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💻대립광, CPO 신사업 본격화 — FAU·프리즘 부품 샘플 준비 중 https://money.udn.com/money/story/5612/9446899?from=edn_maintab_index 📌 CPO 신사업 진입 공식 확인 린언핑 회장, CPO(공동패키징광학) 진입 "움직이기 시작했다" 첫 공식 확인 집중 분야: FAU(광섬유 어레이 유닛) 부품 + 프리즘 제조 현재 샘플 준비 중 — 고객 인증 통과 후 양산까지 1~2년 소요 전망 광섬유 관련 플라스틱 부품도 추가 진출 계획 📌 FAU 기술적 난이도 스마트폰 렌즈 대비 정렬 정밀도 요구 수준 훨씬 높음 핵심 과제: "어떻게 정밀하게, 더 빠르고 더 정확하게 정렬하느냐" 대립광 강점: 광학 분야 고속 코어 정렬(快速對芯) 역량 직접 활용 가능 CPO 전용 장비 자체 개발 필요 — 기존 스마트폰 렌즈 장비와 공용 불가 샘플 순조로울 시 FAU+프리즘 통합 모듈 출하 검토 📌 본업(스마트폰 렌즈) 현황 4월 주문 모멘텀 3월 대비 약세 / 5월 4월 대비 낮음 — 전년 동기 대비는 양호 현재 가동률 4Q25보다 낮으나 "여전히 빡빡한 수준" 3Q26 캐파 풀로드(만재) 달성 전망 📌 가변조리개 렌즈 (iPhone 18) 하반기 신기종 사양 거의 확정(Lock Down) iPhone 18 시리즈 플래그십 최초 가변조리개 탑재 — 대립광 주력 공급사 최근 수년간 iPhone 렌즈 가장 중요한 업그레이드 — 하반기 실적 핵심 동인 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻 삼성전기, ATH 갱신 중...산업보고서 발간 이후 145% 상승 저희가 • 2월 2일 MLCC 산업보고서, • 2월 9일 FC-BGA 산업보고서를 통해 📍 MLCC와 FC-BGA의 공급 부족, 그리고 삼성전기의 경쟁력을 말씀드렸습니다. 발간 이후 약 2달이 지난 지금, 💥주가는 어느덧 약 145% 상승했네요. 그로쓰리서치는 항상 보고서를 통해 가치와 가격 사이의 괴리를 먼저 찾고, 그 흐름을 가장 먼저 말씀드리기 위해 꾸준히 공부하고 있습니다. 저희 산업보고서를 계속 읽어보시면 실제 투자 판단에도 분명 큰 도움이 되실 겁니다. 앞으로도 산업보고서를 많이 읽어주시면 감사하겠습니다. 🔥 MLCC 산업보고서 다시보기(2/2 발간) https://contents.premium.naver.com/growthresearch/growth/contents/260130173823428wd 🔥 FC-BGA 산업보고서 다시보기(2/9 발간) https://contents.premium.naver.com/growthresearch/growth/contents/260208161142032ra 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻TSMC, 3nm 전례 없는 추가 증설 — 글로벌 3개 신규 팹 확정 https://ec.ltn.com.tw/article/breakingnews/5406192 📌 3nm 증설 — 역사적 원칙 파기 웨이저자 회장: "과거 목표 캐파 달성 후 추가 증설 없었으나 AI 수요가 결정을 강제" 3nm, 역사상 최초로 목표 달성 후 추가 증설 단행 — AI 수요 압력 공식 확인 대만 5nm 장비 → 3nm 전환 추가 진행 📌 신규 3nm 팹 3개소 일정 타이난(대만 남과학단지): 2027년 상반기 양산 애리조나(미국): 건설 완료 — 2027년 하반기 양산 구마모토(일본) 2기: 2028년 양산 📌 3nm 수요 고객군 스마트폰·HPC·AI·자동차·IoT HBM 로직 베이스다이 포함 — 삼성 HBM4 로직 다이 경쟁 직접 연결 📌 2nm 현황 & A14 로드맵 2nm, 2025년 