направила в Минпромторг предложения по ужесточению контроля за происхождением российской радиоэлектронной продукции. Сейчас производители продолжают использовать иностранные компоненты в изделиях, при этом конечный продукт попадает в профильный реестр и как следствие — на госзакупки. ТПП предлагает увязать налоговые льготы с подтверждением использования отечественной электронной компонентной базы (ЭКБ), а также ввести административную и уголовную ответственность за нарушение требований национального режима закупок,  а также разработать единые методики приемки продукции заказчиками. Степень локализации электронной продукции определяется постановлением правительства №719. Оно предусматривает начисление баллов, необходимых для попадания в реестр отечественной радиоэлектронной продукции Минпромторга. Баллы можно получить за счет локальных комплектующих и техпроцессов производства. Сейчас в реестре российской радиоэлектронной продукции около 20 тыс. позиций (печатные платы, процессоры, системы хранения данных и т. д.). Весь рынок радиоэлектроники Минпромторг оценил в 4 трлн руб. в 2025 году, доля российских производителей на рынке выросла с 12–12,5% в 2020 году до 62% в прошлом, оценивало ведомство. Подробнее: https://www.kommersant.ru/doc/8848582 #новостиэлектроники

Открытое бета-тестирование квантового сопроцессора SnowDrop 8Q стартует 1 августа на облачной платформе, разработанной специалистами МГТУ имени Баумана и ВНИИА имени Духова "С 1 по 20 августа 2026 года в облачной платформе квантовых вычислений Bauman Octillion для онлайн-экспериментов будет доступен 8-кубитный сверхпроводниковый квантовый сопроцессор архитектуры SnowDrop следующего поколения", - говорится в сообщении пресс-службе МГТУ имени Баумана Подчеркивается, что исследования подтвердили перспективу повышения точности операций выше 99,9%, а успешная стадия альфа-тестирования на 4- и 8-кубитных процессорах - готовность архитектуры к масштабированию. "Мы не просто улучшили точность двухкубитных операций, но переосмыслили подход к архитектуре, проектированию и управлению кубитами. Новые решения в архитектуре SnowDrop позволяют реализовать сверхпроводниковые квантовые сопроцессоры - одновременно точные, более простые в калибровке и масштабируемые. Это наш следующий шаг к практически полезным квантово-классическим центрам обработки данных для решения вычислительно сложных задач", - приводятся в сообщении слова руководителя кластера "Квантум Парк" МГТУ имени Баумана и ВНИИА имени Духова Ильи Родионова. Подробности: https://tass.ru/nauka/27968721    

Начато серийное производство первого российского рентгеновского оборудования для выявления брака в электронике Сотрудники кафедры электронных приборов и устройств (ЭПУ) питерского университета ЛЭТИ и специалисты «Диагностики-М» запустили серийное производство оборудования на основе источника рентгеновского излучения нового класса для выявления скрытых дефектов в высокотехнологичной продукции/ Разработанная командой исследователей трубка РРТ 225 относится к классу разборных рентгеновских трубок. Она легла в основу рентгенографической кабины роботизированного промышленного томографа «Орел-2» компании «Диагностика-М». Подобных решений в России не было. Сверхвысокий уровень разрешения позволяет получать высокоинформативные изображения для неразрушающего контроля и выявлять даже мельчайшие внутренние дефекты промышленной продукции, в том числе электроники. Подробнее: https://www.cnews.ru/news/top/2026-07-30_zapushcheno_serijnoe_proizvodstvo  

Китайские исследователи разработали прозрачный материал на базе квантовых точек, который преобразует инфракрасное излучение в видимый свет, что позволяет создавать "полноцветные" системы теплового зрения, позволяющие человеку наблюдать за тепловым излучением при помощи своих глаз Физики создали материал, который объединяет в себе квантовые точки из теллурида ртути и органические светодиоды трех разных типов. Первые представляют собой искусственные подобия атомов, способные поглощать ИК-излучение и вырабатывать носители отрицательного и положительного зарядов, которые используются органическими светодиодами для формирования вспышек синего, красного и зеленого света. Ученым удалось подобрать такой характер взаимодействий между квантовыми точками и светдиодами, в результате которого инфракрасное излучение преобразуется в полноцветное видимое изображение, которое может напрямую воспринимать сетчатка человека. Созданная учеными структура также является прозрачной и обладает сверхмалой толщиной, что позволяет наносить ее на линзы очков и других носимых гаджетов. Для демонстрации этого ученые создали прототип носимой "полноцветной" системы ночного зрения, которая обладает массой всего в 23 грамма и позволяет пользователю рассматривать даже очень небольшие объекты длиной и шириной в доли миллиметра. Схожим образом, как предполагают ученые, можно изменить светочувствительные белки в клетках сетчатки, что позволит встроить аналогичную систему теплового зрения в глаза людей и других живых существ, не обладающих этой способностью. Подробнее: https://tass.ru/nauka/27965523

