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💻 TSMC, 오늘 실적발표 앞두고 기대감 고조…3년간 2,000억 달러 투자 전망 https://www.ctee.com.tw/news/20260416700039-439901 📍연간 실적 가이던스 상향 가능성 모건스탠리는 TSMC의 2분기 매출이 전분기 대비 5~10% 증가할 것으로 전망 이에 따라 연간 매출 성장률 전망이 기존 약 30%에서 35% 수준으로 상향될 가능성 제기 📍대규모 CAPEX 계획 2026~2028년 총 2,000억 달러 규모의 설비 투자 계획을 발표할 가능성 26년: 550억 달러, 27년: 650억 달러, 28년: 800억 달러 이는 2021년 발표한 3년간 1,000억 달러 투자 계획을 크게 상회 📍시장 반응 및 투자 포인트 외국계의 목표주가 상향으로 TSMC 주가는 발표 전 사상 최고가 경신 3나노 공정 수요 증가가 주요 성장 동력으로 평가 장비 공급업체인 家登(Topco Scientific)과 萬潤(All Ring Tech)이 수혜 지목 📍경쟁 환경 수요 급증으로 일부 고객(AMD, NVIDIA)이 삼성 파운드리를 보조적으로 검토 인텔 파운드리 역시 신규 고객 확보에 적극 나서며 경쟁 심화 📍 전략적 의미 공격적인 CAPEX 확대는 TSMC의 시장 지배력 유지 전략으로 해석 향후 실적과 주가 흐름은 선단 공정 수요와 투자 계획 발표 여부에 좌우될 전망 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻 중국 CXMT 퀄컴과 손잡고 모바일D램 영토 확장, 삼성전자·SK하이닉스 과점체제 위협? https://m.businesspost.co.kr/BP?command=mobile_view&num=435771 📍퀄컴과 전략적 협력 중국 창신메모리(CXMT)가 퀄컴과 스마트폰용 맞춤형 모바일 D램을 공동 개발 해당 제품은 독립형 NPU 지원을 위한 고대역폭 메모리로, TSV 및 하이브리드 본딩 기술을 적용 2026년 말~2027년 초 양산, 중급 스마트폰 시장을 주요 타깃으로 설정 📍가격 경쟁력 기반 시장 확대 CXMT의 LPDDR5/LPDDR5X는 글로벌 경쟁사 대비 15~30% 저렴한 것으로 추정 삼성·하이닉스·마이크론이 AI 서버용 D램(HBM)에 집중하면서 모바일 D램 공급이 부족해지고, 가격 상승이 CXMT에 기회로 작용 📍과점 체제에 도전 현재 모바일 D램 시장은 삼성, 하이닉스, 마이크론의 ‘빅3’ 과점 구조 애플 또한 가격 협상력 확보를 위해 중국산 메모리 도입을 검토 중 CXMT의 글로벌 점유율은 '25년 5%, '26년에는 10% 달성 목표 제시 📍성장 배경 샤오미, 오포, 비보 등 중화권 스마트폰 제조사들의 채택 확대와 중국 정부의 보조금 정책이 성장에 기여 LPDDR4X 및 LPDDR5X 중심으로 중단기 시장 점유율 확대가 예상 📍 한계 요인 미국의 수출 규제로 EUV 장비 도입 제한, 초미세 공정 기술에서 선두 업체와의 격차 존재 수율과 품질 측면에서도 삼성전자와 SK하이닉스 대비 아직 열위 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

✅ 삼성전자, 7세대 HBM 개발 속도… 5월 첫 샘플 나온다 https://www.chosun.com/economy/tech_it/2026/04/16/MRQTCNZYGA2WCNBSMI4DQZRXMM/ 📌 HBM4E 샘플 개발 삼성전자가 7세대 HBM인 ‘HBM4E’의 5월 첫 검증용 샘플 생산을 목표 중 파운드리 사업부에서 로직 다이를 생산한 뒤 메모리 사업부가 HBM4E용 D램과 패키징을 진행 내부 검증을 거쳐 엔비디아에 샘플 납품할 계획 📌 기술적 특징 로직 다이: 4나노 파운드리 공정 적용 D램: 10나노급 6세대(1c) 공정 기반 HBM4 대비 성능을 