4분기 우수 수율로 양산 진입 완료 신주·고웅 복수 팹에서 동시 양산 중 N2P·A16 강화 버전 출시 예정 — "2nm 패밀리, 장기 대규모 수요 제품군 될 것" A14: 2nm 대비 동일 전력에서 속도 +10~15% / 동일 속도에서 전력 -25~30% / 로직 밀도 +20% — 2028년 양산 📌 CapEx 상향 & 배당 기조 2026년 CapEx $520~560억 상단 집행 향후 3년 CapEx, 과거 3년($1,010억) 초과 확정 대규모 투자에도 주당 현금배당 지속 성장 공약 유지 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻삼성·SK, LPDDR 추가 성장동력 확보…테슬라 AI칩 양산 수혜 https://zdnet.co.kr/view/?no=20260417093215 📌 테슬라 AI칩 확대 테슬라가 자율주행·로봇용 자체 AI 반도체(AI5·AI6·AI6.5) 양산 확대 삼성전자·TSMC를 병행하는 파운드리 이원화 전략 채택 📌 LPDDR 수요 증가 AI칩에 최첨단 LPDDR 메모리 탑재 AI5: SK하이닉스 LPDDR5X 주력 AI6부터: 삼성전자도 공급망 합류 전망 테슬라 칩 생산 확대 → 모바일/저전력 D램 수요 증가 📌 차세대 LPDDR6 채택 AI6·AI6.5에 LPDDR6 적용 예정 LPDDR6는 기존 대비 대역폭 약 1.5배 향상 올 하반기 상용화 예상 📌 전략적 의미 테슬라 AI칩 확대는 삼성전자·SK하이닉스에 신규 메모리 성장 동력 제공 HPC·AI 반도체 확산과 함께 → LPDDR 시장 구조적 성장 기대 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻TSMC 첨단 패키징·파운드리 증설 로드맵 — 2026~2027 CoWoS 캐파: 2026년 말 11.5만~14만 장 → 2027년 17만 장으로 확대 주요 증설 집중 지역: 타이난(Tainan) + 자이(Chiayi) 📌 CoWoS 캐파 증설 흐름 2025년 약 7~8만 장/월 (추정) 2026년 말 11.5만~14만 장 (+50~75%) 2027년 17만 장 (+20~25% 추가) AP7(자이) + AP8(타이난)이 2026~2027 증설의 핵심 축 AP5B(타이중) 완공 임박 → 단기 캐파 보강 2026년 말 14만 장도 여전히 수요 대비 타이트 — 공급 부족 기조 유지 N2(F20)·A14(F25)·A16(F22) 동시 증설 → TSMC 첨단공정 전반 캐파 확대 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻엔비디아 ISSCC 2026 — CPO 인터포저 통합 시연, 산텍 레이저 사용 엔비디아 엔지니어들이 ISSCC 2026에서 ASIC과 광학 엔진을 동일 인터포저 위에 통합하는 CPO(Co-Packaged Optics) 구현 시연 사용 레이저: 일본 산텍(Santec, 6777.JP) 의 TSL-570 Type H 튜너블 레이저 세미어낼리시스 도식 기준 (c) 인터포저 통합 방식 — 가장 고도화된 구현 단계 📌표를 보면 (c)로 갈수록 신호 경로 최단화 + 전력 소비 최소화 + 대역폭 극대화 빨간 선(신호 경로)이 (a)→(c)로 갈수록 극적으로 단축 📌 산텍(Santec) TSL-570의 역할 CPO 연구·개발·테스트 단계에서 기준 레이저(Reference Laser) 로 사용 엔비디아의 최첨단 CPO 랩에서 채택 = 기술 신뢰도 최고 수준 검증 레퍼런스 레이저 → 양산 플로어 테스트 장비로 전환될 유력 후보 📌 CPO가 왜 중요한가 — AI 인프라의 다음 병목 현재 AI 서버의 데이터 전송은 구리 케이블(전기 신호) 기반 데이터 속도가 올라갈수록 구리의 전력 소비·발열·거리 한계 노출 CPO는 ASIC 바로 옆에 광학 엔진을 붙여 광신호로 직접 통신 GB200·B300 이후 차세대 AI 칩에서 필수 기술로 부상