С докладом "Климатические испытания на надежность электронных изделий: методы и оборудование" на конференции "Испытание и тестирование изделий электронной техники", которая состоится 22 октября в Москве, выступит Peter Zhang, заместитель директора по продажам компании Komeg По мере развития электронных изделий в направлении большей интеграции, повышения производительности и усложнения условий эксплуатации производители сталкиваются с более жесткими требованиями к адаптивности к окружающей среде и долгосрочной надежности электронных компонентов, печатных плат, электронных модулей, полупроводниковых корпусов и готовых электронных изделий. В ходе научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ, проверки качества, испытаний на соответствие стандартам и анализа отказов различные продукты значительно отличаются по воздействию окружающей среды, условиям испытаний и конфигурации оборудования. В соответствии с российскими стандартами испытаний и требованиями EAC по оценке соответствия, данная презентация посвящена испытаниям на надежность электронных изделий в условиях высоких и низких температур, влажности, резких перепадов температуры, термического удара и высокоинтенсивного воздействия температуры и влажности (HAST). В ней рассматриваются применимые сценарии, ключевые условия испытаний, требования к оборудованию и практическое применение различных методов испытаний. План доклада: Требования к испытаниям на климатическую надежность и типичные проблемы для электронных изделий; Основные области и методы тестирования. Стандартные требования для различных тестируемых устройств; Конфигурации основного оборудования и модулей; Примеры практического применения Сайт конференции: b2bconf.ru/testing/

Ученые синтезировали нанопроволоки из арсенида ниобия для межсоединений в чипах Межсоединения — провода, соединяющие транзисторы в цепи на микрочипах, — долгое время изготавливались из меди из-за ее высокой проводимости. Однако по мере уменьшения размеров электроники медь становится все менее эффективным проводником. Теперь ученые обнаружили, что новый класс материалов, содержащих экзотические квазичастицы, может помочь в создании межкомпонентных соединений следующего поколения, которые проявляют лучшие проводниковые свойства, чем тоньше они становятся Проблема, с которой сейчас сталкиваются медные межкомпонентные соединения, связана со средней длиной свободного пробега электронов в металле — средним расстоянием, которое электрон может преодолеть, прежде чем столкнется с молекулой. Как только медные провода становятся тоньше этого предела — в случае меди он составляет 40 нанометров, — их электропроводность резко падает, потому что их электроны начинают чаще сталкиваться. Исследователи изучают другие металлы, которые демонстрируют лучшую проводимость на нанометровом уровне, для использования в межкомпонентных соединениях. Например, у кобальта и рутения средняя длина свободного пробега электронов составляет 10 нм и 6 нм соответственно. Это означает, что межкомпонентные соединения из этих металлов могут быть меньше, чем медные провода, прежде чем столкнутся с той же проблемой проводимости. Однако если они станут еще меньше, то столкнутся с той же проблемой. Исследователи Корнеллского университета в США синтезировали нанопроволоки из полуметалла ниобия — арсенида ниобия — с помощью метода, известного как термомеханическое наноформование. Этот метод позволил исследователям получить монокристаллическую нанопроволоку длиной от 2 до 3 микрометров и толщиной всего 40 нм. Ученые обнаружили, что удельное сопротивление нанопроволок из арсенида ниобия снижается с уменьшением диаметра. При комнатной температуре у нанопроволоки шириной 40 нм удельное сопротивление было примерно на 70 % ниже, чем у объемных монокристаллов. Согласно проведенному анализу, это улучшение связано с поверхностной проводимостью. Хотя ниобиевые арсенидные проволоки шириной 40 нм были более токопроводящими, чем проволоки того же размера из кобальта или рутения, они не оказались более токопроводящими, чем современные медные межсоединения шириной 10 нм. Однако исследователи ожидают, что ниобиевые арсенидные нанопроволоки диаметром около 12 нм превзойдут по проводимости такие медные межсоединения. По их словам, при таком диаметре или меньше поверхностный вклад этих нанопроволок в их электропроводность будет превышать объемный вклад. Кроме того, нанопроволоки оказались стабильными в воздушной среде и могли безопасно проводить большой электрический ток, прежде чем разрушались. Они также продемонстрировали высокую теплопроводность, что может помочь предотвратить их перегрев, если они будут использоваться в качестве межсоединений.

