IC Cadence نانو الكترونيك
- Подписчики
- Просмотры постов
- ER - коэффициент вовлеченности
Загрузка данных...
Загрузка данных...
Journal of Computational Electronics - In this study, we analyze a β-Ga2O3 gate-all-around nanowire junctionless transistor (β-GAA-JLT) in accumulation mode. The performances are...
Cadence IC Design Virtuoso 06.17.702 provides the designers the access to a new parasitic estimation as well as comparison flow and optimization algorithms.
In our work, we demonstrate a 4H-SiC gate-all-around cylindrical nanowire junctionless (GAA-NWJL) metal oxide field effect transistor (MOSFET) with a negative capacitance (NC) in 20 nm gate...
This paper presents a new β-Ga2O3 Junctionless double gate Metal-Oxide-Field-Semiconductor-Effect-Transistor (βDG-JL-FET) with an embedded P+ packet a…
Ваш текущий тарифный план позволяет посмотреть аналитику только 5 каналов. Чтобы получить больше, выберите другой план.