💻 늦어지는 증설에 치솟는 낸드플래시 가격… 삼성전자·SK하이닉스, 생산 능력 확대 '총력' https://www.chosun.com/economy/tech_it/2026/04/17/GIYTCMTBMQYTINDBHA4WEMLFGE/ 📍 수요 급증 : AI + 서버 교체 사이클 AI 산업 성장 → 데이터 저장 수요 폭증 기업용 SSD(eSSD) 중심으로 낸드 수요 확대 데이터센터 서버 교체 주기(4~6년)까지 겹침 결과 : D램뿐 아니라 낸드까지 동반 공급 부족 📍 가격 급등 현황 128Gb MLC 고정거래가격 : 17.73달러 (전월 대비 +39.95%) 작년 1월(2.18달러) 대비 약 8배 상승 공급 < 수요 구조 고착화 📍 공급 제약 요인 과거 2~3년 업황 부진 → 감산 영향 지속 주요 업체 CAPA 투자 우선순위 : D램 & HBM > 낸드 단기간 증설 어려운 구조 📍 주요 업체 대응 전략 삼성전자 → 시안 1공장 : 공정 전환 완료 → 하반기 증산 → 시안 2공장 : 월 4만장 수준 증설 검토 → 평택 P5 : 낸드 라인 확충 검토 SK하이닉스 → 다롄 2공장 : 월 5만장 증설 투자 예정 → 용인 Y1 팹 : 낸드 라인 확대 검토 해외 업체 → 키옥시아 : 요카이치 월 3만장 증설 → 마이크론 : 싱가포르 신규 팹 (2028년 양산) 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻 CPO 기판 내용에 이어서, 이번 주에 발간한 CPO 산업보고서도 한 번 읽어보시면 좋을 것 같습니다. 이번 주 일요일까지 무료 공개라서, 멤버십으로 전환되기 전에 편하게 한 번 읽어보세요 :) 🔥 [산업] 이제 GPU보다 더 중요한 인프라, '연결' (CPO) https://contents.premium.naver.com/growthresearch/growth/contents/260411154742445kt ⚡️1. AI 인프라 병목: 연산 → 연결 GPU 성능보다 데이터 이동 효율이 성능 좌우 추론·Agentic AI 확산으로 통신 중요성 확대 통신 병목으로 GPU 유휴↑, 비용 부담 증가 ⚡️2. CPO: 차세대 핵심 인터커넥트 구리·플러거블 방식은 전력·거리 한계 도달 CPO는 칩 인접 광 집적으로 효율 개선 1.6T 이상 환경에서 필수 기술로 부상 ⚡️ 3. 밸류체인 투자 포인트 광부품·케이블·레이저 수요 구조적 증가 초기 핵심은 테스트·계측·광 정렬 기술 관련 수혜 기업군 중심으로 투자 기회 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻 삼성전기·LG이노텍 'CPO기판' 개발 돌입 https://www.etnews.com/20260416000258?mc=ns_001_00001 삼성전기·LG이노텍이 차세대 AI 반도체용 CPO(공동패키징광학) 기술 확보에 착수 단순 검토 단계를 넘어 선행 기술 개발 + 부품 샘플 테스트 진행 중 📍 CPO 핵심 개념 기존: 구리선 기반 ‘전기 신호’ 전달 변화: 빛(광 신호)으로 변환 → 속도↑ / 전력↓ / 발열↓ 실리콘 + 광 기술 결합 = 실리콘 포토닉스 📍 왜 중요한가 AI 확산 → 데이터 처리량 폭증 기존 전기 신호 방식은 발열·속도 한계 존재 CPO는 이를 해결하는 차세대 인터커넥트 기술 📍 글로벌 경쟁 상황 엔비디아·브로드컴·마벨 → CPO 적용 AI 칩 추진 TSMC: 2026년 양산 목표 삼성전자: 2028년 양산 계획 📍 국내 기업 전략 삼성전기: 임베디드 기판 투자 확대 (공간 확보 → CPO 부품 탑재 목적) LG이노텍: 주총 이후 실제 개발 단계 진입 📍 핵심 포인트 → CPO는 ‘칩 성능’이 아니라 패키징 구조 자체를 바꾸는 기술 → 기판 업체가 핵심 플레이어로 부상 → 아직 초기 단계지만 AI 시대 필수 인프라로 자리 잡을 가능성 높음 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻 삼성파운드리 보고서 핵심 – 에스앤에스텍 EUV 마스크 에스앤에스텍의 EUV 마스크가 본격적으로 테스트에 들어간 모습입니다. 