Посткремниевые технологии: ученые научились управлять током световыми импульсами Американские исследователи сделали еще один ша inг к созданию электроники, работающей на скоростях, недоступных современным кремниевым чипам. Ученые из Университета Мичигана разработали полупроводниковое устройство, которое способно преобразовывать световые импульсы в направленный электрический ток без использования внешнего электрического поля. Более того, направление движения электронов можно изменять практически мгновенно, управляя параметрами лазерного излучения — скорость этого переключения примерно в 1 тыс. раз быстрее лучших современных транзисторов. Подробнее: https://hightech.plus/2026/07/29/postkremnievie-tehnologii-uchenie-nauchilis-upravlyat-tokom-svetovimi-impulsami   #новостиэлектроники  

Шок от CXMT: как жизнеспособные альтернативы Китая бьют по акциям Nvidia, Micron и SK Hynix По мнению инвесторов, прогресс в области чипов, оборудования для их производства и моделей искусственного интеллекта подрывает позиции существующих лидеров на рынке Растущее влияние Китая в глобальной цепочке поставок полупроводников ускоряет распад рынка искусственного интеллекта, поскольку все больше ожиданий, что азиатская страна бросит вызов иностранным технологическим гигантам, поставляя в мир более дешевые альтернативные продукты. Размещение акций на сумму 9,8 млрд долларов США компании ChangXin Memory Technologies (CXMT) в Шанхае обеспечило китайского производителя чипов динамической оперативной памяти (DRAM) акционерным финансированием для расширения доли рынка в стране и за рубежом, что привело к падению акций конкурентов — южнокорейской SK Hynix и американской Micron Technology. Информация о том, что в этом году Китай поставит отечественным производителям микросхем машины для иммерсионной глубоко ультрафиолетовой (DUV) литографии собственного производства, также вызвало шок на рынке оборудования для производства полупроводников, поскольку некоторые инвесторы восприняли этот прорыв как угрозу доминированию голландского производителя ASML. Эти события усиливают спад ажиотажа вокруг акций мировых компаний, работающих в сфере искусственного интеллекта и технологий, которые и без того сильно просели на фоне растущих опасений по поводу того, смогут ли огромные капиталовложения обеспечить денежные потоки, оправдывающие их высокую стоимость. По мнению аналитиков, технологические достижения Китая должны привести к увеличению предложения недорогих аналогов, которые изменят отрасль, лишив преимуществ и прибыли существующих лидеров. Кроме того, Китай сокращает отставание от США в разработке моделей искусственного интеллекта. Kimi K3, модель с открытым исходным кодом и 2,8 триллиона параметров, недавно выпущенная стартапом Moonshot AI, по производительности почти не уступает самым сложным моделям от OpenAI и Anthropic.

Борьба с излучаемыми помехами на высокоскоростных печатных платах Статья Юрия Сенякина, инженера, в журнале "Электронные компоненты" №6/2026 В статье рассматриваются причины возникновения нежелательных помех в высокоскоростных печатных платах, анализируются результаты исследования эффективности развязывающих конденсаторов в зависимости от расположения переходных отверстий, длины проводников между этими конденсаторами и выводами питания/заземления микросхем, а также расстояния от внутренней пары слоев питания и заземления. Другая часть статьи посвящена вопросам генерации синфазного излучения, возникающим проблемам и методам его контроля для проектирования электронных систем, отвечающих нормативным требованиям. Статья по ссылке: https://elcomdesign.ru/uncategorized/borba-s-izluchaemymi-pomehami-na-vysokoskorostnyh-pechatnyh-platah/

Поставщики и дистрибьюторы электронных компонентов и модулей В базе указана специализация компаний- поставщиков и дистрибьюторов электронных компонентов: полупроводниковые компоненты, модули и конечные изделия; датчики; дисплеи и другие средства отображения информации; пассивные и электромеханические компоненты; установочные корпусные изделия; средства автоматизации, электрооборудование; встраиваемые системы; САПР. Также указано наличие статусов официального дистрибьютора у вендоров, и дополнительные услуги: дилерская сеть, поддержка проектов, контрактное производство и разработка, сертификационные испытания, наличие учебных центров и их специализация. База по ссылке: russianelectronics.ru/distributors/ #электронныекомпоненты #ЭКБ  