개선하면서 공정 안정성과 기술 완성도를 확보하는 전략 📌 차세대 시장 선점 전략 삼성전자는 이미 HBM4 업계 첫 양산 출하를 발표하며 시장 진입에 성공 HBM4E 개발을 통해 차세대 AI 메모리 시장 주도권 확보를 노림 과거 HBM 시장에서의 열세를 만회하기 위한 전략적 행보로 해석 📌 경쟁사 동향 SK하이닉스 역시 HBM4E 개발을 추진 중 차세대 D램과 TSMC 3나노 로직 다이 적용을 검토하며 성능 경쟁에 집중 엔비디아의 차세대 AI 칩 ‘베라 루빈’ 출시 지연으로 초기 생산량은 일부 조정될 가능성 ✅ 독립리서치 그로쓰리서치 https://t.me/growthresearch

💻점점 심플해지는 테슬라, 스페이스X 엔지니어링

💻 인텔, ‘Terafab 참여 범위’ 조만간 공개 예정 인텔 CEO 립부 탄이 내부 메모를 통해 머스크 ‘Terafab’ 프로젝트에서 인텔이 맡는 역할과 범위를 “향후 몇 주 내 직원들에게 공개”하겠다고 언급 📍인텔 참여 → 전략적 동맹 형성 인텔, 테라팹에서 SpaceX·xAI·테슬라와 함께 협력 설계·제조·패키징까지 포함된 풀스택 반도체 역량으로 프로젝트 지원 📍아직 구체 내용은 비공개 상태 현재까지는 협력 사실만 확인된 수준 → 실제 참여 범위(설계·파운드리·패키징 등)는 아직 불투명 📍의미: 프로젝트 구체화 초기 내부 공유조차 이제 진행되는 단계 → 테라팹 또한 아직 ‘구상 → 실행 설계’ 넘어가는 초입 국면 📍투자 관점 해석 향후 공개되는 참여 범위에 따라 인텔의 파운드리 전략 및 AI 인프라 포지셔닝 재평가 가능성 열림 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻 삼전닉스 옆으로… 반도체 소부장 ‘용인行’ 가속 https://www.fnnews.com/news/202604151813543484 📍 소부장 기업들의 용인 진출 확대 삼성전자와 SK하이닉스의 투자에 맞춰 소재·부품·장비 기업들이 용인 반도체 클러스터 입주를 확정. 고객사와의 근접 지원 전략이 주요 배경. 📍주요 기업 동향 저스템 2028년까지 연면적 1만9800㎡ 규모 신사옥 건설. 습도제어 솔루션 엔투퍼지(N₂ Purge)로 글로벌 시장 점유율 80% 이상. OLED 및 이차전지 장비 등으로 사업 영역 확대. 파크시스템스 1만3216㎡ 규모 부지 확보, 공장 착공 시점 조율 중. 원자현미경(AFM) 글로벌 1위, 미세 공정 계측 수요 증가에 대응. 에스앤에스텍 EUV 전용 센터 준공 및 양산 가동. EUV 블랭크마스크·펠리클 국산화로 수입 의존도 감소. 📍용인 반도체 클러스터의 의미 2042년까지 300조 원 이상이 투입되는 국가 핵심 프로젝트. 삼성전자(평택)와 SK하이닉스(청주·용인)를 중심으로 ‘반도체 메가 클러스터’ 형성. 📍산업 전망 중동 전쟁 등 글로벌 변수에도 불구하고 메모리 슈퍼사이클 지속 전망. AI 데이터센터 확대에 따른 HBM 및 고성능 메모리 수요 급증이 성장 동력. 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻 일론 머스크: 테슬라, AI5 칩 테이프아웃 (번역) Tesla_AI의 칩 설계팀의 AI5 테이프아웃을 축하합니다! AI6, Dojo3 및 다른 흥미로운 칩들도 개발 중에 있습니다. 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻HBM4 전략 분기 — 삼성 수율 추격 vs SK하이닉스 출하 축소 📌 삼성 HBM4 현황 — 수율 80% 목표 현재 1c DRAM HBM4용 수율 60% 미만 추정 하반기 성숙 양산 기준 ~80% 달성 목표 — 엔비디아 등 핵심 AI 고객 공급 강화 경쟁사 대비 EUV 레이어 수 많음 → 공정 복잡도·비용 부담 가중 칩 레벨 수율 개선해도 HBM4 최종 조립 단계에서 추가 수율 손실 발생 구조 로직 다이는 