IT의 신 이형수

[메리츠증권 전기전자/IT부품 양승수] ▶ Blackwell Shipments Imminent, Total CoWoS Capacity Expected to Surge by Over 70% in 2025, Says TrendForce - H100 공급 부족은 1Q24 완화 중. H200 물량이 2Q24 점진적으로 증가하고 Blackwell은 3Q24E 출시, 4Q24E 본격 확대 예상 - 그럼에도 2024년은 H100, H200 등 Hopper 플랫폼에 집중할 전망. Blackwell은 4Q24부터 증가해 올해 하이엔드 GPU 시장 내 점유율 10% 미만 예상 - Blackwell 플랫폼의 칩 크기는 H100의 두 배 수준 - TSMC CoWoS 총 생산능력은 2024년 150%, 2025년 70% 이상 증가 예상됨. 엔비디아는 이 중 약 50% 사용 예정 - H100이 HBM 80GB를 주로 탑재하는 반면, 2025년 B200은 HBM3E 288GB 탑재 에정 - 마이크로소프트, 메타, AWS는 가장 먼저 GB200 도입 예정. 세 기업으로의 출하량 합산은 2025년까지 30,000 랙 이상 - 구글은 TPU AI 인프라 확장을 우선으로 진행 중 - 엔터프라이즈 고객, 각 정부의 AI 클라우드, tier-2 데이터센터 업체들의 수요도 눈에 띄게 증가 중 - 2023년은 CoWoS, HBM 공급 부족으로 주요 CSP에 공급 집중됐지만(65%), 1H24 GPU 공급 증가와 함께 Dell, HPE 등 서버 브랜드 수요 비중 19%까지 확대 예상 - CoreWeave, Tesla 등 tier-2 업체와 정부 AI 클라우드 등의 수요 점유율도 31%까지 상승할 전망 https://han.gl/Kg1ni (TrendForce) * 본 내용은 당사의 코멘트 없이 국내외 언론사 뉴스 및 전자공시자료 등을 인용한 것으로 별도의 승인 절차 없이 제공합니다.

정기태 삼성전자 부사장 "GAA 적용 두번째 제품 올해 말 양산" 정기태 삼성전자 파운드리사업부 부사장이 "게이트올어라운드(GAA) 구조가 적용된 두 번째 제품을 올해 말 양산할 계획"이라고 말했다. 정 부사장은 30일 서울 양재동 엘타워에서 열린 'AI-PIM 반도체 워크숍'에서 "2022년 GAA 구조로 첫 제품을 양산했고, 기대했던 대로 성능이 나왔다"며 이같이 밝혔다. 3나노 GAA 공정이 적용될 반도체는 삼성전자의 애플리케이션프로세서(AP) '엑시노스2500'(가칭)으로 추정된다. 이 칩셋은 내년 갤럭시S25 시리즈에 탑재될 전망이다. 이보다 앞서 삼성전자의 3나노 GAA 공정을 사용한 고객사는 중국의 팹리스(반도체 설계전문) 판세미다. GAA는 트랜지스터 채널의 3개 면을 감싸는 핀펫 구조와 달리 닿는 면을 4개로 늘린 것이 특징이다. 트랜지스터 성능 저하를 막고 데이터 처리 속도와 전력 효율을 높일 수 있다. 삼성전자의 파운드리 경쟁사인 대만 TSMC는 3나노 공정에서 기존의 핀펫 트랜지스터 구조를 사용하고 있다. 이는 삼성전자의 GAA보다 낮은 단계의 기술이다. TSMC는 내년 2나노 공정부터 GAA 구조를 적용한다는 계획이어서 삼성전자가 시기적으로 앞섰다 미국 AMD가 삼성전자의 3나노 GAA를 사용할 것이란 이야기는 사실 여부가 아직 불분명하다. 