С докладом "Особенности изготовления СВЧ плат для оснасток с рабочими частотами от 2 до 10 ГГц" на конференции "Испытание и тестирование изделий электронной техники" 22 октября в Москве выступит Рахматилло Шарабудинов, инженер по технической документации АО "ТЕСТПРИБОР" При проверке СВЧ ЭРИ на частотах более 2 ГГц возникают сложности измерения S-параметров, размеры копланарных линий оснастки становятся соизмеримы с длинной волны, их геометрия начинает сильно влиять на прохождение СВЧ сигнала. Даже при использовании специализированных СВЧ диэлектриков Rogers (и подобных) не всегда удается точно измерить параметры ЭРИ. Цель доклада по первой теме - ответить на вопрос, какие особенности нужно учитывать при изготовлении копланарных линий СВЧ оснасток, чтобы измерять параметры СВЧ ЭРИ на частотах от 2 до10 ГГц. Были изучены статьи по распространению СВЧ волн в копланарных линиях, изготовлены несколько оснасток с поэтапным внесением изменений в геометрию линий и замером параметров. В результате выявлены особенности изготовления копланарных линий, которые дают оптимальное прохождение сигнала и позволяют с достаточной точностью проверять параметры СВЧ ЭРИ в указанном частотном диапазоне. Доклад содержит эскизы и фото этапов изготовления копланарной линии с оптимальными параметрами. Сайт конференции: https://b2bconf.ru/testing

Разработан метаматериал для самолетов-невидимок По мере стремительного развития технологий электромагнитных помех и радиолокационного обнаружения спектр угроз для современных самолетов-невидимок расширился от традиционных высокочастотных диапазонов до сложного низкочастотного (НЧ) режима. Исследователи из Шанхайского университета Цзяотун представили революционный гибкий композитный поглотитель с каскадной метаповерхностью (CMFAC), который позволяет преодолеть фундаментальные противоречия между сильным поглощением, широкой полосой пропускания и сверхтонкой толщиной, которые долгое время были проблемой для материалов, поглощающих микроволны НЧ диапазона. Композит состоит из гибкой магнитной подложки с высокими потерями из полидиметилсилоксана и чешуйчатого карбонильного железа (PDMS/FCI) и двухслойных связанных метаповерхностных матриц, изготовленных из проводящих чернил PEDOT:PSS или никелированной ПЭТ-пленки. Моделирование методом конечных элементов и анализ в COMSOL Multiphysics показывают, что субволновая структура метаповерхности, обладающая свойством сопряжения, уникальным образом генерирует значительно усиленные, высоколокализованные электромагнитные поля внутри магнитной подложки: напряженность электрического поля увеличивается почти в три раза, а напряженность магнитного поля — почти в четыре раза по сравнению с падающими волнами. Это сильное локализованное поле интенсивно взаимодействует с прилегающей средой с потерями за счет синергетической релаксации диэлектрической поляризации, потерь на магнитный гистерезис, потерь на проводимость и структурных резонансных потерь. Взаимодействие в ближней зоне между слоями метаповерхности создает магнитные диполи, вращающиеся в противоположных направлениях, которые компенсируют друг друга в дальней зоне, подавляя отражение и локализуя энергию для эффективного рассеивания. Благодаря возможности контролируемого ненулевого пропускания (T ≠ 0) незахваченные электромагнитные волны продолжают распространяться через нижнюю метаповерхность для дальнейшего поглощения последующими слоями, что обеспечивает новые степени свободы для широкополосной оптимизации. При ультратонкой толщине всего 3,78 мм (~0,022λ) CMFAC обеспечивает исключительное поглощение, превышающее 90 %, в диапазоне 1,77–2,85 ГГц, что на 165 % лучше, чем у подложки без покрытия. Коэффициент поглощения в более широком диапазоне 1–6 ГГц превышает 60 %, что позволяет эффективно использовать его в диапазонах от P до C. Конструкция демонстрирует исключительную угловую стабильность, сохраняя превосходное поглощение в пределах 50° для TE-поляризации и 70° для TM-поляризации, а также незначительное ухудшение характеристик после 50 циклов изгиба, что подтверждает высокую механическую гибкость. Моделирование эффективной площади рассеяния (ЭПР) демонстрирует снижение ЭПР более чем на 10 дБ при нормальном падении и подавление боковых лепестков примерно на 10 дБ в пределах ±40°, что подтверждает всенаправленную скрытность. По сравнению с 14 типовыми низкочастотными поглотителями, предложенная конструкция обеспечивает превосходные характеристики при значительно меньшей эквивалентной толщине.