4nm 고가동률 + 가격 인상(+40~50%)으로 상대적으로 비용 압박 덜함 📌 SK하이닉스 HBM4 — 출하 20~30% 축소 엔비디아 Rubin 플랫폼 출시 지연 → HBM4 출하 목표 20~30% 하향 조정 Rubin 지연 원인: 핵심 부품 최적화 미완료 + HBM4 데이터 처리속도 목표 11Gbps (현 업계 기준 상회) 미달 네트워크 인터커넥트 CX8→CX9 전환·소비전력·액냉 최적화 등 추가 허들 다수 축소된 HBM4 물량 → HBM3E + 서버 DRAM(LPDDR 등)으로 재배분 총 메모리 수요는 유지되나 제품별 마진 차이로 연간 실적 영향 불확실 📌 엔비디아 GPU 출하 믹스 변화 (TrendForce) Rubin 비중: 29% → 22% 하향 Blackwell(HBM3E 탑재) 비중: 61% → 71% 상향 — HBM3E 수요 반사 수혜 📌 마이크론 동향 HBM4 개발 속도 상대적으로 뒤처짐 → 퀄리피케이션·품질 승인 허들로 초기 출하 압박 CEO 사njay Mehrotra: "비HBM 마진이 현재 HBM보다 높다" — DDR5 수익성이 HBM 초과 3QFY26 총이익률 전망 81% — 전분기 사상 최고 75%에서 추가 상승 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻NAND 스팟 시장 — 512Gb TLC 웨이퍼 3.13% 하락 📌 이번 주 스팟 시장 현황 전반적 거래 분위기 지난주와 유사 — 보수적 기조 지속 512Gb TLC 웨이퍼 스팟 가격: $21.000 (-3.13%) DRAM 스팟 대비 낙폭 더 큰 편 — NAND 수요 회복 더딤 반영 📌 수요 측 동향 바이어, 고가 부담 으로 관망세 유지 적극적 재고 확충 의지 없음 — 가격 조정 기다리는 포지션 📌 공급 측 동향 대부분 셀러, 계약 가격 인상 기대감으로 스팟 시장 서두르지 않는 분위기 일부 셀러, 자금 압박으로 가격 타협 후 거래 마무리 — 이것이 스팟 하락 요인 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻DRAM 스팟 시장 — 4월 중순 공식 가격 발표 앞두고 관망세 📌 이번 주 스팟 시장 현황 분기말 + 연속 휴일 영향으로 거래 활동 전반적 위축 DDR4 1Gx8 3200MT/s 스팟 가격: $33.56 → $33.40 (-0.48%) 가격 하락폭 미미 — 실질적으로 횡보 수준 📌 공급 측 동향 대부분 스팟 셀러, 4월 중순 DRAM 공급사 공식 가격 발표 대기 중 가격 호가 보수적 유지 기조 — 선제적 인하 자제 일부 셀러만 현금흐름 확보 목적으로 산발적 소폭 인하 — 예외적 움직임 📌 수요 측 동향 최종 소비 시장 수요 회복 모멘텀 부족 바이어들 고가 수준에서 재고 확충 소극적 — 철저한 원가 통제 기조 유지 전반적 수요 측 패시브 포지션 → 거래량 지속 감소 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻ASML 1Q 2026 실적 & 시스템 판매 📌 1Q 2026 실적 (컨센서스 상회) 순매출 €87.7억 (예상 €85.5억 상회) 순이익 €27.6억 (예상 €25.4억 상회) 2Q 가이던스: €84~90억 (예상 €90.4억 소폭 하회) 연간 가이던스 상향: €340~390억 → €360~400억 (예상 €376.8억) 📌 기술별 판매 구조 변화 (Q4'25 → Q1'26) EUV: 48% → 66% — 메모리 수요 급증으로 EUV 비중 대폭 확대 ArFi: 40% → 23% — 로직 수요 둔화 반영 KrF: 5% → 6% / ArF Dry: 2% 유지 📌 용도별 구조 변화 (Q4'25 → Q1'26) 메모리: 30% → 51% — 메모리 슈퍼사이클 ASML 실적에 직접 반영 로직: 70% → 49% — 비중 역전 📌 지역별 구조 변화 (Q4'25 → Q1'26) 한국: 