저희가 발간한 삼성파운드리 산업보고서에서도 에스앤에스텍의 EUV 마스크 관련 내용을 따로 정리해드렸는데요. 특히 에스앤에스텍의 EUV 마스크를 중심으로 핵심 포인트를 정리해드린 만큼, 관련 내용도 함께 보시면 좋을 것 같습니다. 🔥 삼성파운드리 산업보고서 다시보기 https://contents.premium.naver.com/growthresearch/growth/contents/260322211212587hx 📌 에스엔에스텍 투자포인트 📍 포인트 1. 삼성 파운드리 반등의 직접 수혜 삼성 파운드리는 수율 개선·가동률 회복·고객사 복귀로 턴어라운드 국면 진입 동사는 삼성 파운드리 밸류체인 내 직접 수혜 부품주 삼성 선단 공정 확대가 곧 실적 가시성 개선으로 연결 📍 포인트 2. EUV 블랭크마스크 국산화 핵심 에스앤에스텍은 국내 유일 블랭크마스크 업체 삼성 EUV 공정의 국산화 핵심 파트너로 부각 일본 중심 공급망을 대체할 경우 전략적 지위 상승 기대 📍 포인트 3. ASP 상승 + 물량 증가 동시 수혜 EUV 블랭크마스크는 DUV 대비 고단가·고수익 제품 미세공정 전환으로 EUV 레이어 수 증가 결과적으로 단가 상승과 사용량 증가가 동시에 발생 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻 [단독] 삼성전자, 4나노 파운드리에 국산 EUV 마스크 첫 테스트 https://www.thelec.kr/news/articleView.html?idxno=55205 📍 핵심 삼성, 국산 EUV 블랭크 4나노 첫 테스트 에스앤에스텍, 양산 검증용 샘플 공급 연구소 단계를 넘어 양산 라인 첫 투입 📍 의미 호야 의존 축소 위한 국산화 시도 공급망 안정과 가격 협상력 확보 기대 4나노 주력 노드 적용은 의미 큼 📍 공정 포인트 4나노는 삼성 파운드리 핵심 공정 포토마스크 65~70장 필요 이 중 EUV용은 16~17장 수준 📍 기술 포인트 블랭크마스크는 포토마스크 원판 EUV는 DUV와 달리 반사형 구조 미세 결함에도 수율 영향 큰 소재 📍 에스앤에스텍 준비 삼성과 품질 개선 작업 진행 중 파티클 검사장비에 400억 이상 투자 용인 신공장 중심 대응 체계 구축 📍 기대 효과 국산화 시 비용 절감 기대 리드타임 단축 가능성 양산 발주까진 6개월~1년 전망 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻 [단독] 삼성 美테일러팹 가동 준비 마쳐…"하반기부터 테슬라칩 양산" https://www.hankyung.com/article/202604166135i 📍 삼성전자, 美 테일러 파운드리 가동 임박 삼성전자가 미국 텍사스 테일러 파운드리 공장의 가동 준비를 사실상 완료 2022년 11월 착공 이후 약 3년 6개월 만에 양산 단계 진입 4월 24일 주요 장비 반입식을 개최할 예정이며, 파운드리 부문 경영진과 소부장 협력사들이 참석 📍 하반기부터 테슬라 AI 반도체 양산 테일러 팹의 첫 양산 제품은 테슬라의 차세대 자율주행 칩 ‘AI5’와 ‘AI6’ 삼성전자는 테슬라로부터 약 165억 달러(약 23조 원) 규모의 수주를 확보 AI5 : 삼성전자와 TSMC가 공동 생산 AI6 : 삼성전자가 전량 생산 일론 머스크가 AI5 설계 완료를 공식 언급하며 협력 강화 기대 📍 TSMC 추격 위한 전략적 거점 테일러 공장은 삼성의 북미 시장 공략 핵심 전초기지 역할 빅테크 기업들이 TSMC의 물량 우선 배정 및 가격 인상에 불만을 보이며 삼성에 기회 요인 발생 테슬라 프로젝트 성공 시 추가 고객사 확보 가능성 확대 📍 2나노 GAA 공정으로 기술 차별화 기존 4나노 계획을 2나노 공정으로 상향하여 경쟁력 강화 GAA(Gate-All-Around) 기술을 적용해 성능 및 전력 효율 개선 미국 내 TSMC 4나노 공정 대비 기술적 우위를 확보하려는 전략 📍 수익성 개선 기대 테일러 팹 본격 가동 시, 그간 투자 부담이 컸던 파운드리 사업부의 흑자 전환 가능성 제기 대형 고객 확보와 첨단 공정 적용이 실적 개선의 핵심 요인으로 평가 📍 최대 관건은 ‘수율’ 삼성 파운드리의 2나노 공정 수율은 약 60% 수준으로 알려짐 안정적인 수율 확보가 추가 수주 및 시장 점유율 반등의 핵심 변수 테일러 공장에서의 성과가 향후 경쟁력 입증의 분수령이 될 전망 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻 [단독] 오픈AI CFO, 삼성전자와 'HBM4' 공급망 논의… 'AI 메모리 주도권' 재편 신호 https://www.chosun.com/economy/tech_it/2026/04/16/GFRWKZJZGUZDQY3EHEYWMMTFGA/ 📍 핵심 요약 사라 프라이어(오픈AI CFO)가 지난달 방한해 삼성전자 경영진과 비공개 회담을 진행. 회담에서는💥 6세대 고대역폭메모리(HBM4)의 ▲양산 시점 ▲공급 안정성 ▲중장기 협력 구조 등이 논의된 것으로 알려짐. 이는 단순한 공급 협의를 넘어 AI 메모리 주도권 확보를 위한 전략적 행보로 해석됨. 📍 전략적 의미 오픈AI는 AI 인프라 확대와 메모리 수급난 대응을 위해 공급망 다변화를 추진. 기존 HBM 시장의 강자인 SK하이닉스 대신 삼성전자와의 협력에 집중한 점이 주목됨. 삼성전자의 대규모 생산 능력과 수직계열화된 공급망이 주요 선택 요인으로 평가됨. 📍‘타이탄’ AI 칩과의 연계 이번 논의는 오픈AI의 자체 AI 반도체 ‘타이탄(Titan)’ 개발과 밀접하게 연결. 삼성 HBM4를 타이탄 칩에 탑재하는 방안이 구체화되는 과정으로 분석됨. 이는 엔비디아 의존도 축소 전략의 일환으로 해석됨. 📍스타게이트 프로젝트 변화 초대형 데이터센터 프로젝트 ‘스타게이트(Stargate)’의 일부 축소 및 전략 조정이 진행 중. 이에 따라 오픈AI는 데이터센터 확장보다 자체 칩 개발에 더 집중하는 모습. 📍시장 영향 HBM3E까지는 SK하이닉스가 주도했으나, HBM4부터는 삼성전자의 부상 가능성이 제기됨. AI 모델의 자가 발전(Self-Improving AI) 구조 확산으로 메모리 수요가 급증하며, 향후 경쟁의 핵심은 기술력뿐 아니라 안정적인 대규모 공급 능력이 될 전망. 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻 TSMC 1Q26 실적 : 기대치를 뛰어넘은 1분기 📍 매출 매출액: 359억 달러 (NT$ 1,134.1bn) QoQ: +6.4% / YoY: +40.6% 회사 가이던스(US$ 346~358억)를 상회 환율: 31.59 TWD/USD (QoQ +1.9%) 📍 수익성 매출총이익률: 66.2% (QoQ +3.9%p, YoY +7.4%p) → 가이던스(63~65%) 상회 영업이익률: 58.1% (QoQ +4.1%p, YoY +9.6%p) → 가이던스(54~56%) 상회 순이익률: 50.5% (QoQ +2.2%p, YoY +7.4%p) 📍 이익 지표 순이익 : NT$ 572.5bn (QoQ +13.2%, YoY +58.3%) EPS : NT$ 22.08 (QoQ +13.2%, YoY +58.3%) ROE : 40.5% (QoQ +1.7%p, YoY +7.8%p) 📍 비용 및 기타 항목 영업비용 : NT$ 94.0bn (QoQ +6.6%, YoY +10.4%) 영업외손익 : NT$ 28.8bn (QoQ +5.0%, YoY +21.1%) 📍 출하량 12인치 웨이퍼 기준 : 4,174Kpcs QoQ : +5.4% YoY : +28.1% 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻 [단독] 삼성전자, HBM ‘1년 주기’로 판 뒤집는다… 턴키로 ‘초격차’ https://www.busan.com/view/busan/view.php?code=2026041613514040088 📍 핵심 요약 삼성전자가 기존 약 2년이던 💥고대역폭메모리(HBM) 세대 교체 주기를 1년으로 단축하는 로드맵을 추진. AI 반도체 시장의 급성장과 엔비디아·AMD 등 주요 고객사의 GPU 출시 주기에 맞춘 전략. 📍 전략적 배경 AI 가속기 출시 속도가 빨라지면서 메모리 역시 동일한 속도의 진화가 필요. HBM2E → HBM3 → HBM3E → HBM4로 이어지는 기존 2년 주기 공식을 탈피. 📍 삼성전자만의 경쟁력: ‘턴키 솔루션’ 메모리 설계 + 파운드리 제조 + 첨단 패키징을 통합 제공. HBM4부터 도입되는 베이스 다이(Base Die) 생산을 자체 파운드리에서 처리 가능. 하이브리드 본딩 등 차세대 패키징 기술로 수율과 성능 경쟁력 강화. 경쟁사(SK하이닉스–TSMC 분리 구조) 대비 생산 효율성과 공급 안정성에서 우위. 📍 ‘맞춤형(Custom) HBM’으로 고객 락인 단일 규격 공급에서 벗어나 고객사 맞춤형 HBM 제공. 엔비디아·AMD 등 빅테크의 AI 칩 설계에 최적화된 솔루션으로 장기 고객 확보 기대. 향후 HBM5 시장에서도 주도권 확보 가능성. 📍 향후 로드맵 2026년 하반기: HBM4E 샘플 공급 예정. 💥이후 HBM5 개발 일정도 앞당길 계획. 📍 시장 영향 삼성전자의 통합 반도체 역량이 본격적으로 부각되며 HBM 시장의 게임 체인저로 부상할 전망. 고객사 입장에서는 리스크 분산 및 공급망 안정성 측면에서 매력적인 선택지. 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻 머스크, 반도체 직접생산 ‘테라팹’ 본격화…장비업체 접촉 https://www.edaily.co.kr/News/Read?newsId=03932726645416776& 📍 핵심 요약 머스크, 반도체 내재화 본격화 테슬라·스페이스X·xAI 합작 프로젝트 목표는 연 1TW급 컴퓨팅 인프라 구축 📍 주요 진행 상황 AMAT·TEL·램리서치에 견적 요청 장비·부품 전반 발주 타진 삼성엔 협력 요청, 삼성은 테일러 증설 제안 내부적으로 초고속 추진 지시 📍 생산 계획 오스틴에 파일럿 라인 검토 초기 규모는 월 3,000장 수준 2029년 생산 시작 목표 인텔은 공정 개선 지원 📍 활용 분야 로보택시 옵티머스 우주 데이터센터 FSD용 AI 칩 📍 투자 규모 및 시장 시각 필요 투자액은 5조~13조달러 추정 업계는 비용·난이도 우려 의미 있는 성과는 최소 2년 후 전망 📍 투자 포인트 장비업체 수혜 기대 삼성·인텔 협력 여부 주목 AI 인프라 수직계열화 본격화 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻 TSMC, 오늘 실적발표 앞두고 기대감 고조…3년간 2,000억 달러 투자 전망 https://www.ctee.com.tw/news/20260416700039-439901 📍연간 실적 가이던스 상향 가능성 모건스탠리는 TSMC의 2분기 매출이 전분기 대비 5~10% 증가할 것으로 전망 이에 따라 연간 매출 성장률 전망이 기존 약 30%에서 35% 수준으로 상향될 가능성 제기 📍대규모 CAPEX 계획 2026~2028년 총 2,000억 달러 규모의 설비 투자 계획을 발표할 가능성 26년: 550억 달러, 27년: 650억 달러, 28년: 800억 달러 이는 2021년 발표한 3년간 1,000억 달러 투자 계획을 크게 상회 📍시장 반응 및 투자 포인트 외국계의 목표주가 상향으로 TSMC 주가는 발표 전 사상 최고가 경신 3나노 공정 수요 증가가 주요 성장 동력으로 평가 장비 공급업체인 家登(Topco Scientific)과 萬潤(All Ring Tech)이 수혜 지목 📍경쟁 환경 수요 급증으로 일부 고객(AMD, NVIDIA)이 삼성 파운드리를 보조적으로 검토 인텔 파운드리 역시 신규 고객 확보에 적극 나서며 경쟁 심화 📍 전략적 의미 공격적인 CAPEX 확대는 TSMC의 시장 지배력 유지 전략으로 해석 향후 실적과 주가 흐름은 선단 공정 수요와 투자 계획 발표 여부에 좌우될 전망 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

💻 중국 CXMT 퀄컴과 손잡고 모바일D램 영토 확장, 삼성전자·SK하이닉스 과점체제 위협? https://m.businesspost.co.kr/BP?command=mobile_view&num=435771 📍퀄컴과 전략적 협력 중국 창신메모리(CXMT)가 퀄컴과 스마트폰용 맞춤형 모바일 D램을 공동 개발 해당 제품은 독립형 NPU 지원을 위한 고대역폭 메모리로, TSV 및 하이브리드 본딩 기술을 적용 2026년 말~2027년 초 양산, 중급 스마트폰 시장을 주요 타깃으로 설정 📍가격 경쟁력 기반 시장 확대 CXMT의 LPDDR5/LPDDR5X는 글로벌 경쟁사 대비 15~30% 저렴한 것으로 추정 삼성·하이닉스·마이크론이 AI 서버용 D램(HBM)에 집중하면서 모바일 D램 공급이 부족해지고, 가격 상승이 CXMT에 기회로 작용 📍과점 체제에 도전 현재 모바일 D램 시장은 삼성, 하이닉스, 마이크론의 ‘빅3’ 과점 구조 애플 또한 가격 협상력 확보를 위해 중국산 메모리 도입을 검토 중 CXMT의 글로벌 점유율은 '25년 5%, '26년에는 10% 달성 목표 제시 📍성장 배경 샤오미, 오포, 비보 등 중화권 스마트폰 제조사들의 채택 확대와 중국 정부의 보조금 정책이 성장에 기여 LPDDR4X 및 LPDDR5X 중심으로 중단기 시장 점유율 확대가 예상 📍 한계 요인 미국의 수출 규제로 EUV 장비 도입 제한, 초미세 공정 기술에서 선두 업체와의 격차 존재 수율과 품질 측면에서도 삼성전자와 SK하이닉스 대비 아직 열위 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi

✅ 삼성전자, 7세대 HBM 개발 속도… 5월 첫 샘플 나온다 https://www.chosun.com/economy/tech_it/2026/04/16/MRQTCNZYGA2WCNBSMI4DQZRXMM/ 📌 HBM4E 샘플 개발 삼성전자가 7세대 HBM인 ‘HBM4E’의 5월 첫 검증용 샘플 생산을 목표 중 파운드리 사업부에서 로직 다이를 생산한 뒤 메모리 사업부가 HBM4E용 D램과 패키징을 진행 내부 검증을 거쳐 엔비디아에 샘플 납품할 계획 📌 기술적 특징 로직 다이: 4나노 파운드리 공정 적용 D램: 10나노급 6세대(1c) 공정 기반 HBM4 대비 성능을 개선하면서 공정 안정성과 기술 완성도를 확보하는 전략 📌 차세대 시장 선점 전략 삼성전자는 이미 HBM4 업계 첫 양산 출하를 발표하며 시장 진입에 성공 HBM4E 개발을 통해 차세대 AI 메모리 시장 주도권 확보를 노림 과거 HBM 시장에서의 열세를 만회하기 위한 전략적 행보로 해석 📌 경쟁사 동향 SK하이닉스 역시 HBM4E 개발을 추진 중 차세대 D램과 TSMC 3나노 로직 다이 적용을 검토하며 성능 경쟁에 집중 엔비디아의 차세대 AI 칩 ‘베라 루빈’ 출시 지연으로 초기 생산량은 일부 조정될 가능성 ✅ 독립리서치 그로쓰리서치 https://t.me/growthresearch

💻점점 심플해지는 테슬라, 스페이스X 엔지니어링