Прибыль производителей чипов в Китае выросла на 2500% в первом полугодии на фоне бума искусственного интеллекта   Согласно данным Национального бюро статистики (НБС), опубликованным в понедельник, в первой половине 2026 года прибыль крупнейших китайских производителей микросхем взлетела на ошеломляющие 2579,5 % из-за беспрецедентного спроса на искусственный интеллект и вычислительные мощности.   Спрос на вычислительные мощности также способствовал росту прибыли всей электронной промышленности на 97 % в годовом исчислении. Электроника также стала ключевым фактором быстрого роста общей прибыли промышленности. За первое полугодие прибыль крупнейших промышленных предприятий Китая — тех, чей годовой доход превышает 20 миллионов юаней (2,9 миллиона долларов США), — выросла на 18,7 % и составила 4 триллиона юаней.   Эти данные резко контрастируют с показателями за аналогичный период прошлого года, когда искусственный интеллект еще не стал причиной масштабного строительства глобальных центров обработки данных. В первой половине 2025 года прибыль промышленных предприятий снизилась на 1,8 % и составила 3,4 трлн юаней, в то время как прибыль электронной промышленности выросла всего на 3,5 % по сравнению с аналогичным периодом прошлого года. Национальная статистическая служба Китая не раскрывала отдельно прибыль отрасли по производству микросхем за первое полугодие прошлого года. В промышленности Китая происходят кардинальные изменения, поскольку глобальный ажиотаж вокруг искусственного интеллекта приводит к резкому росту спроса на высокопроизводительные вычислительные устройства и микросхемы памяти.   Экспорт чипов из страны также вырос на фоне создания глобальной инфраструктуры искусственного интеллекта. Данные, опубликованные Национальным бюро статистики в начале этого месяца, показали, что за первые шесть месяцев объем производства интегральных схем в Китае вырос на 23% по сравнению с аналогичным периодом прошлого года и достиг почти 280 миллиардов единиц. В среднем в стране производилось более 1,5 миллиарда микросхем в день  

Разработана новая технология производства полупроводников на основе атомно-слоевого осаждения Исследовательская группа факультета химической и биомолекулярной инженерии Корейского института передовых технологий в сотрудничестве с Университетом Ханьян и Университетом Райса в США разработала новую технологию производства полупроводников на основе атомно-слоевого осаждения (Atomic Layer Deposition, ALD). ALD — это процесс тонкопленочного осаждения, при котором полупроводниковые прекурсоры подаются последовательно, что позволяет осаждать однородные тонкие пленки с контролем толщины на атомном уровне. Статья опубликована в Science Advances. Исследователи сосредоточились на ван-дер-ваальсовых материалах. Эти двумерные полупроводниковые материалы состоят из множества атомных слоев, удерживаемых вместе слабыми межслойными силами, что позволяет разделять их на листы толщиной с бумагу. Поскольку ван-дер-ваальсовы материалы можно свободно укладывать друг на друга, они привлекают внимание как ключевые строительные блоки для чипов искусственного интеллекта следующего поколения и полупроводниковых устройств со сверхнизким энергопотреблением. Ученые разработали новый метод, который позволяет прекурсорам, содержащим теллур (Te) — молекулярным строительным блокам, используемым для изготовления полупроводников, — свободно перемещаться по поверхности, находить наиболее энергетически стабильные позиции и образовывать тонкую пленку. Теллур привлекает внимание как ключевой материал для полупроводников и оптоэлектронных устройств следующего поколения, включая фотодетекторы и светоизлучающие диоды (LED), поскольку он сочетает в себе сильно зависящую от направления электропроводность с превосходными свойствами управления светом. Используя этот подход, исследовательская группа добилась равномерного эпитаксиального роста теллура в одном направлении на ван-дер-ваальсовых материалах — двумерных полупроводниковых материалах нового поколения, состоящих из множества атомно-тонких слоев, уложенных друг на друга, как листы бумаги, — при низкой температуре 150 °C (302 °F) с помощью атомно-слоевого осаждения. При эпитаксиальном росте новая полупроводниковая плёнка упорядоченно наращивается в соответствии с атомным строением нижележащего кристалла, что позволяет создавать высококачественные полупроводниковые плёнки. Этот процесс можно сравнить со складыванием кирпичей в ряд в одном направлении, а не в произвольном порядке, что может улучшить электропроводность и повысить характеристики полупроводников. Исследователи также подтвердили, что эту технологию можно применять к целому ряду ван-дер-ваальсовых материалов, включая диселенид вольфрама (WSe2), дисульфид молибдена (MoS2), диселенид рения (ReSe2) и слюду. Это доказывает, что метод применим не только к одному материалу, но и может использоваться с различными полупроводниковыми материалами следующего поколения.