22% → 45% — 삼성·SK하이닉스 EUV 투자 압도적 1위로 부상 대만: 13% → 23% — TSMC 2nm 투자 지속 중국: 36% → 19% — 수출규제 영향 지속 + 전분기 대비 비중 급락 미국: 17% → 12% / 일본: 10% → 기타 아시아 1%로 축소 📌 리소그래피 유닛 수 (Q1'26) EUV 16대 / ArFi 17대 / KrF 30대 / I-line 11대 / ArF Dry 5대 📌 시사점 메모리 비중 51% 돌파 = DRAM 슈퍼사이클이 ASML 수주에 완전히 반영 확인 한국 비중 45% = 삼성·SK하이닉스의 HBM4·1c나노 EUV 투자 본격화 직접 증거 중국 비중 36% → 19% 급락 — 수출규제 실효성 확인 + 비중국 수요로 완전 대체 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻DRAM 시장 수요 구조 분석 — AI가 전방위 수요 견인 📍수요 성장 핵심 동인 CSP(클라우드 서비스 업체)의 CapEx 대규모 확대 → HBM·고용량 DDR5·LPDDR5 수요 폭증 AI 애플리케이션, 클라우드에서 엣지 AI로 확장 — 맞춤형 메모리 솔루션 의존도 심화 엣지 AI 확산 = 스마트폰·PC·자동차·IoT 전 영역 LPDDR5X 수요 추가 자극 📍세그먼트별 온도차 저가 소비자 제품 수요 약세 — 메모리 가격 상승에 따른 OEM 부담 반영 고사양 PC·플래그십 스마트폰 수요 안정적 유지 AI 서버·데이터센터 수요 압도적 강세 — 전체 시장 수요 구조 재편 주도 📍맞춤형 메모리 트렌드 단순 범용 DRAM → 용도 특화 커스텀 솔루션 으로 수요 진화 HBM4·SOCAMM·LPDDR5X 등 프리미엄 품목 중심 공급 타이트 가속 VR200(50TB) → VR300(220TB) SOCAMM 수요 급증 — 엔비디아 플랫폼 세대 교체마다 수요 배증 구조 📍장기 전망 DRAM 시장 전반 수요 견조 + 장기 긍정적 아웃룩 유지 공급 확대 가시화 시점 2027년 하반기 — 그 전까지 수급 타이트 지속 AI 클라우드 + 엣지 AI 이중 수요 엔진 구조 정착 — 단일 사이클 논리로 설명 불가 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

✅ DRAM 슈퍼사이클 조기 종료론 반박 — SOCAMM 수요 폭탄 📌 엔비디아 플랫폼별 SOCAMM 수요 급증 - GB200: 17TB SOCAMM2 탑재 - VR200: 50TB+ SOCAMM2 탑재 — GB200 대비 3배 이상 - VR300: 220TB SOCAMM 탑재 — VR200 대비 4배 이상 - VR300 HBM4E 1TB에만 주목하는 시각 → SOCAMM 220TB라는 진짜 수요 폭탄 간과 📌 LPDDR5X 공급망 파급 엔비디아가 AI 서버용으로 LPDDR5X 대규모 흡수 시작 스마트폰 OEM들 이미 패닉 바잉 돌입 VR300 양산 본격화 시 LPDDR 부족이 스마트폰 생산 자체를 제약하는 수준 도달 가능 AI 서버 vs 스마트폰 간 LPDDR 쟁탈전 본격화 예고 📌 슈퍼사이클 지속 근거 재정리 Silicon Motion CEO: 공급 완화 시점 빨라도 2027년 하반기 Counterpoint: 삼성·SK하이닉스 보수적 CapEx 기조 유지 — 공급 증가 억제 SOCAMM 수요: GB200 → VR200 → VR300으로 세대별 3~4배 급증 구조 HBM + LPDDR + NAND 전 메모리 품목 동시 타이트 — 단일 품목 사이클 아님 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