리사 수 AMD 최고경영자(CEO)는 최근 열린 ‘아이멕테크놀로지포럼(ITF) 월드 2024’에서 3나노 GAA 기술의 반도체를 도입하겠다고 밝혔다. 현재 파운드리(반도체 수탁생산) 업체 중 3나노에 GAA 방식을 사용하는 곳은 삼성전자가 유일하기에 업계에선 AMD가 삼성의 고객사로 들어올 것이라는 추측이 나왔다. 하지만 삼성전자가 AMD 제품을 3나노 GAA 방식으로 양산하더라도 시점을 당장 올해로 특정하기는 어렵다는 관측이 나온다. 삼성전자는 올해 말 반도체 소자의 구조적 변화, 초미세회로를 그리는 공정의 진보를 통해 파운드리 경쟁력을 강화할 것으로 기대된다. 정 부사장에 따르면 GAA 구조를 사용한 반도체는 핀펫 구조 대비 전력 소모가 약 20% 낮고, 대규모 양산 측면에서도 유리하다. 정 부사장은 차세대 공정이 사용된 반도체가 출시된 뒤 다른 분야에 새 공정이 쓰이게 되는 기간이 단축되고 있다고 설명했다. 그는 "과거 (선단 공정을) 오토모티브용 반도체 등으로 적용하는데 10~20년 걸렸다고 한다면 시기적 갭이 줄어들고 있다"면서 "이제는 테슬라와 같은 자동차 업체도 선단공정을 일찍 사용하고 싶어한다"고 말했다. 2022년 처음 적용된 3나노 공정은 올해를 기점으로 수요가 많아질 것으로 예상된다. 시장조사업체 옴디아에 따르면 내년 전 세계 3나노 매출 비중은 5나노를 넘어설 전망이다. 정 부사장은 "파운드리는 시간이 지나도 공정이 없어지는 게 아니라 새 공정이 추가되는 형태로 간다"면서 "파운드리 사업 특성상 셋업을 잘해놓으면 굉장히 안정적으로 수익을 낼 수 있다"고 말했다. https://daily.hankooki.com/news/articleView.html?idxno=1089689

[삼성증권 금일 삼성전자 관련 반도체 세션] 1. HBM3 관련해서 초기에는 열나서 못쓰겠다. 소프트웨어랑 먹통이다 등의 문제가 있었다. 지금은 해당 문제들은 해결되었고 전력소비 큰 것을 해결 해달라는 요청을 받은 것으로 알고 있다. (Broadcom에 의하면 SK Hynix HBM보다 전력 30% 더 소모, 마이크론 보다는 이보다 더 크게 소모하는 것으로 알고 있다) 2. 삼성전자 3nm GAA 관련 AMD 서버향 받은건 아니고 Legacy 쪽 4nm 수주를 받은 것으로 확인된다. 3. 삼성증권은 삼성전자가 Risk 대비 Return이 엄청 좋은 상황이라고 판단하고 Top Pick으로 상향한다. (SK하이닉스는 여전히 Top Pick 유지) 3. HBM3 퀄 통과는 예정대로 5~6월에는 나올거라고 생각하고 있다. (전럭소모 개선 조건부 퀄 통과가 나올수도 있다.) 4. 다만, 열나는건 Metal Layer를 두껍게 한다던지 해서 해결할 수 있다. 소프트웨어 오류는 사람 붙이면 된다. 그런데 전력소모 개선은 쉽지 않다. 기본 Die 자체가 빨라져야 한다.. => 물리적으로 봤을때 electron 을 더 빨리 밀어야 하니까 변압을 더 높게 걸어야 하고 이로 인해 저항이 더 생기고 열도 나고 이런건데 이걸 어떻게 해결할지..? 당장 1a를 뜯어 고치기는 늦었고 1c에서 시도할 것으로 보인다. => 그와중에 이것저것 땜빵을 해보고 있는것으로 보인다.. 5. 엔비디아향 HBM3e는 SK하이닉스가 거의 다가져갈거다. 삼성 공급량은 얼마 안될거다. 다만, 변수는 AMD다. 6. HBM 때문에 메모리 업체들 Capa가 없고 (삼성은 Capa 감소효과) 범용 메모리 가격이 올라갈거다. 이런 상황에서 범용 디램 패가 남은건 삼성이다. 마진의 큰 상승이 범용 디램에서 일어날수 있다. 7. 삼성의 HBM 마진은 그렇게 낮지않다. 작년 하이닉스 마진 50%, 삼성전자 40% 물론 올해는 HBM3e가 들어와서 격차가 벌어지긴 하겠지만 엄청 크지 않을꺼고 범용 가격이 올라오면 수익성은 많이 개선될거다. 8. 삼성도 하이닉스도 투자는 안하고 있다. 장비업체들이 가격을 내려가면서 까지 HBM 투자를 확보하고 있다. 두 업체 모두 투자를 더하겠다는 생각이 없다. 지금 감산하고 있는거랑 똑같다. (HBM 때문) 9. 소부장 밸류에이션이 매력적이 아닌데 뭘 사야되냐라는 질문을 많이 받는다 크게 두 회사를 본다 1. 피에스케이홀딩스 => 삼성전자 HBM 디레이팅 해소 필요. 닉스 마이크론에 디스컴 리플로우 공급중 2. 파크시스템스 => CoWoS 쪽에 활용성이 높아진다. 실리콘 인터포저 쪽에서 활용도 높아질 것 Q/A Session 1. END-USER(테슬라, 마소)에 따른 삼성HBM, 닉스HBM 구매변수가 있을까? => 없을 것이다. 그냥 무차별하다. 2. HBM4 Base Die를 TSMC가 가져가면 닉스 수익률은 얼마나 줄어드냐? => 예상해보자면 급격히 어닝이 줄어드는 환경은 아닐 것이다. 3. 삼성은 NCF를 고수하는지? 전력 소비만 문제라면 이 부분을 어떻게 개선할 수 있는건지 ? => MUF를 삼성이 처음 시도 했었는데 잘 안되었던 것 같다. 여러 이슈가 있었다. Each-layer thickness를 엔비디아에서 완화해주기 전까지는 NCF로 하는게 어려웠는데 어쩌다보니 엔비디아가 허용해주었다 HBM 쪽에서 MUF 테스트는 지금 계속해보고 있다. 발열이나 전력소비 이런건 전공정이 중요하다고 생각한다. 현재 삼성전자 3D DRAM 스태킹 일부 MUF 사용 한미반도체는 올해 마이크론 중국 삼성 확장 노력중.. 삼성에 적극 영업중인것으로 파악된다. 여기서 단기 트레이딩 아이디어 적용 가능 추후 디램은 앞으로 3D 경쟁이 있을것 파운드리 라피더스 결국 TSMC가 흡수할 가능성이 높지 않나? => 마이크론이 일본 먹고 어떻게 변해왔는지를 생각해보면 삼성전자는 파운드리에서도 유리한 게임에 있지 않다 실제로 EUV도 잘해올거라고 봤는데 그렇지 못했다. 삼성전자 FCF 입장에서 파운드리가 약점이긴 하다.

피에스케이홀딩스가 지난 3월 마이크론에 리플로우 장비를 공급한 것으로 뒤늦게 파악됐다. 이 장비는 고대역폭메모리(HBM) 양산에 쓰인다. 피에스케이홀딩스는 이번 공급을 통해, 국내 반도체 장비사 중 유일하게 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론에 HBM 장비를 공급한 기업이 됐다.30일 업계에 따르면 피에스케이홀딩스가 지난 1분기 마이크론에 리플로우 장비를 소량 공급했다. 이 장비들은 대만 지역에 공급된 것으로 확인됐다. 마이크론의 평가에 따라 하반기 추가 공급도 기대할 수 있는 상황이다.피에스케이홀딩스는 이미 삼성전자와 SK하이닉스에 via 전자부품 전문 미디어 디일렉 - 전체기사 https://ift.tt/MrpwjW9