✅인텔 EMIB-T vs TSMC CoWoS — 차세대 패키징 주도권 경쟁 📌 CoWoS의 한계 현재 CoWoS, 지원 가능 최대 레티클 크기 약 9.7x로 제한 AI 칩·첨단 패키징 스케일업 속도가 이 한계를 빠르게 초과 중 TSMC가 CoPoS·글라스 기판으로 대응 준비 중이나 양산까지 시간 필요 📌 인텔 EMIB-T 기술 우위 실리콘 브리지 내 DTC(딥 트렌치 커패시터) 직접 통합 — TSV와 나란히 배치 다이 근접 고주파 디커플링 → 전원 무결성(Power Integrity) 우수 노이즈 감소 + HBM4 고속 메모리 통합 지원에 강점 AP Memory와 파트너십 → 구글·미디어텍 DTC 생산 지원 구글·AWS, EMIB-T 기계적 테스트 차량(MTV) 평가 진행 중 📌 TSMC의 반격 — CoPoS 로드맵 가속 인텔 경쟁 심화 대응 → CoPoS 로드맵 내후년(2027년)으로 앞당길 가능성 지원 폼팩터: 300mm·500mm 대형 포맷 SoIC + CoPoS 결합 3.5D 패키징 — 메타 MTIA 프로그램 평가 중 글라스 코어 기판 도입 → 9.7 레티클 초과 시 워피지 문제 해결 타깃 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻 엔비디아 칩보다 급한 건 '전력 동맥'…구리선 10배 효율, 초전도 케이블 도입 본격화 https://www.rcast.co.kr/news/articleView.html?idxno=30525 📍 초전도 케이블이 대안 영하 196도에서 저항 ‘0’ 구리선보다 전류 용량 10배+ 기존 관로로 전력 5~10배 확대 저전압 대용량 송전 가능 변전소 증설 부담 완화 📍 빅테크의 관심 MS·아마존도 도입 검토 AI 확산으로 전력 수요 급증 전력 인프라가 핵심 경쟁력 부상 📍 국내 기업 경쟁력 한국, 세계 최초 상용화 경험 154kV급 실증까지 완료 북미·유럽 수주전 본격화 📍 핵심 인사이트 “지금 빅테크에 필요한 것은 더 빠른 칩이 아니라, 그 칩을 24시간 가동할 수 있는 안정적인 전력 고속도로다.” 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻 AI 서버 수요 급증으로 CCL 가격 상승세 2026년까지 지속 전망 📍CCL 가격 인상 확산 고급 PCB 수요 증가로 상위 소재인 CCL(동박적층판) 가격이 상승 가격 인상은 PCB 업체를 거쳐 전자부품 전반의 비용 상승으로 이어지는 추세 M6·M7·M8 등 고성능 등급 전반에서 두 자릿수 이상 인상, 상승세는 2026년 말까지 지속될 전망 📍주요 원인: 유리섬유 및 동박 공급 부족 유리섬유(Glass Fiber Cloth) 공급 부족이 가격 상승의 핵심 요인 고급 유리섬유는 연간 20~30% 상승 예상 고품질 동박 역시 공급 부족으로 2026년과 2027년 각각 48%, 43%의 수급 격차가 예상되며 가격 인상 압력 확대 📌 수혜 기업 및 공급망 주요 CCL 업체들: 타이광, TUC 등은 가격 인상을 통해 비용을 전가할 전망 유리섬유 공급업체: Nittobo, Asahi Kasei, 타이글라스, 타이산글라스 등이 주요 수혜 예상 동박 업체: 미쓰이금속, 후루카와전공 등도 가격 인상 주도 📍주요 기업 가격 인상 사례 Panasonic: 2026년 5월 1일부터 CCL 및 관련 소재 15~30% 인상 TUC: 4월 25일 출하분부터 20~40% 인상 및 가공비 상승 Resonac, 미쓰비시가스화학: CCL·프리프레그·CRS 제품 약 30% 인상(4월 1일 적용) 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻삼성전자, HBM4용 D램 수율 개선 총력전… "하반기 중 완성 단계 목표" https://biz.chosun.com/it-science/ict/2026/04/15/JG4NUPA6SFDVTISQZK3NIKXHNY 📍1c D램 수율 성과 10나노 6세대(1c) D램 수율이 최근 성숙 수율(80% 이상)에 도달한 것으로 평가 첨단 D램 공정 안정화의 긍정적인 신호로 해석 📍 HBM4 실효 수율은 아직 과제 HBM4용 D램의 실효 수율은 60% 미만으로 추정 적층, 패키징, 발열 제어, 신호 안정성 등 추가 공정으로 인해 범용 D램보다 난도가 높음 올 하반기 수율 완성 단계 진입을 목표로 개선 작업 진행 중 📍수율이 경쟁력의 핵심 HBM 시장에서는 초기 진입보다 안정적인 대량 공급 능력이 더 중요 낮은 수율은 생산량 확보와 수익성 악화로 이어질 가능성 📍비용 구조와 전략적 의미 삼성은 경쟁사 대비 더 많은 EUV 레이어를 사용해 공정 복잡도와 비용 부담 높음 수율 안정화가 원가 경쟁력 확보와 시장 점유율 확대의 핵심 변수로 작용 📍시장 경쟁 구도 HBM4 성능을 앞세워 SK하이닉스와의 주도권 경쟁이 본격화 1c D램 수율 개선은 공정 정상화의 신호이며, HBM4 실효 수율 확보가 AI 메모리 시장 주도권을 좌우할 전망 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

✅일론머스트의 궤도 AI데이터 센터와 대주전자재료 HJT 부각 머스크의 위성 데이터센터가 구체화될수록 대주전자재료의 HJT는 부각받을 가능성이 높음. 📍머스크: "태양광 AI 위성 연 100GW는 AI 컴퓨터 연 100GW를 필요로 한다" 스페이스X, FCC에 궤도 데이터센터 전용 대규모 위성 군집 운용 허가 신청 완료 우주 공간에 태양광 패널 탑재 AI 위성을 대규모로 배치 목표 규모: 연 100GW — 미국 전체 전력 생산의 약 25% 수준 📍HJT(이종접합 태양전지) = 결정질 실리콘 위에 비정질 실리콘막을 코팅하는 방식 200도 이하 저온 공정 → 공정 비용 저렴 구리 페이스트 사용 가능 — 은 가격 급등 상황에서 핵심 원가 절감 요인 경쟁 기술 GaAs: 장당 양산 비용 3,000달러 vs HJT: 2달러 수준 현재 상용화된 실리콘 태양전지 중 발전 효율 최고 + 온도 변화·방사선에도 효율 유지 우주태양광 프로젝트에서 HJT가 사실상 유일한 현실적 선택지로 부상 ✅독립리서치 그로쓰리서치 https://t.me/growthresearch

💻무라타 부품 가격 인상 + MLCC 시장 구조 분석 — 트렌드포스 📍무라타가 칩 비드·인덕터 등 일부 부품 가격 인상 단행 원인: 은·구리 등 금속 원자재 비용 급등 (다이요유덴에 이어 연속 인상) AI 수요가 소비재 수요를 구축(Crowding-out) 하는 효과 + 지정학 리스크 겹침 공급업체들은 생산능력·재고 조정 중 → 원가 구조 점진적 안정화 📍하이엔드 MLCC — 공급 타이트 고전압·고용량 특수 사양 MLCC 수요 집중 CSP(클라우드 서비스 공급자) 자체 칩 개발 가속 구글·AWS·메타 인하우스 칩 → MLCC 수요 직접 창출 공급 가능한 업체: 일본·한국 소수 업체로 제한 → 구조적 공급 제약 결론: 일부 하이엔드 MLCC 선택적 가격 인상 가능성 존재 🔥삼성전기 — 고전압·고용량 하이엔드 MLCC 핵심 공급자, 직접 수혜 🔥무라타·다이요유덴·TDK — 가격 인상 선도, 마진 개선 흐름 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻다이요유덴, MLCC 등 부품 가격 인상 — 5월부터 적용 일본 다이요유덴(太陽誘電)이 일부 제품 5월 1일부터 가격 인상 공식 통보 대상 제품: MLCC·인덕터·FBAR/SAW 필터·알루미늄 전해 콘덴서 등 📍인상 배경 금·은 포함 각종 원자재 및 부품 가격 수년간 지속 상승 생산 비용 증가분을 자체 흡수하는 데 한계 도달 "가격 조정은 불가피한 상황" 명시 📍인상 대상 제품군 다층 세라믹 콘덴서 (MLCC) — 적층 세라믹 콘덴서 일부 시리즈 인덕터 일부 시리즈 적층 칩 저항기 일부 시리즈 FBAR/SAW 필터 일부 알루미늄 전해 콘덴서 일부 다이요유덴은 무라타·TDK와 함께 MLCC 글로벌 3대 메이커 중 하나 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi